Справочный ток зеркала BJT Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Опорный ток = Коллекторный ток+(2*Коллекторный ток)/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером
Iref = Ic+(2*Ic)/β
В этой формуле используются 3 Переменные
Используемые переменные
Опорный ток - (Измеряется в Ампер) - Опорный ток — это просто стабильный источник тока, который не колеблется в зависимости от температуры, напряжения питания или нагрузки.
Коллекторный ток - (Измеряется в Ампер) - Коллекторный ток представляет собой усиленный выходной ток биполярного транзистора.
Коэффициент усиления по току с общим эмиттером - Коэффициент усиления по току с общим эмиттером зависит от двух факторов: ширины базовой области W и относительного легирования базовой и эмиттерной областей. Его диапазон варьируется от 50 до 200.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Коллекторный ток: 5 Миллиампер --> 0.005 Ампер (Проверьте преобразование ​здесь)
Коэффициент усиления по току с общим эмиттером: 65 --> Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
Iref = Ic+(2*Ic)/β --> 0.005+(2*0.005)/65
Оценка ... ...
Iref = 0.00515384615384615
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
0.00515384615384615 Ампер -->5.15384615384615 Миллиампер (Проверьте преобразование ​здесь)
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
5.15384615384615 5.153846 Миллиампер <-- Опорный ток
(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Кредиты

Creator Image
Сделано Паял Прия
Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри
Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!
Verifier Image
Проверено Урви Ратод
Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад
Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

14 Базовый ток Калькуляторы

Базовый ток с использованием тока насыщения в постоянном токе
​ Идти Базовый ток = (Ток насыщения/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером)*e^(Напряжение база-коллектор/Тепловое напряжение)+Давление пара насыщения*e^(Напряжение база-коллектор/Тепловое напряжение)
Ток насыщения с использованием концентрации легирующей примеси
​ Идти Ток насыщения = (Площадь поперечного сечения перехода база-эмиттер*[Charge-e]*Электронная диффузия*(Концентрация внутреннего носителя)^2)/(Ширина базового соединения*Легирующая концентрация основания)
Коэффициент усиления по току короткого замыкания BJT
​ Идти Коэффициент усиления по току короткого замыкания = (Коэффициент усиления по току с общим эмиттером на низкой частоте)/(1+Комплексная частотная переменная*(Емкость эмиттер-база+Емкость перехода коллектор-база)*Входное сопротивление)
Ток стока с заданным параметром устройства
​ Идти Ток стока = 1/2*крутизна*Соотношение сторон*(Эффективное напряжение-Пороговое напряжение)^2*(1+Параметр устройства*Напряжение между стоком и истоком)
Базовый ток 2 BJT
​ Идти Базовый ток = (Ток насыщения/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером)*(e^(Напряжение база-эмиттер/Тепловое напряжение))
Базовый ток транзистора PNP с использованием тока насыщения
​ Идти Базовый ток = (Ток насыщения/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером)*e^(Напряжение база-эмиттер/Тепловое напряжение)
Справочный ток зеркала BJT
​ Идти Опорный ток = Коллекторный ток+(2*Коллекторный ток)/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером
Опорный ток BJT Current Mirror
​ Идти Опорный ток = (Напряжение питания-Напряжение база-эмиттер)/Сопротивление
Опорный ток зеркала BJT при заданном токе коллектора
​ Идти Опорный ток = Коллекторный ток*(1+2/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером)
Базовый ток транзистора PNP с использованием тока коллектора
​ Идти Базовый ток = Коллекторный ток/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером
Базовый ток транзистора PNP при заданном токе эмиттера
​ Идти Базовый ток = Ток эмиттера/(Коэффициент усиления по току с общим эмиттером+1)
Базовый ток 1 BJT
​ Идти Базовый ток = Коллекторный ток/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером
Базовый ток PNP-транзистора с использованием коэффициента усиления по току с общей базой
​ Идти Базовый ток = (1-Коэффициент усиления по току с общей базой)*Ток эмиттера
Общий базовый ток
​ Идти Базовый ток = Базовый ток 1+Базовый ток 2

20 Схема БЮТ Калькуляторы

Базовый ток транзистора PNP с использованием тока насыщения
​ Идти Базовый ток = (Ток насыщения/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером)*e^(Напряжение база-эмиттер/Тепловое напряжение)
Частота перехода BJT
​ Идти Частота перехода = крутизна/(2*pi*(Емкость эмиттер-база+Емкость перехода коллектор-база))
Суммарная мощность, рассеиваемая в BJT
​ Идти Власть = Напряжение коллектор-эмиттер*Коллекторный ток+Напряжение база-эмиттер*Базовый ток
Коэффициент подавления синфазного сигнала
​ Идти Коэффициент подавления синфазного сигнала = 20*log10(Усиление дифференциального режима/Усиление синфазного сигнала)
Коэффициент усиления по току с общей базой
​ Идти Коэффициент усиления по току с общей базой = Коэффициент усиления по току с общим эмиттером/(Коэффициент усиления по току с общим эмиттером+1)
Пропускная способность Unity-Gain BJT
​ Идти Единство усиления пропускной способности = крутизна/(Емкость эмиттер-база+Емкость перехода коллектор-база)
Справочный ток зеркала BJT
​ Идти Опорный ток = Коллекторный ток+(2*Коллекторный ток)/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером
Выходное сопротивление BJT
​ Идти Сопротивление = (Напряжение питания+Напряжение коллектор-эмиттер)/Коллекторный ток
Тепловая равновесная концентрация неосновных носителей заряда
​ Идти Тепловая равновесная концентрация = ((Внутренняя плотность несущей)^2)/Легирующая концентрация основания
Выходное напряжение усилителя BJT
​ Идти Выходное напряжение = Напряжение питания-Ток стока*Сопротивление нагрузки
Общая потребляемая мощность в BJT
​ Идти Власть = Напряжение питания*(Коллекторный ток+Входной ток)
Напряжение между коллектором и эмиттером при насыщении
​ Идти Напряжение коллектор-эмиттер = Напряжение база-эмиттер-Напряжение база-коллектор
Базовый ток транзистора PNP с использованием тока коллектора
​ Идти Базовый ток = Коллекторный ток/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером
Базовый ток транзистора PNP при заданном токе эмиттера
​ Идти Базовый ток = Ток эмиттера/(Коэффициент усиления по току с общим эмиттером+1)
Ток коллектора с использованием тока эмиттера
​ Идти Коллекторный ток = Коэффициент усиления по току с общей базой*Ток эмиттера
Базовый ток PNP-транзистора с использованием коэффициента усиления по току с общей базой
​ Идти Базовый ток = (1-Коэффициент усиления по току с общей базой)*Ток эмиттера
Внутреннее усиление BJT
​ Идти Внутреннее усиление = Раннее напряжение/Тепловое напряжение
Ток коллектора BJT
​ Идти Коллекторный ток = Ток эмиттера-Базовый ток
Ток эмиттера BJT
​ Идти Ток эмиттера = Коллекторный ток+Базовый ток
Крутизна короткого замыкания
​ Идти крутизна = Выходной ток/Входное напряжение

Справочный ток зеркала BJT формула

Опорный ток = Коллекторный ток+(2*Коллекторный ток)/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером
Iref = Ic+(2*Ic)/β

Что подразумевается под IC?

Интегральная схема (ИС), также называемая микроэлектронной схемой, микрочипом или микросхемой, представляет собой сборку электронных компонентов, изготовленных как единый блок, в котором миниатюрные активные устройства (например, транзисторы и диоды) и пассивные устройства (например, конденсаторы и резисторы) .

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!