Leckagenergie im CMOS Taschenrechner

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✖Unter Gesamtenergie im CMOS versteht man die quantitative Eigenschaft, die auf ein Objekt übertragen werden muss, um Arbeit an dem Objekt im CMOS auszuführen oder es zu erwärmen.ⓘ Gesamtenergie im CMOS [E_t]			+10% -10%
✖Unter Schaltenergie versteht man im CMOS die quantitative Eigenschaft, die auf ein Objekt übertragen werden muss, um beim Schalten des Stromkreises Arbeit an dem Objekt auszuführen oder es zu erwärmen.ⓘ Schaltenergie im CMOS [E_s]			+10% -10%

✖Unter Leckageenergie versteht man in CMOS ein Energieleck, wenn wir Energie auf eine Weise verbrauchen, die ein Energiedefizit verursacht.ⓘ Leckagenergie im CMOS [E_leak]

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Formel

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Leckagenergie im CMOS

Formel

`"E"_{"leak"} = "E"_{"t"}-"E"_{"s"}`

Beispiel

`"7pJ"="42pJ"-"35pJ"`

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Leckagenergie im CMOS Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Leckageenergie im CMOS = Gesamtenergie im CMOS-Schaltenergie im CMOS
E_leak = E_t-E_s
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Leckageenergie im CMOS - (Gemessen in Joule) - Unter Leckageenergie versteht man in CMOS ein Energieleck, wenn wir Energie auf eine Weise verbrauchen, die ein Energiedefizit verursacht.
Gesamtenergie im CMOS - (Gemessen in Joule) - Unter Gesamtenergie im CMOS versteht man die quantitative Eigenschaft, die auf ein Objekt übertragen werden muss, um Arbeit an dem Objekt im CMOS auszuführen oder es zu erwärmen.
Schaltenergie im CMOS - (Gemessen in Joule) - Unter Schaltenergie versteht man im CMOS die quantitative Eigenschaft, die auf ein Objekt übertragen werden muss, um beim Schalten des Stromkreises Arbeit an dem Objekt auszuführen oder es zu erwärmen.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Gesamtenergie im CMOS: 42 Picojoule --> 4.2E-11 Joule (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Schaltenergie im CMOS: 35 Picojoule --> 3.5E-11 Joule (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

E_leak = E_t-E_s --> 4.2E-11-3.5E-11

Auswerten ... ...

E_leak = 7E-12

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

7E-12 Joule -->7 Picojoule (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

7 Picojoule <-- Leckageenergie im CMOS

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 17 CMOS-Leistungsmetriken Taschenrechner

Tore auf kritischem Pfad

Gehen Gates auf kritischem Weg = Auslastungsgrad*(Aus Strom*(10^Basiskollektorspannung))/(Kapazität von Gate zu Kanal*[BoltZ]*Basiskollektorspannung)

Unterschwelliger Leckstrom durch AUS-Transistoren

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Konkurrenzstrom in verhältnismäßigen Schaltungen

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Gehen Gate-Strom = (Statische CMOS-Leistung/Basiskollektorspannung)-(Unterschwelliger Strom+Konflikt aktuell+Kreuzungsstrom)

Ausgangsumschaltung bei Laststromverbrauch

Gehen Ausgangsumschaltung = Stromverbrauch der kapazitiven Last/(Externe Lastkapazität*Versorgungsspannung^2*Ausgangssignalfrequenz)

Leistungsaufnahme der kapazitiven Last

Gehen Stromverbrauch der kapazitiven Last = Externe Lastkapazität*Versorgungsspannung^2*Ausgangssignalfrequenz*Ausgangsumschaltung

Stromversorgungsunterdrückungsverhältnis

Gehen Unterdrückungsverhältnis der Stromversorgung = 20*log10(Welligkeit der Eingangsspannung/Ausgangsspannungswelligkeit)

Aktivitätsfaktor

Gehen Aktivitätsfaktor = Schaltleistung/(Kapazität*Basiskollektorspannung^2*Frequenz)

Schaltleistung

Gehen Schaltleistung = Aktivitätsfaktor*(Kapazität*Basiskollektorspannung^2*Frequenz)

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Schalten von Energie im CMOS

Gehen Schaltenergie im CMOS = Gesamtenergie im CMOS-Leckageenergie im CMOS

Gesamtenergie in CMOS

Gehen Gesamtenergie im CMOS = Schaltenergie im CMOS+Leckageenergie im CMOS

Leckagenergie im CMOS

Gehen Leckageenergie im CMOS = Gesamtenergie im CMOS-Schaltenergie im CMOS

Statische Leistung im CMOS

Gehen Statische CMOS-Leistung = Totale Kraft-Dynamische Kraft

Gesamtleistung im CMOS

Gehen Totale Kraft = Statische CMOS-Leistung+Dynamische Kraft

Dynamische Leistung im CMOS

Gehen Dynamische Kraft = Kurzschlussstrom+Schaltleistung

Kurzschlussstrom im CMOS

Gehen Kurzschlussstrom = Dynamische Kraft-Schaltleistung

Leckagenergie im CMOS Formel

Leckageenergie im CMOS = Gesamtenergie im CMOS-Schaltenergie im CMOS
E_leak = E_t-E_s

Wofür wird CMOS verwendet?

Es ist eine Technologie zur Herstellung integrierter Schaltkreise. CMOS-Schaltungen finden sich in verschiedenen Arten elektronischer Komponenten, einschließlich Mikroprozessoren, Batterien und Bildsensoren für Digitalkameras.

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