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Effektive Zustandsdichte im Leitungsband Taschenrechner
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Die effektive Elektronenmasse ist ein Konzept, das in der Festkörperphysik verwendet wird, um das Verhalten von Elektronen in einem Kristallgitter oder einem Halbleitermaterial zu beschreiben.
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Effektive Elektronenmasse [m
eff
]
Assarion (biblische römische)
Atomare Masseneinheit
Attogramm
Avoirdupois dram
Bekan (Biblisches Hebräisch)
Karat
Zentigramm
Dalton
Dekagramm
Dezigramm
Denar (biblische römische)
Didrachma (biblische Griechisch)
Drachme (biblische Griechisch)
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Exagramm
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Gigagramm
Gigatonne
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Gramm
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Hundredweight (Vereinigtes Königreich)
Hundredweight (Vereinigte Staaten)
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Kilogramm
Kilogrammkraft Quadratsekunde pro Meter
Kilopfund
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Messe von Deuteron
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Masse von Neuton
Masse des Protons
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Megagramm
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Mina (Biblisches Hebräisch)
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Nanogramm
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Planck Masse
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Pfundal
Pound-Force Quadratsekunde pro Fuß
Quadrans (biblische römische)
Quartal (Vereinigtes Königreich)
Quartal (Vereinigte Staaten)
Quintal (metrisch)
Skrupel (Apotheker)
Schekel (biblisches Hebräisch)
Slug
Sonnenmasse
Stein (Vereinigtes Königreich)
Stein (Vereinigte Staaten)
Talent (biblische Griechisch)
Talent (Biblisches Hebräisch)
Teragramm
Tetradrachma (biblische Griechisch)
Tonne (Assay) (Vereinigtes Königreich)
Tonne (Assay) (Vereinigte Staaten)
Tonne (lang)
Tonne (Metrisch)
Tonne (kurz)
Tonne
+10%
-10%
✖
Die absolute Temperatur stellt die Temperatur des Systems dar.
ⓘ
Absolute Temperatur [T]
Celsius
Delisle
Fahrenheit
Kelvin
Newton
Rankine
Reaumur
Römer
Tripelpunkt des Wassers
+10%
-10%
✖
Die effektive Zustandsdichte bezieht sich auf die Dichte der verfügbaren Elektronenzustände pro Volumeneinheit innerhalb der Energiebandstruktur eines Materials.
ⓘ
Effektive Zustandsdichte im Leitungsband [N
eff
]
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Schritte
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Formel
✖
Effektive Zustandsdichte im Leitungsband
Formel
`"N"_{"eff"} = 2*(2*pi*"m"_{"eff"}*"[BoltZ]"*"T"/"[hP]"^2)^(3/2)`
Beispiel
`"3.9E^24"=2*(2*pi*"0.2e-30kg"*"[BoltZ]"*"393K"/"[hP]"^2)^(3/2)`
Taschenrechner
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Herunterladen Geräte mit optischen Komponenten Formeln Pdf
Effektive Zustandsdichte im Leitungsband Lösung
SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Effektive Staatendichte
= 2*(2*
pi
*
Effektive Elektronenmasse
*
[BoltZ]
*
Absolute Temperatur
/[hP]^2)^(3/2)
N
eff
= 2*(2*
pi
*
m
eff
*
[BoltZ]
*
T
/[hP]^2)^(3/2)
Diese formel verwendet
3
Konstanten
,
3
Variablen
Verwendete Konstanten
[BoltZ]
- Boltzmann-Konstante Wert genommen als 1.38064852E-23
[hP]
- Planck-Konstante Wert genommen als 6.626070040E-34
pi
- Archimedes-Konstante Wert genommen als 3.14159265358979323846264338327950288
Verwendete Variablen
Effektive Staatendichte
- Die effektive Zustandsdichte bezieht sich auf die Dichte der verfügbaren Elektronenzustände pro Volumeneinheit innerhalb der Energiebandstruktur eines Materials.
Effektive Elektronenmasse
-
(Gemessen in Kilogramm)
- Die effektive Elektronenmasse ist ein Konzept, das in der Festkörperphysik verwendet wird, um das Verhalten von Elektronen in einem Kristallgitter oder einem Halbleitermaterial zu beschreiben.
Absolute Temperatur
-
(Gemessen in Kelvin)
- Die absolute Temperatur stellt die Temperatur des Systems dar.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Effektive Elektronenmasse:
2E-31 Kilogramm --> 2E-31 Kilogramm Keine Konvertierung erforderlich
Absolute Temperatur:
393 Kelvin --> 393 Kelvin Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
N
eff
= 2*(2*pi*m
eff
*[BoltZ]*T/[hP]^2)^(3/2) -->
2*(2*
pi
*2E-31*
[BoltZ]
*393/[hP]^2)^(3/2)
Auswerten ... ...
