Ausgangswiderstand des Differenzverstärkers Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Ausgangswiderstand = ((Gleichtakt-Eingangssignal*Steilheit)-Gesamtstrom)/(2*Steilheit*Gesamtstrom)
Rout = ((Vcin*gm)-It)/(2*gm*It)
Diese formel verwendet 4 Variablen
Verwendete Variablen
Ausgangswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Ausgangswiderstand bezieht sich auf den Widerstand einer elektronischen Schaltung gegenüber dem Stromfluss, wenn eine Last an ihren Ausgang angeschlossen ist.
Gleichtakt-Eingangssignal - (Gemessen in Volt) - Ein Gleichtakt-Eingangssignal ist eine Art elektrisches Signal, das an beiden Eingangsanschlüssen eines Differenzverstärkers gleichermaßen auftritt.
Steilheit - (Gemessen in Siemens) - Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.
Gesamtstrom - (Gemessen in Ampere) - Als Gesamtstrom bezeichnet man in der Elektrotechnik und Physik die Summe aller elektrischen Ströme, die durch einen bestimmten Punkt in einem Stromkreis oder Leiter fließen.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Gleichtakt-Eingangssignal: 84.7 Volt --> 84.7 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Steilheit: 0.5 Millisiemens --> 0.0005 Siemens (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Gesamtstrom: 7.7 Milliampere --> 0.0077 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Rout = ((Vcin*gm)-It)/(2*gm*It) --> ((84.7*0.0005)-0.0077)/(2*0.0005*0.0077)
Auswerten ... ...
Rout = 4500
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
4500 Ohm -->4.5 Kiloohm (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
4.5 Kiloohm <-- Ausgangswiderstand
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

14 Widerstand Taschenrechner

MOSFET als linearer Widerstand bei gegebenem Seitenverhältnis
​ Gehen Linearer Widerstand = Kanallänge/(Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Oxidkapazität*Kanalbreite*Effektive Spannung)
Ausgangswiderstand des Differenzverstärkers
​ Gehen Ausgangswiderstand = ((Gleichtakt-Eingangssignal*Steilheit)-Gesamtstrom)/(2*Steilheit*Gesamtstrom)
Eingangswiderstand des Mosfet
​ Gehen Eingangswiderstand = Eingangsspannung/(Kollektorstrom*Kleinsignal-Stromverstärkung)
Endlicher Widerstand zwischen Drain und Source
​ Gehen Endlicher Widerstand = modulus(Positive Gleichspannung)/Stromverbrauch
Mittlerer freier Elektronenweg
​ Gehen Mittlerer freier Elektronenweg = 1/(Ausgangswiderstand*Stromverbrauch)
Ausgangswiderstand entleeren
​ Gehen Ausgangswiderstand = 1/(Mittlerer freier Elektronenweg*Stromverbrauch)
Ausgangswiderstand bei Kanallängenmodulation
​ Gehen Ausgangswiderstand = 1/(Kanallängenmodulation*Stromverbrauch)
Eingangswiderstand bei gegebener Transkonduktanz
​ Gehen Eingangswiderstand = Kleinsignal-Stromverstärkung/Steilheit
Spannungsabhängiger Widerstand im MOSFET
​ Gehen Endlicher Widerstand = Effektive Spannung/Stromverbrauch
Ausgangswiderstand bei gegebener Transkonduktanz
​ Gehen Ausgangswiderstand = 1/(Trägermobilität*Steilheit)
Ausgangswiderstand des Mosfet
​ Gehen Ausgangswiderstand = Frühe Spannung/Kollektorstrom
Kleinsignal-Eingangswiderstand
​ Gehen Eingangswiderstand = Eingangsspannung/Basisstrom
Leitfähigkeit im linearen Widerstand des MOSFET
​ Gehen Leitfähigkeit des Kanals = 1/Linearer Widerstand
MOSFET als linearer Widerstand
​ Gehen Linearer Widerstand = 1/Leitfähigkeit des Kanals

Ausgangswiderstand des Differenzverstärkers Formel

Ausgangswiderstand = ((Gleichtakt-Eingangssignal*Steilheit)-Gesamtstrom)/(2*Steilheit*Gesamtstrom)
Rout = ((Vcin*gm)-It)/(2*gm*It)

Was ist Schwellenspannung?

Der Wert der Spannung über dem Oxid, bei dem sich eine ausreichende Anzahl mobiler Elektronen im Kanalbereich ansammelt, um einen leitenden Kanal zu bilden, wird als Schwellenspannung bezeichnet und als V bezeichnet

Erklären Sie den gesamten Prozess des Kanalbereichs des MOSFET, der einen Parallelplattenkondensator bildet.

Das Gate und der Kanalbereich des MOSFET bilden einen Parallelplattenkondensator, wobei die Oxidschicht als Kondensatordielektrikum fungiert. Die positive Gate-Spannung bewirkt, dass sich eine positive Ladung auf der oberen Platte des Kondensators (der Gate-Elektrode) ansammelt. Die entsprechende negative Ladung auf der Bodenplatte wird von den Elektronen im induzierten Kanal gebildet. In vertikaler Richtung entsteht somit ein elektrisches Feld. Dieses Feld steuert die Ladungsmenge im Kanal und bestimmt somit die Kanalleitfähigkeit und damit den Strom, der beim Anlegen einer Spannung durch den Kanal fließt.

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