Corrente di riferimento dello specchio BJT Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Corrente di riferimento = Corrente del collettore+(2*Corrente del collettore)/Guadagno di corrente dell'emettitore comune
Iref = Ic+(2*Ic)/β
Questa formula utilizza 3 Variabili
Variabili utilizzate
Corrente di riferimento - (Misurato in Ampere) - Una corrente di riferimento è solo una fonte stabile di corrente che non fluttua a causa della temperatura, delle tensioni di alimentazione o dei carichi.
Corrente del collettore - (Misurato in Ampere) - La corrente del collettore è una corrente di uscita amplificata di un transistor a giunzione bipolare.
Guadagno di corrente dell'emettitore comune - Il guadagno di corrente dell'emettitore comune è influenzato da 2 fattori: ampiezza della regione di base W e drogaggi relativi della regione di base e della regione di emettitore. La sua gamma varia da 50-200.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Corrente del collettore: 5 Millampere --> 0.005 Ampere (Controlla la conversione ​qui)
Guadagno di corrente dell'emettitore comune: 65 --> Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Iref = Ic+(2*Ic)/β --> 0.005+(2*0.005)/65
Valutare ... ...
Iref = 0.00515384615384615
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
0.00515384615384615 Ampere -->5.15384615384615 Millampere (Controlla la conversione ​qui)
RISPOSTA FINALE
5.15384615384615 5.153846 Millampere <-- Corrente di riferimento
(Calcolo completato in 00.020 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Payal Priya
Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri
Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

14 Corrente di base Calcolatrici

Corrente di base utilizzando la corrente di saturazione in CC
​ Partire Corrente di base = (Corrente di saturazione/Guadagno di corrente dell'emettitore comune)*e^(Tensione base-collettore/Tensione termica)+Pressione di vapore di saturazione*e^(Tensione base-collettore/Tensione termica)
Corrente di saturazione mediante concentrazione di doping
​ Partire Corrente di saturazione = (Area della sezione trasversale della giunzione base-emettitore*[Charge-e]*Diffusività elettronica*(Concentrazione portante intrinseca)^2)/(Larghezza della giunzione di base*Concentrazione drogante della base)
Guadagno di corrente di cortocircuito di BJT
​ Partire Guadagno di corrente di cortocircuito = (Guadagno di corrente a emettitore comune a bassa frequenza)/(1+Variabile di frequenza complessa*(Capacità di base dell'emettitore+Capacità di giunzione collettore-base)*Resistenza di ingresso)
Corrente di scarico dato dal parametro del dispositivo
​ Partire Assorbimento di corrente = 1/2*Transconduttanza*Proporzioni*(Tensione effettiva-Soglia di voltaggio)^2*(1+Parametro dispositivo*Tensione tra Drain e Source)
Corrente di base 2 di BJT
​ Partire Corrente di base = (Corrente di saturazione/Guadagno di corrente dell'emettitore comune)*(e^(Tensione base-emettitore/Tensione termica))
Corrente di base del transistor PNP utilizzando la corrente di saturazione
​ Partire Corrente di base = (Corrente di saturazione/Guadagno di corrente dell'emettitore comune)*e^(Tensione base-emettitore/Tensione termica)
Corrente di riferimento dello specchio BJT
​ Partire Corrente di riferimento = Corrente del collettore+(2*Corrente del collettore)/Guadagno di corrente dell'emettitore comune
Corrente di riferimento dello specchio di corrente BJT
​ Partire Corrente di riferimento = (Tensione di alimentazione-Tensione base-emettitore)/Resistenza
Corrente di riferimento del BJT Mirror data la corrente del collettore
​ Partire Corrente di riferimento = Corrente del collettore*(1+2/Guadagno di corrente dell'emettitore comune)
Corrente di base del transistor PNP data la corrente dell'emettitore
​ Partire Corrente di base = Corrente dell'emettitore/(Guadagno di corrente dell'emettitore comune+1)
Corrente di base del transistor PNP utilizzando la corrente del collettore
​ Partire Corrente di base = Corrente del collettore/Guadagno di corrente dell'emettitore comune
Corrente di base 1 di BJT
​ Partire Corrente di base = Corrente del collettore/Guadagno di corrente dell'emettitore comune
Corrente di base del transistor PNP utilizzando il guadagno di corrente di base comune
​ Partire Corrente di base = (1-Guadagno di corrente a base comune)*Corrente dell'emettitore
Corrente di base totale
​ Partire Corrente di base = Corrente di base 1+Corrente di base 2

