Scheitelwinkel Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Spitzenwinkel = tan(Alpha)
A = tan(α)
Diese formel verwendet 1 Funktionen, 2 Variablen
Verwendete Funktionen
tan - Тангенс угла — это тригонометрическое отношение длины стороны, противолежащей углу, к длине стороны, прилежащей к углу в прямоугольном треугольнике., tan(Angle)
Verwendete Variablen
Spitzenwinkel - (Gemessen in Bogenmaß) - Der Spitzenwinkel ist der Winkel zwischen den Linien, die die Spitze definieren, die auf die Spitze eines Kegels zeigt.
Alpha - Alpha ist der Parameter, der je nach betrachtetem Gerät oder Anwendung variieren kann.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Alpha: -3 --> Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
A = tan(α) --> tan((-3))
Auswerten ... ...
A = 0.142546543074278
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
0.142546543074278 Bogenmaß -->8.16731530233745 Grad (Überprüfen sie die konvertierung hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
8.16731530233745 8.167315 Grad <-- Spitzenwinkel
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Erstellt von Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

14 Geräte mit optischen Komponenten Taschenrechner

PN-Übergangskapazität
Gehen Sperrschichtkapazität = PN-Kreuzungsgebiet/2*sqrt((2*[Charge-e]*Relative Permittivität*[Permitivity-silicon])/(Spannung am PN-Anschluss-(Sperrspannung))*((Akzeptorkonzentration*Spenderkonzentration)/(Akzeptorkonzentration+Spenderkonzentration)))
Elektronenkonzentration unter unausgeglichenen Bedingungen
Gehen Elektronenkonzentration = Intrinsische Elektronenkonzentration*exp((Quasi-Fermi-Niveau von Elektronen-Eigenenergieniveau eines Halbleiters)/([BoltZ]*Absolute Temperatur))
Diffusionslänge des Übergangsbereichs
Gehen Diffusionslänge des Übergangsbereichs = Optischer Strom/(Aufladung*PN-Kreuzungsgebiet*Optische Erzeugungsrate)-(Übergangsbreite+Länge der P-seitigen Kreuzung)
Strom durch optisch erzeugten Träger
Gehen Optischer Strom = Aufladung*PN-Kreuzungsgebiet*Optische Erzeugungsrate*(Übergangsbreite+Diffusionslänge des Übergangsbereichs+Länge der P-seitigen Kreuzung)
Spitzenverzögerung
Gehen Spitzenverzögerung = (2*pi)/Wellenlänge des Lichts*Länge der Faser*Brechungsindex^3*Modulationsspannung
Maximaler Akzeptanzwinkel der zusammengesetzten Linse
Gehen Akzeptanzwinkel = asin(Brechungsindex des Mediums 1*Radius der Linse*sqrt(Positive Konstante))
Effektive Zustandsdichte im Leitungsband
Gehen Effektive Staatendichte = 2*(2*pi*Effektive Elektronenmasse*[BoltZ]*Absolute Temperatur/[hP]^2)^(3/2)
Diffusionskoeffizient des Elektrons
Gehen Elektronendiffusionskoeffizient = Mobilität des Elektrons*[BoltZ]*Absolute Temperatur/[Charge-e]
Beugung mit der Fresnel-Kirchoff-Formel
Gehen Beugungswinkel = asin(1.22*Wellenlänge des sichtbaren Lichts/Durchmesser der Blende)
Streifenabstand bei gegebenem Scheitelwinkel
Gehen Randraum = Wellenlänge des sichtbaren Lichts/(2*tan(Interferenzwinkel))
Anregungsenergie
Gehen Anregungsenergie = 1.6*10^-19*13.6*(Effektive Elektronenmasse/[Mass-e])*(1/[Permitivity-silicon]^2)
Brewsters Winkel
Gehen Brewsters Winkel = arctan(Brechungsindex des Mediums 1/Brechungsindex)
Drehwinkel der Polarisationsebene
Gehen Drehwinkel = 1.8*Magnetflußdichte*Länge des Mediums
Scheitelwinkel
Gehen Spitzenwinkel = tan(Alpha)

Scheitelwinkel Formel

Spitzenwinkel = tan(Alpha)
A = tan(α)

Was ist Elektronenrekombination?

Der Prozess, bei dem ein Elektron, das vom Valenzband zum Leitungsband eines Halbleiters angeregt wurde, im Valenzband, das als Loch bezeichnet wird, in einen leeren Zustand zurückfällt.

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