Hoher Rauschabstand Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Hoher Rauschabstand = Minimale hohe Ausgangsspannung-Minimale hohe Eingangsspannung
Nh = Voh-Vih
Diese formel verwendet 3 Variablen
Verwendete Variablen
Hoher Rauschabstand - (Gemessen in Volt) - Unter High Noise Margin versteht man den Spannungswert zwischen einem Wechselrichter, der von einem logischen High-Zustand übergeht, wenn die Marge hoch ist.
Minimale hohe Ausgangsspannung - (Gemessen in Volt) - Die minimale hohe Ausgangsspannung ist als die minimale Ausgangsspannung definiert, wenn die Logik im CMOS auf High ist.
Minimale hohe Eingangsspannung - (Gemessen in Volt) - Die minimale hohe Eingangsspannung ist definiert als die minimale Eingangsspannung an der hohen Logik innerhalb eines CMOS.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Minimale hohe Ausgangsspannung: 5.01 Volt --> 5.01 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Minimale hohe Eingangsspannung: 2 Volt --> 2 Volt Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Nh = Voh-Vih --> 5.01-2
Auswerten ... ...
Nh = 3.01
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
3.01 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
3.01 Volt <-- Hoher Rauschabstand
(Berechnung in 00.035 sekunden abgeschlossen)

Credits

Erstellt von Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

16 Analoges VLSI-Design Taschenrechner

Potenzial zwischen Quelle und Körper
Gehen Potenzialdifferenz des Quellkörpers = Oberflächenpotential/(2*ln(Akzeptorkonzentration/Intrinsische Konzentration))
Drain Voltage
Gehen Basiskollektorspannung = sqrt(Dynamische Kraft/(Frequenz*Kapazität))
Gate-zu-Basis-Kapazität
Gehen Gate-zu-Basis-Kapazität = Gate-Kapazität-(Gate-Source-Kapazität+Gate-to-Drain-Kapazität)
Gate-to-Drain-Kapazität
Gehen Gate-to-Drain-Kapazität = Gate-Kapazität-(Gate-zu-Basis-Kapazität+Gate-Source-Kapazität)
Gate-Source-Kapazität
Gehen Gate-Source-Kapazität = Gate-Kapazität-(Gate-zu-Basis-Kapazität+Gate-to-Drain-Kapazität)
Potenzial von Drain zu Source
Gehen Drain-to-Source-Potenzial = (Schwellenspannung DIBL-Grenzspannung)/DIBL-Koeffizient
Gate-zu-Kanal-Spannung
Gehen Gate-zu-Kanal-Spannung = (Kanalgebühr/Gate-Kapazität)+Grenzspannung
Maximale niedrige Ausgangsspannung
Gehen Maximal niedrige Ausgangsspannung = Maximal niedrige Eingangsspannung-Geringer Rauschabstand
Maximal niedrige Eingangsspannung
Gehen Maximal niedrige Eingangsspannung = Geringer Rauschabstand+Maximal niedrige Ausgangsspannung
Geringer Rauschabstand
Gehen Geringer Rauschabstand = Maximal niedrige Eingangsspannung-Maximal niedrige Ausgangsspannung
Minimale hohe Ausgangsspannung
Gehen Minimale hohe Ausgangsspannung = Hoher Rauschabstand+Minimale hohe Eingangsspannung
Minimale hohe Eingangsspannung
Gehen Minimale hohe Eingangsspannung = Minimale hohe Ausgangsspannung-Hoher Rauschabstand
Hoher Rauschabstand
Gehen Hoher Rauschabstand = Minimale hohe Ausgangsspannung-Minimale hohe Eingangsspannung
Tor zur Ableitung von Potenzial
Gehen Tor zur Potenzialentwässerung = 2*Gate-zu-Kanal-Spannung-Tor-zu-Quelle-Potenzial
Gate-to-Collector-Potenzial
Gehen Gate-zu-Kanal-Spannung = (Tor-zu-Quelle-Potenzial+Tor zur Potenzialentwässerung)/2
Tor-zu-Quelle-Potenzial
Gehen Tor-zu-Quelle-Potenzial = 2*Gate-zu-Kanal-Spannung-Tor zur Potenzialentwässerung

Hoher Rauschabstand Formel

Hoher Rauschabstand = Minimale hohe Ausgangsspannung-Minimale hohe Eingangsspannung
Nh = Voh-Vih

Welche Bedeutung hat die Rauschgrenze?

Die Rauschgrenze hängt eng mit den DC-Spannungseigenschaften zusammen. Mit diesem Parameter kann die zulässige Rauschspannung am Eingang eines Gatters bestimmt werden, damit der Ausgang nicht verfälscht wird. Die am häufigsten verwendete Spezifikation zur Beschreibung des Rauschabstands (oder der Rauschimmunität) verwendet zwei Parameter: den LOW-Rauschabstand, NML, und den HIGH-Rauschabstand, NMH.

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