Referenzstrom des BJT-Spiegels Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Referenzstrom = Kollektorstrom+(2*Kollektorstrom)/Gemeinsame Emitterstromverstärkung
Iref = Ic+(2*Ic)/β
Diese formel verwendet 3 Variablen
Verwendete Variablen
Referenzstrom - (Gemessen in Ampere) - Ein Referenzstrom ist nur eine stabile Stromquelle, die nicht über Temperatur, Versorgungsspannungen oder Lasten schwankt.
Kollektorstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Kollektorstrom ist ein verstärkter Ausgangsstrom eines Bipolartransistors.
Gemeinsame Emitterstromverstärkung - Die gemeinsame Emitterstromverstärkung wird durch zwei Faktoren beeinflusst: Breite des Basisbereichs W und relative Dotierungen des Basisbereichs und des Emitterbereichs. Seine Reichweite variiert von 50-200.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Kollektorstrom: 5 Milliampere --> 0.005 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Gemeinsame Emitterstromverstärkung: 65 --> Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Iref = Ic+(2*Ic)/β --> 0.005+(2*0.005)/65
Auswerten ... ...
Iref = 0.00515384615384615
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
0.00515384615384615 Ampere -->5.15384615384615 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
5.15384615384615 5.153846 Milliampere <-- Referenzstrom
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Erstellt von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

14 Basisstrom Taschenrechner

Basisstrom unter Verwendung des Sättigungsstroms in DC
Gehen Basisstrom = (Sättigungsstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*e^(Basis-Kollektor-Spannung/Thermische Spannung)+Sättigungsdampfdruck*e^(Basis-Kollektor-Spannung/Thermische Spannung)
Sättigungsstrom unter Verwendung der Dotierungskonzentration
Gehen Sättigungsstrom = (Querschnittsfläche des Basis-Emitter-Übergangs*[Charge-e]*Elektronendiffusivität*(Intrinsische Trägerkonzentration)^2)/(Breite der Basisverbindung*Dopingkonzentration der Base)
Kurzschlussstromverstärkung von BJT
Gehen Kurzschlussstromverstärkung = (Common-Emitter-Stromverstärkung bei niedriger Frequenz)/(1+Komplexe Frequenzvariable*(Emitter-Basis-Kapazität+Kollektor-Basis-Übergangskapazität)*Eingangswiderstand)
Entladen Sie den aktuellen Geräteparameter
Gehen Stromverbrauch = 1/2*Steilheit*Seitenverhältnis*(Effektive Spannung-Grenzspannung)^2*(1+Geräteparameter*Spannung zwischen Drain und Source)
Basisstrom 2 von BJT
Gehen Basisstrom = (Sättigungsstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*(e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung))
Basisstrom des PNP-Transistors unter Verwendung des Sättigungsstroms
Gehen Basisstrom = (Sättigungsstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung)
Referenzstrom des BJT-Spiegels
Gehen Referenzstrom = Kollektorstrom+(2*Kollektorstrom)/Gemeinsame Emitterstromverstärkung
Referenzstrom des BJT-Stromspiegels
Gehen Referenzstrom = (Versorgungsspannung-Basis-Emitter-Spannung)/Widerstand
Referenzstrom des BJT-Spiegels bei gegebenem Kollektorstrom
Gehen Referenzstrom = Kollektorstrom*(1+2/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)
Basisstrom des PNP-Transistors bei gegebenem Emitterstrom
Gehen Basisstrom = Emitterstrom/(Gemeinsame Emitterstromverstärkung+1)
Basisstrom des PNP-Transistors mit Kollektorstrom
Gehen Basisstrom = Kollektorstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung
Basisstrom 1 von BJT
Gehen Basisstrom = Kollektorstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung
Basisstrom des PNP-Transistors mit Common-Base Current Gain
Gehen Basisstrom = (1-Basisstromverstärkung)*Emitterstrom
Gesamtbasisstrom
Gehen Basisstrom = Basisstrom 1+Basisstrom 2

