Endlicher Widerstand zwischen Drain und Source Taschenrechner

✖Positive Gleichspannung ist die Spannung am Pluspol einer Gleichspannungsquelle, die höher ist als die am Minuspol, was zu einem Stromfluss in einer bestimmten Richtung führt.ⓘ Positive Gleichspannung [V_a]			+10% -10%
✖Der Drain-Strom ist der Strom, der zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen eines Feldeffekttransistors (FET) fließt, einem Transistortyp, der üblicherweise in elektronischen Schaltkreisen verwendet wird.ⓘ Stromverbrauch [i_d]			+10% -10%

✖Ein endlicher Widerstand bedeutet einfach, dass der Widerstand in einem Stromkreis nicht unendlich oder Null ist. Mit anderen Worten: Der Stromkreis weist einen gewissen Widerstand auf, der das Verhalten des Stromkreises beeinflussen kann.ⓘ Endlicher Widerstand zwischen Drain und Source [R_fi]

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Formel

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Endlicher Widerstand zwischen Drain und Source

Formel

`"R"_{"fi"} = "modulus"("V"_{"a"})/"i"_{"d"}`

Beispiel

`"0.06375kΩ"="modulus"("0.0051V")/"0.08mA"`

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Endlicher Widerstand zwischen Drain und Source Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Endlicher Widerstand = modulus(Positive Gleichspannung)/Stromverbrauch
R_fi = modulus(V_a)/i_d
Diese formel verwendet 1 Funktionen, 3 Variablen

Verwendete Funktionen

modulus - Der Modul einer Zahl ist der Rest, wenn diese Zahl durch eine andere Zahl geteilt wird., modulus

Verwendete Variablen

Endlicher Widerstand - (Gemessen in Ohm) - Ein endlicher Widerstand bedeutet einfach, dass der Widerstand in einem Stromkreis nicht unendlich oder Null ist. Mit anderen Worten: Der Stromkreis weist einen gewissen Widerstand auf, der das Verhalten des Stromkreises beeinflussen kann.
Positive Gleichspannung - (Gemessen in Volt) - Positive Gleichspannung ist die Spannung am Pluspol einer Gleichspannungsquelle, die höher ist als die am Minuspol, was zu einem Stromfluss in einer bestimmten Richtung führt.
Stromverbrauch - (Gemessen in Ampere) - Der Drain-Strom ist der Strom, der zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen eines Feldeffekttransistors (FET) fließt, einem Transistortyp, der üblicherweise in elektronischen Schaltkreisen verwendet wird.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Positive Gleichspannung: 0.0051 Volt --> 0.0051 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Stromverbrauch: 0.08 Milliampere --> 8E-05 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

R_fi = modulus(V_a)/i_d --> modulus(0.0051)/8E-05

Auswerten ... ...

R_fi = 63.75

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

63.75 Ohm -->0.06375 Kiloohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.06375 Kiloohm <-- Endlicher Widerstand

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Anshika Arya

Nationales Institut für Technologie (NIT), Hamirpur

Anshika Arya hat diesen Rechner und 2500+ weitere Rechner verifiziert!

< 14 Widerstand Taschenrechner

MOSFET als linearer Widerstand bei gegebenem Seitenverhältnis

Gehen Linearer Widerstand = Kanallänge/(Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Oxidkapazität*Kanalbreite*Effektive Spannung)

Ausgangswiderstand des Differenzverstärkers

Gehen Ausgangswiderstand = ((Gleichtakt-Eingangssignal*Steilheit)-Gesamtstrom)/(2*Steilheit*Gesamtstrom)

Eingangswiderstand des Mosfet

Gehen Eingangswiderstand = Eingangsspannung/(Kollektorstrom*Kleinsignal-Stromverstärkung)

Endlicher Widerstand zwischen Drain und Source

Gehen Endlicher Widerstand = modulus(Positive Gleichspannung)/Stromverbrauch

Mittlerer freier Elektronenweg

Gehen Mittlerer freier Elektronenweg = 1/(Ausgangswiderstand*Stromverbrauch)

Ausgangswiderstand entleeren

Gehen Ausgangswiderstand = 1/(Mittlerer freier Elektronenweg*Stromverbrauch)

Ausgangswiderstand bei Kanallängenmodulation

Gehen Ausgangswiderstand = 1/(Kanallängenmodulation*Stromverbrauch)

Eingangswiderstand bei gegebener Transkonduktanz

Gehen Eingangswiderstand = Kleinsignal-Stromverstärkung/Steilheit

Spannungsabhängiger Widerstand im MOSFET

Gehen Endlicher Widerstand = Effektive Spannung/Stromverbrauch

Ausgangswiderstand bei gegebener Transkonduktanz

Gehen Ausgangswiderstand = 1/(Trägermobilität*Steilheit)

Ausgangswiderstand des Mosfet

Gehen Ausgangswiderstand = Frühe Spannung/Kollektorstrom

Kleinsignal-Eingangswiderstand

Gehen Eingangswiderstand = Eingangsspannung/Basisstrom

Leitfähigkeit im linearen Widerstand des MOSFET

Gehen Leitfähigkeit des Kanals = 1/Linearer Widerstand

MOSFET als linearer Widerstand

Gehen Linearer Widerstand = 1/Leitfähigkeit des Kanals

Endlicher Widerstand zwischen Drain und Source Formel

Endlicher Widerstand = modulus(Positive Gleichspannung)/Stromverbrauch
R_fi = modulus(V_a)/i_d

Was ist Drainstrom im MOSFET?

Der Drainstrom unterhalb der Schwellenspannung ist als Unterschwellenstrom definiert und variiert exponentiell mit Vgs. Der Kehrwert der Steigung des Logarithmus (Ids) gegenüber der Vgs-Charakteristik wird als Unterschwellensteigung S definiert und ist eine der kritischsten Leistungsmetriken für MOSFETs in Logikanwendungen.

Was ist der Bereich des endlichen Widerstands?

Typischerweise liegt der endliche Widerstand im Bereich von 10 kΩ bis 1000 kΩ. Das schwerwiegendste Manko des Kleinsignalmodells besteht darin, dass davon ausgegangen wird, dass der Drainstrom in der Sättigung unabhängig von der Drainspannung ist, während er auch vom endlichen Widerstand abhängt

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