Anteil der Verunreinigung im Gitter Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Anteil der Verunreinigungen = Anzahl der von Verunreinigungen besetzten Gitter/Gesamt-Nr. von Gitterpunkten
f = Noccupied/N
Diese formel verwendet 3 Variablen
Verwendete Variablen
Anteil der Verunreinigungen - Der Anteil der Verunreinigungen ist das Verhältnis des von Verunreinigungen besetzten Kristallgitters zur Gesamtzahl. des Kristallgitters.
Anzahl der von Verunreinigungen besetzten Gitter - Die Anzahl der von Verunreinigungen besetzten Gitter ist die Anzahl der Kristallgitter, die nicht von Atomen oder Ionen besetzt sind.
Gesamt-Nr. von Gitterpunkten - Die Gesamt-Nr. von Gitterpunkten sind die spezifischen Positionen im Kristall, die von Atomen oder Ionen eingenommen werden.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Anzahl der von Verunreinigungen besetzten Gitter: 12 --> Keine Konvertierung erforderlich
Gesamt-Nr. von Gitterpunkten: 10 --> Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
f = Noccupied/N --> 12/10
Auswerten ... ...
f = 1.2
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
1.2 --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
1.2 <-- Anteil der Verunreinigungen
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Prerana Bakli
Universität von Hawaii in Mānoa (Äh, Manoa), Hawaii, USA
Prerana Bakli hat diesen Rechner und 800+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Akshada Kulkarni
Nationales Institut für Informationstechnologie (NIIT), Neemrana
Akshada Kulkarni hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner verifiziert!

