Длина диффузии отверстия Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Отверстия Диффузионная длина = sqrt(Отверстия Константа диффузии*Срок службы держателя отверстия)
Lp = sqrt(Dp*τp)
В этой формуле используются 1 Функции, 3 Переменные
Используемые функции
sqrt - Функция извлечения квадратного корня — это функция, которая принимает на вход неотрицательное число и возвращает квадратный корень из заданного входного числа., sqrt(Number)
Используемые переменные
Отверстия Диффузионная длина - (Измеряется в метр) - Длина диффузии отверстий относится к среднему расстоянию, на которое соответствующий заряд перемещается в полупроводнике.
Отверстия Константа диффузии - (Измеряется в Квадратный метр в секунду) - Постоянная диффузии отверстий относится к свойству материала, которое описывает скорость, с которой отверстия диффундируют через материал в ответ на градиент концентрации.
Срок службы держателя отверстия - (Измеряется в Второй) - Время жизни дырочного носителя относится к среднему времени, в течение которого неосновная дырка-носитель существует в материале до рекомбинации с электроном и, таким образом, исчезновения.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Отверстия Константа диффузии: 37485.39 Квадратный сантиметр в секунду --> 3.748539 Квадратный метр в секунду (Проверьте преобразование ​здесь)
Срок службы держателя отверстия: 0.035 Второй --> 0.035 Второй Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
Lp = sqrt(Dpp) --> sqrt(3.748539*0.035)
Оценка ... ...
Lp = 0.362213838774832
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
0.362213838774832 метр --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
0.362213838774832 0.362214 метр <-- Отверстия Диффузионная длина
(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Кредиты

Creator Image
Национальный институт информационных технологий (НИИТ), Neemrana
Акшада Кулкарни создал этот калькулятор и еще 500+!
Verifier Image
Офис Софтусвиста (Пуна), Индия
Команда Софтусвиста проверил этот калькулятор и еще 1100+!

16 Характеристики носителя заряда Калькуляторы

Внутренняя концентрация
​ Идти Концентрация внутреннего носителя = sqrt(Эффективная плотность в валентной зоне*Эффективная плотность в зоне проводимости)*e^((-Температурная зависимость ширины запрещенной зоны)/(2*[BoltZ]*Температура))
Чувствительность ЭЛТ к электростатическому отклонению
​ Идти Электростатическая чувствительность к отклонению = (Расстояние между отклоняющими пластинами*Расстояние экрана и отклоняющих пластин)/(2*Прогиб луча*Электронная скорость)
Плотность тока из-за электронов
​ Идти Плотность электронного тока = [Charge-e]*Электронная концентрация*Подвижность электрона*Напряженность электрического поля
Плотность тока из-за отверстий
​ Идти Отверстия Плотность тока = [Charge-e]*Концентрация отверстий*Подвижность отверстий*Напряженность электрического поля
Константа диффузии электронов
​ Идти Константа электронной диффузии = Подвижность электрона*(([BoltZ]*Температура)/[Charge-e])
Отверстия Константа диффузии
​ Идти Отверстия Константа диффузии = Подвижность отверстий*(([BoltZ]*Температура)/[Charge-e])
Концентрация собственных носителей в неравновесных условиях
​ Идти Концентрация внутреннего носителя = sqrt(Концентрация большинства носителей*Концентрация миноритарных перевозчиков)
Сила, действующая на элемент тока в магнитном поле
​ Идти Сила = Текущий элемент*Плотность магнитного потока*sin(Угол между плоскостями)
Скорость электрона
​ Идти Скорость из-за напряжения = sqrt((2*[Charge-e]*Напряжение)/[Mass-e])
Длина диффузии отверстия
​ Идти Отверстия Диффузионная длина = sqrt(Отверстия Константа диффузии*Срок службы держателя отверстия)
Период времени электрона
​ Идти Период кругового пути частицы = (2*3.14*[Mass-e])/(Сила магнитного поля*[Charge-e])
Электропроводность в металлах
​ Идти проводимость = Электронная концентрация*[Charge-e]*Подвижность электрона
Скорость электрона в силовых полях
​ Идти Скорость электрона в силовых полях = Напряженность электрического поля/Сила магнитного поля
Тепловое напряжение
​ Идти Тепловое напряжение = [BoltZ]*Температура/[Charge-e]
Тепловое напряжение с использованием уравнения Эйнштейна
​ Идти Тепловое напряжение = Константа электронной диффузии/Подвижность электрона
Плотность конвекционного тока
​ Идти Плотность конвекционного тока = Плотность заряда*Скорость заряда

Длина диффузии отверстия формула

Отверстия Диффузионная длина = sqrt(Отверстия Константа диффузии*Срок службы держателя отверстия)
Lp = sqrt(Dp*τp)

Какое значение имеет длина диффузии?

Длина диффузии носителей заряда является фундаментальным понятием в физике полупроводников и относится к среднему расстоянию, которое избыточный носитель заряда (электрон или дырка) может пройти через полупроводниковый материал, прежде чем он рекомбинирует с противоположным носителем заряда или иным образом теряется. Это мера того, насколько далеко могут распространяться носители от точки их генерации.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!