20 Circuito BJT Calcolatrici

Corrente di base del transistor PNP utilizzando la corrente di saturazione
​ Partire Corrente di base = (Corrente di saturazione/Guadagno di corrente dell'emettitore comune)*e^(Tensione base-emettitore/Tensione termica)
Frequenza di transizione di BJT
​ Partire Frequenza di transizione = Transconduttanza/(2*pi*(Capacità di base dell'emettitore+Capacità di giunzione collettore-base))
Potenza totale dissipata in BJT
​ Partire Energia = Tensione collettore-emettitore*Corrente del collettore+Tensione base-emettitore*Corrente di base
Larghezza di banda a guadagno unitario di BJT
​ Partire Larghezza di banda con guadagno unitario = Transconduttanza/(Capacità di base dell'emettitore+Capacità di giunzione collettore-base)
Corrente di riferimento dello specchio BJT
​ Partire Corrente di riferimento = Corrente del collettore+(2*Corrente del collettore)/Guadagno di corrente dell'emettitore comune
Rapporto di reiezione di modo comune
​ Partire Rapporto di reiezione di modo comune = 20*log10(Guadagno in modalità differenziale/Guadagno di modo comune)
Guadagno di corrente a base comune
​ Partire Guadagno di corrente a base comune = Guadagno di corrente dell'emettitore comune/(Guadagno di corrente dell'emettitore comune+1)
Resistenza di uscita di BJT
​ Partire Resistenza = (Tensione di alimentazione+Tensione collettore-emettitore)/Corrente del collettore
Tensione di uscita dell'amplificatore BJT
​ Partire Tensione di uscita = Tensione di alimentazione-Assorbimento di corrente*Resistenza al carico
Potenza totale fornita in BJT
​ Partire Energia = Tensione di alimentazione*(Corrente del collettore+Corrente di ingresso)
Concentrazione di equilibrio termico di portatori di carica minoritari
​ Partire Concentrazione di equilibrio termico = ((Densità portante intrinseca)^2)/Concentrazione drogante della base
Corrente di base del transistor PNP data la corrente dell'emettitore
​ Partire Corrente di base = Corrente dell'emettitore/(Guadagno di corrente dell'emettitore comune+1)
Corrente di base del transistor PNP utilizzando la corrente del collettore
​ Partire Corrente di base = Corrente del collettore/Guadagno di corrente dell'emettitore comune
Corrente del collettore usando la corrente dell'emettitore
​ Partire Corrente del collettore = Guadagno di corrente a base comune*Corrente dell'emettitore
Corrente di base del transistor PNP utilizzando il guadagno di corrente di base comune
​ Partire Corrente di base = (1-Guadagno di corrente a base comune)*Corrente dell'emettitore
Tensione collettore-emettitore alla saturazione
​ Partire Tensione collettore-emettitore = Tensione base-emettitore-Tensione base-collettore
Corrente del collettore di BJT
​ Partire Corrente del collettore = Corrente dell'emettitore-Corrente di base
Corrente di emettitore di BJT
​ Partire Corrente dell'emettitore = Corrente del collettore+Corrente di base
Transconduttanza di cortocircuito
​ Partire Transconduttanza = Corrente di uscita/Tensione di ingresso
Guadagno intrinseco di BJT
​ Partire Guadagno intrinseco = Tensione iniziale/Tensione termica

Corrente di riferimento dello specchio BJT Formula

Corrente di riferimento = Corrente del collettore+(2*Corrente del collettore)/Guadagno di corrente dell'emettitore comune
Iref = Ic+(2*Ic)/β

Cosa si intende per IC?

Circuito integrato (IC), chiamato anche circuito microelettronico, microchip o chip, un insieme di componenti elettronici, fabbricato come una singola unità, in cui dispositivi attivi miniaturizzati (ad esempio, transistor e diodi) e dispositivi passivi (ad esempio, condensatori e resistori) .

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