24 Gitter Taschenrechner

Miller-Index entlang der X-Achse unter Verwendung von Weiss-Indizes
​ Gehen Miller-Index entlang der x-Achse = lcm(Weiss-Index entlang der x-Achse,Weiss-Index entlang der y-Achse,Weiss-Index Entlang der z-Achse)/Weiss-Index entlang der x-Achse
Miller-Index entlang der Y-Achse unter Verwendung von Weiss-Indizes
​ Gehen Miller-Index entlang der y-Achse = lcm(Weiss-Index entlang der x-Achse,Weiss-Index entlang der y-Achse,Weiss-Index Entlang der z-Achse)/Weiss-Index entlang der y-Achse
Miller-Index entlang der Z-Achse unter Verwendung von Weiss-Indizes
​ Gehen Miller-Index entlang der z-Achse = lcm(Weiss-Index entlang der x-Achse,Weiss-Index entlang der y-Achse,Weiss-Index Entlang der z-Achse)/Weiss-Index Entlang der z-Achse
Kantenlänge unter Verwendung des interplanaren Abstands des kubischen Kristalls
​ Gehen Kantenlänge = Interplanarer Abstand*sqrt((Miller-Index entlang der x-Achse^2)+(Miller-Index entlang der y-Achse^2)+(Miller-Index entlang der z-Achse^2))
Anteil der Verunreinigung im Gitter der Energie
​ Gehen Anteil der Verunreinigungen = exp(-Energiebedarf pro Verunreinigung/([R]*Temperatur))
Energie pro Verunreinigung
​ Gehen Energiebedarf pro Verunreinigung = -ln(Anteil der Verunreinigungen)*[R]*Temperatur
Bruchteil der Leerstelle in Gitter ausgedrückt von Energie
​ Gehen Bruchteil der Leerstelle = exp(-Energiebedarf pro Vakanz/([R]*Temperatur))
Energie pro Leerstand
​ Gehen Energiebedarf pro Vakanz = -ln(Bruchteil der Leerstelle)*[R]*Temperatur
Verpackungseffizienz
​ Gehen Verpackungseffizienz = (Volumen, das von Kugeln in der Elementarzelle eingenommen wird/Gesamtvolumen der Einheitszelle)*100
Anzahl der Gitter mit Verunreinigungen
​ Gehen Anzahl der von Verunreinigungen besetzten Gitter = Anteil der Verunreinigungen*Gesamt-Nr. von Gitterpunkten
Anteil der Verunreinigung im Gitter
​ Gehen Anteil der Verunreinigungen = Anzahl der von Verunreinigungen besetzten Gitter/Gesamt-Nr. von Gitterpunkten
Weiss-Index entlang der X-Achse unter Verwendung von Miller-Indizes
​ Gehen Weiss-Index entlang der x-Achse = LCM von Weiss-Indizes/Miller-Index entlang der x-Achse
Weiss-Index entlang der Y-Achse unter Verwendung von Miller-Indizes
​ Gehen Weiss-Index entlang der y-Achse = LCM von Weiss-Indizes/Miller-Index entlang der y-Achse
Weiss-Index entlang der Z-Achse unter Verwendung von Miller-Indizes
​ Gehen Weiss-Index Entlang der z-Achse = LCM von Weiss-Indizes/Miller-Index entlang der z-Achse
Leerstandsanteil im Gitter
​ Gehen Bruchteil der Leerstelle = Anzahl der freien Gitter/Gesamt-Nr. von Gitterpunkten
Anzahl der freien Gitter
​ Gehen Anzahl der freien Gitter = Bruchteil der Leerstelle*Gesamt-Nr. von Gitterpunkten
Radius des Bestandteils im BCC-Gitter
​ Gehen Radius des konstituierenden Partikels = 3*sqrt(3)*Kantenlänge/4
Kantenlänge der flächenzentrierten Einheitszelle
​ Gehen Kantenlänge = 2*sqrt(2)*Radius des konstituierenden Partikels
Kantenlänge der körperzentrierten Einheitszelle
​ Gehen Kantenlänge = 4*Radius des konstituierenden Partikels/sqrt(3)
Radiusverhältnis
​ Gehen Radiusverhältnis = Kationenradius/Radius des Anions
Anzahl der tetraedrischen Hohlräume
​ Gehen Anzahl der tetraedrischen Hohlräume = 2*Anzahl der geschlossen gepackten Kugeln
Radius des Bestandteils im FCC-Gitter
​ Gehen Radius des konstituierenden Partikels = Kantenlänge/2.83
Radius des Teilchenbestandteils in einer einfachen kubischen Einheitszelle
​ Gehen Radius des konstituierenden Partikels = Kantenlänge/2
Kantenlänge der einfachen kubischen Einheitszelle
​ Gehen Kantenlänge = 2*Radius des konstituierenden Partikels

Anteil der Verunreinigung im Gitter Formel

Anteil der Verunreinigungen = Anzahl der von Verunreinigungen besetzten Gitter/Gesamt-Nr. von Gitterpunkten
f = Noccupied/N

Was sind Kristallfehler?

Die Anordnung der Atome in allen Materialien enthält Unvollkommenheiten, die einen tiefgreifenden Einfluss auf das Verhalten der Materialien haben. Gitterfehler können in drei Bereiche unterteilt werden: 1. Punktfehler (Leerstellen, Zwischengitterfehler, Substitutionsfehler) 2. Linienfehler (Schraubenversetzung, Kantenversetzung) 3. Oberflächenfehler (Materialoberfläche, Korngrenzen)

Warum sind Defekte wichtig?

Es gibt viele Eigenschaften, die durch Defekte gesteuert oder beeinflusst werden, zum Beispiel: 1. Elektrische und thermische Leitfähigkeit in Metallen (stark reduziert durch Punktdefekte). 2. Elektronische Leitfähigkeit in Halbleitern (kontrolliert durch Substitutionsfehler). 3. Diffusion (kontrolliert durch freie Stellen). 4. Ionenleitfähigkeit (kontrolliert durch Leerstellen). 5. Plastische Verformung in kristallinen Materialien (kontrolliert durch Versetzung). 6. Farben (von Mängeln betroffen). 7. Mechanische Festigkeit (stark von Defekten abhängig).

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