N
eff
= 3.87070655661186E+24
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
3.87070655661186E+24 --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
3.87070655661186E+24
≈
3.9E+24
<--
Effektive Staatendichte
(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)
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Effektive Zustandsdichte im Leitungsband
Credits
Erstellt von
Priyanka G. Chalikar
Das National Institute of Engineering
(NIE)
,
Mysuru
Priyanka G. Chalikar hat diesen Rechner und 10+ weitere Rechner erstellt!
Geprüft von
Santhosh Yadav
Dayananda Sagar College of Engineering
(DSCE)
,
Banglore
Santhosh Yadav hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!
<
14 Geräte mit optischen Komponenten Taschenrechner
PN-Übergangskapazität
Gehen
Sperrschichtkapazität
=
PN-Kreuzungsgebiet
/2*
sqrt
((2*
[Charge-e]
*
Relative Permittivität
*
[Permitivity-silicon]
)/(
Spannung am PN-Anschluss
-(
Sperrspannung
))*((
Akzeptorkonzentration
*
Spenderkonzentration
)/(
Akzeptorkonzentration
+
Spenderkonzentration
)))
Elektronenkonzentration unter unausgeglichenen Bedingungen
Gehen
Elektronenkonzentration
=
Intrinsische Elektronenkonzentration
*
exp
((
Quasi-Fermi-Niveau von Elektronen
-
Eigenenergieniveau eines Halbleiters
)/(
[BoltZ]
*
Absolute Temperatur
))
Diffusionslänge des Übergangsbereichs
Gehen
Diffusionslänge des Übergangsbereichs
=
Optischer Strom
/(
Aufladung
*
PN-Kreuzungsgebiet
*
Optische Erzeugungsrate
)-(
Übergangsbreite
+
Länge der P-seitigen Kreuzung
)
Strom durch optisch erzeugten Träger
Gehen
Optischer Strom
=
Aufladung
*
PN-Kreuzungsgebiet
*
Optische Erzeugungsrate
*(
Übergangsbreite
+
Diffusionslänge des Übergangsbereichs
+
Länge der P-seitigen Kreuzung
)
Spitzenverzögerung
Gehen
Spitzenverzögerung
= (2*
pi
)/
Wellenlänge des Lichts
*
Länge der Faser
*
Brechungsindex
^3*
Modulationsspannung
Maximaler Akzeptanzwinkel der zusammengesetzten Linse
Gehen
Akzeptanzwinkel
=
asin
(
Brechungsindex des Mediums 1
*
Radius der Linse
*
sqrt
(
Positive Konstante
))
Effektive Zustandsdichte im Leitungsband
Gehen
Effektive Staatendichte
= 2*(2*
pi
*
Effektive Elektronenmasse
*
[BoltZ]
*
Absolute Temperatur
/[hP]^2)^(3/2)
Diffusionskoeffizient des Elektrons
Gehen
Elektronendiffusionskoeffizient
=
Mobilität des Elektrons
*
[BoltZ]
*
Absolute Temperatur
/
[Charge-e]
Beugung mit der Fresnel-Kirchoff-Formel
Gehen
Beugungswinkel
=
asin
(1.22*
Wellenlänge des sichtbaren Lichts
/
Durchmesser der Blende
)
Streifenabstand bei gegebenem Scheitelwinkel
Gehen
Randraum
=
Wellenlänge des sichtbaren Lichts
/(2*
tan
(
Interferenzwinkel
))
Anregungsenergie
Gehen
Anregungsenergie
= 1.6*10^-19*13.6*(
Effektive Elektronenmasse
/
[Mass-e]
)*(1/[Permitivity-silicon]^2)
Brewsters Winkel
Gehen
Brewsters Winkel
=
arctan
(
Brechungsindex des Mediums 1
/
Brechungsindex
)
Drehwinkel der Polarisationsebene
Gehen
Drehwinkel
= 1.8*
Magnetflußdichte
*
Länge des Mediums
Scheitelwinkel
Gehen
Spitzenwinkel
=
tan
(
Alpha
)
Effektive Zustandsdichte im Leitungsband Formel
Effektive Staatendichte
= 2*(2*
pi
*
Effektive Elektronenmasse
*
[BoltZ]
*
Absolute Temperatur
/[hP]^2)^(3/2)
N
eff
= 2*(2*
pi
*
m
eff
*
[BoltZ]
*
T
/[hP]^2)^(3/2)
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