Emitterwiderstand bei gegebenem Emitterstrom Taschenrechner

✖Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die benötigt wird, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen zu schaffen.ⓘ Grenzspannung [V_th]			+10% -10%
✖Der Emitterstrom ist der verstärkte Ausgangsstrom eines Bipolartransistors.ⓘ Emitterstrom [I_e]			+10% -10%

✖Der Emitterwiderstand ist ein dynamischer Widerstand der Emitter-Basis-Sperrschichtdiode eines Transistors.ⓘ Emitterwiderstand bei gegebenem Emitterstrom [R_e]

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Formel

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Emitterwiderstand bei gegebenem Emitterstrom

Formel

`"R"_{"e"} = "V"_{"th"}/"I"_{"e"}`

Beispiel

`"1.083317kΩ"="5.50V"/"5.077mA"`

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Emitterwiderstand bei gegebenem Emitterstrom Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Emitterwiderstand = Grenzspannung/Emitterstrom
R_e = V_th/I_e
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Emitterwiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Emitterwiderstand ist ein dynamischer Widerstand der Emitter-Basis-Sperrschichtdiode eines Transistors.
Grenzspannung - (Gemessen in Volt) - Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die benötigt wird, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen zu schaffen.
Emitterstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Emitterstrom ist der verstärkte Ausgangsstrom eines Bipolartransistors.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Grenzspannung: 5.5 Volt --> 5.5 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Emitterstrom: 5.077 Milliampere --> 0.005077 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

R_e = V_th/I_e --> 5.5/0.005077

Auswerten ... ...

R_e = 1083.31691944061

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

1083.31691944061 Ohm -->1.08331691944061 Kiloohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

1.08331691944061 ≈ 1.083317 Kiloohm <-- Emitterwiderstand

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Prahalad Singh

Jaipur Engineering College und Forschungszentrum (JECRC), Jaipur

Prahalad Singh hat diesen Rechner und 10+ weitere Rechner verifiziert!

< 15 Widerstand Taschenrechner

Eingangswiderstand der gemeinsamen Gate-Schaltung bei Transkonduktanz

Gehen Eingangswiderstand = (1/Steilheit)+(Lastwiderstand/(Steilheit*Endlicher Ausgangswiderstand))

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Ausgangswiderstand des einfachen Strom BJT

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Eingangswiderstand von BJT

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Gehen Emitterwiderstand = Grenzspannung/Emitterstrom

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Emitterwiderstand bei gegebenem Emitterstrom

Gehen Emitterwiderstand = Grenzspannung/Emitterstrom

Emitterwiderstand von BJT

Gehen Emitterwiderstand = Kleines Signal/Signalstrom

Kleinsignal-Eingangswiderstand zwischen Basis und Emitter mit Basisstrom

Gehen Signalwiderstand = Grenzspannung/Basisstrom

Emitterwiderstand bei gegebenem Emitterstrom Formel

Emitterwiderstand = Grenzspannung/Emitterstrom
R_e = V_th/I_e

Warum verwenden wir Emitterwiderstände?

Das Ziel einer Wechselstromsignalverstärkerschaltung besteht darin, die mit Gleichstrom vorgespannte Eingangsspannung des Verstärkers zu stabilisieren und somit nur das erforderliche Wechselstromsignal zu verstärken. Diese Stabilisierung wird durch die Verwendung eines Emitterwiderstands erreicht, der die erforderliche Menge an automatischer Vorspannung bereitstellt, die für einen gemeinsamen Emitterverstärker erforderlich ist.

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