Strom, der im Sättigungsbereich des NMOS bei gegebener Effektivspannung in Drain-Source eintritt Taschenrechner

✖Der Process Transconductance Parameter in NMOS (PTM) ist ein Parameter, der bei der Modellierung von Halbleiterbauelementen verwendet wird, um die Leistung eines Transistors zu charakterisieren.ⓘ Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten [k'_n]			+10% -10%
✖Die Kanalbreite bezieht sich auf die Bandbreite, die für die Übertragung von Daten innerhalb eines Kommunikationskanals zur Verfügung steht.ⓘ Breite des Kanals [W_c]			+10% -10%
✖Die Länge des Kanals kann als Abstand zwischen seinem Anfangs- und seinem Endpunkt definiert werden und kann je nach Zweck und Standort stark variieren.ⓘ Länge des Kanals [L]			+10% -10%
✖Übersteuerungsspannung bezieht sich in NMOS typischerweise auf die an ein Gerät oder eine Komponente angelegte Spannung, die ihre normale Betriebsspannung überschreitet.ⓘ Übersteuerungsspannung im NMOS [V_ov]			+10% -10%

✖Der Sättigungsdrainstrom unterhalb der Schwellenspannung wird als Unterschwellenstrom definiert und variiert exponentiell mit der Gate-Source-Spannung.ⓘ Strom, der im Sättigungsbereich des NMOS bei gegebener Effektivspannung in Drain-Source eintritt [I_ds]

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Strom, der im Sättigungsbereich des NMOS bei gegebener Effektivspannung in Drain-Source eintritt Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Sättigungsstrom = 1/2*Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*(Übersteuerungsspannung im NMOS)^2
I_ds = 1/2*k'_n*W_c/L*(V_ov)^2
Diese formel verwendet 5 Variablen

Verwendete Variablen

Sättigungsstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Sättigungsdrainstrom unterhalb der Schwellenspannung wird als Unterschwellenstrom definiert und variiert exponentiell mit der Gate-Source-Spannung.
Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten - (Gemessen in Siemens) - Der Process Transconductance Parameter in NMOS (PTM) ist ein Parameter, der bei der Modellierung von Halbleiterbauelementen verwendet wird, um die Leistung eines Transistors zu charakterisieren.
Breite des Kanals - (Gemessen in Meter) - Die Kanalbreite bezieht sich auf die Bandbreite, die für die Übertragung von Daten innerhalb eines Kommunikationskanals zur Verfügung steht.
Länge des Kanals - (Gemessen in Meter) - Die Länge des Kanals kann als Abstand zwischen seinem Anfangs- und seinem Endpunkt definiert werden und kann je nach Zweck und Standort stark variieren.
Übersteuerungsspannung im NMOS - (Gemessen in Volt) - Übersteuerungsspannung bezieht sich in NMOS typischerweise auf die an ein Gerät oder eine Komponente angelegte Spannung, die ihre normale Betriebsspannung überschreitet.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten: 2 Millisiemens --> 0.002 Siemens (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Breite des Kanals: 10 Mikrometer --> 1E-05 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Länge des Kanals: 3 Mikrometer --> 3E-06 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Übersteuerungsspannung im NMOS: 8.48 Volt --> 8.48 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

I_ds = 1/2*k'_n*W_c/L*(V_ov)^2 --> 1/2*0.002*1E-05/3E-06*(8.48)^2

Auswerten ... ...

I_ds = 0.239701333333333

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.239701333333333 Ampere -->239.701333333333 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

239.701333333333 ≈ 239.7013 Milliampere <-- Sättigungsstrom

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Stromeintritt in Drain-Source im Triodenbereich von NMOS

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Strom, der im Sättigungsbereich des NMOS bei gegebener Effektivspannung in Drain-Source eintritt Formel

LaTeX Gehen

Sättigungsstrom = 1/2*Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*(Übersteuerungsspannung im NMOS)^2
I_ds = 1/2*k'_n*W_c/L*(V_ov)^2

Was ist ein Sättigungsbereich?

Die zweite Region wird als "Sättigung" bezeichnet. Hier hat der Basisstrom weit über den Punkt hinaus zugenommen, an dem der Emitter-Basis-Übergang in Vorwärtsrichtung vorgespannt ist. Tatsächlich hat der Basisstrom über den Punkt hinaus zugenommen, an dem der Kollektorstromfluss ansteigen kann.

Was ist die Voraussetzung dafür, dass ein NMOS gesättigt ist?

Der MOSFET ist in Sättigung, wenn V (GS)> V (TH) und V (DS)> V (GS) - V (TH). ... Wenn ich die Gate-Spannung langsam von 0 an erhöhe, bleibt der MOSFET ausgeschaltet. Die LED beginnt, eine kleine Strommenge zu leiten, wenn die Gate-Spannung etwa 2,5 V beträgt.

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