20 BJT-Schaltung Taschenrechner

Basisstrom des PNP-Transistors unter Verwendung des Sättigungsstroms
Gehen Basisstrom = (Sättigungsstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung)
Übergangsfrequenz von BJT
Gehen Übergangsfrequenz = Steilheit/(2*pi*(Emitter-Basis-Kapazität+Kollektor-Basis-Übergangskapazität))
Gesamtverlustleistung in BJT
Gehen Leistung = Kollektor-Emitter-Spannung*Kollektorstrom+Basis-Emitter-Spannung*Basisstrom
Gleichtakt-Ablehnungsverhältnis
Gehen Gleichtaktunterdrückungsverhältnis = 20*log10(Differentialmodusverstärkung/Gleichtaktverstärkung)
Unity-Gain-Bandbreite von BJT
Gehen Unity-Gain-Bandbreite = Steilheit/(Emitter-Basis-Kapazität+Kollektor-Basis-Übergangskapazität)
Referenzstrom des BJT-Spiegels
Gehen Referenzstrom = Kollektorstrom+(2*Kollektorstrom)/Gemeinsame Emitterstromverstärkung
Ausgangswiderstand von BJT
Gehen Widerstand = (Versorgungsspannung+Kollektor-Emitter-Spannung)/Kollektorstrom
Thermische Gleichgewichtskonzentration des Minoritätsladungsträgers
Gehen Thermische Gleichgewichtskonzentration = ((Intrinsische Trägerdichte)^2)/Dopingkonzentration der Base
Ausgangsspannung des BJT-Verstärkers
Gehen Ausgangsspannung = Versorgungsspannung-Stromverbrauch*Lastwiderstand
Basisstromverstärkung
Gehen Basisstromverstärkung = Gemeinsame Emitterstromverstärkung/(Gemeinsame Emitterstromverstärkung+1)
Gelieferte Gesamtleistung in BJT
Gehen Leistung = Versorgungsspannung*(Kollektorstrom+Eingangsstrom)
Kollektor-Emitter-Spannung bei Sättigung
Gehen Kollektor-Emitter-Spannung = Basis-Emitter-Spannung-Basis-Kollektor-Spannung
Basisstrom des PNP-Transistors bei gegebenem Emitterstrom
Gehen Basisstrom = Emitterstrom/(Gemeinsame Emitterstromverstärkung+1)
Basisstrom des PNP-Transistors mit Kollektorstrom
Gehen Basisstrom = Kollektorstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung
Basisstrom des PNP-Transistors mit Common-Base Current Gain
Gehen Basisstrom = (1-Basisstromverstärkung)*Emitterstrom
Kollektorstrom mit Emitterstrom
Gehen Kollektorstrom = Basisstromverstärkung*Emitterstrom
Eigener Gewinn von BJT
Gehen Eigener Gewinn = Frühe Spannung/Thermische Spannung
Kurzschluss-Transkonduktanz
Gehen Steilheit = Ausgangsstrom/Eingangsspannung
Kollektorstrom von BJT
Gehen Kollektorstrom = Emitterstrom-Basisstrom
Emitterstrom von BJT
Gehen Emitterstrom = Kollektorstrom+Basisstrom

Referenzstrom des BJT-Spiegels Formel

Referenzstrom = Kollektorstrom+(2*Kollektorstrom)/Gemeinsame Emitterstromverstärkung
Iref = Ic+(2*Ic)/β

Was ist mit IC gemeint?

Integrierte Schaltung (IC), auch als mikroelektronische Schaltung, Mikrochip oder Chip bezeichnet, eine Anordnung elektronischer Komponenten, die als eine Einheit hergestellt werden und in denen miniaturisierte aktive Bauelemente (z. B. Transistoren und Dioden) und passive Bauelemente (z. B. Kondensatoren und Widerstände) bestehen. .

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