Größe des negativen Widerstands Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Negativer Widerstand in der Tunneldiode = 1/(Tunneldiode mit negativem Leitwert)
Rn = 1/(gm)
Diese formel verwendet 2 Variablen
Verwendete Variablen
Negativer Widerstand in der Tunneldiode - (Gemessen in Ohm) - Der negative Widerstand in der Tunneldiode ist eine Eigenschaft, die dazu führt, dass die Spannung über dem Gerät erhöht wird, der Strom durch sie zunächst abnimmt, anstatt zuzunehmen.
Tunneldiode mit negativem Leitwert - (Gemessen in Siemens) - Negativer Leitwert Eine Tunneldiode ist definiert als ein negativer Leitwert einer Tunneldiode.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Tunneldiode mit negativem Leitwert: 0.013 Siemens --> 0.013 Siemens Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Rn = 1/(gm) --> 1/(0.013)
Auswerten ... ...
Rn = 76.9230769230769
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
76.9230769230769 Ohm --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
76.9230769230769 76.92308 Ohm <-- Negativer Widerstand in der Tunneldiode
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

16 Nichtlineare Schaltungen Taschenrechner

Zimmertemperatur
​ Gehen Umgebungstemperatur = (2*Diodentemperatur*((1/(Kopplungskoeffizient*Q-Faktor))+(1/((Kopplungskoeffizient*Q-Faktor)^2))))/(Rauschzahl des Aufwärtswandlers-1)
Durchschnittliche Diodentemperatur unter Verwendung von Einseitenbandrauschen
​ Gehen Diodentemperatur = (Rauschzahl des Einseitenbands-2)*((Ausgangswiderstand des Signalgenerators*Umgebungstemperatur)/(2*Diodenwiderstand))
Rauschzahl des Doppelseitenbandes
​ Gehen Rauschzahl des Doppelseitenbandes = 1+((Diodentemperatur*Diodenwiderstand)/(Ausgangswiderstand des Signalgenerators*Umgebungstemperatur))
Rauschzahl des Einseitenbands
​ Gehen Rauschzahl des Einseitenbands = 2+((2*Diodentemperatur*Diodenwiderstand)/(Ausgangswiderstand des Signalgenerators*Umgebungstemperatur))
Spannungsreflexionskoeffizient der Tunneldiode
​ Gehen Spannungsreflexionskoeffizient = (Impedanz-Tunneldiode-Charakteristische Impedanz)/(Impedanz-Tunneldiode+Charakteristische Impedanz)
Verstärkerverstärkung der Tunneldiode
​ Gehen Verstärkerverstärkung der Tunneldiode = Negativer Widerstand in der Tunneldiode/(Negativer Widerstand in der Tunneldiode-Lastwiderstand)
Verhältnis negativer Widerstand zu Reihenwiderstand
​ Gehen Verhältnis des negativen Widerstands zum Serienwiderstand = Äquivalenter negativer Widerstand/Gesamtserienwiderstand bei Leerlauffrequenz
Tunneldioden-Ausgangsleistung
​ Gehen Ausgangsleistung der Tunneldiode = (Spannungstunneldiode*Aktuelle Tunneldiode)/(2*pi)
Bandbreite mit dynamischem Qualitätsfaktor
​ Gehen Bandbreite = Dynamischer Q-Faktor/(Winkelfrequenz*Reihenwiderstand der Diode)
Dynamischer Q-Faktor
​ Gehen Dynamischer Q-Faktor = Bandbreite/(Winkelfrequenz*Reihenwiderstand der Diode)
Maximal angelegte Spannung über Diode
​ Gehen Maximal angelegte Spannung = Maximales elektrisches Feld*Erschöpfungslänge
Maximal angelegter Strom über die Diode
​ Gehen Maximal angelegter Strom = Maximal angelegte Spannung/Reaktive Impedanz
Reaktive Impedanz
​ Gehen Reaktive Impedanz = Maximal angelegte Spannung/Maximal angelegter Strom
Negative Leitfähigkeit der Tunneldiode
​ Gehen Tunneldiode mit negativem Leitwert = 1/(Negativer Widerstand in der Tunneldiode)
Größe des negativen Widerstands
​ Gehen Negativer Widerstand in der Tunneldiode = 1/(Tunneldiode mit negativem Leitwert)
Leistungsgewinn der Tunneldiode
​ Gehen Leistungsgewinn der Tunneldiode = Spannungsreflexionskoeffizient^2

Größe des negativen Widerstands Formel

Negativer Widerstand in der Tunneldiode = 1/(Tunneldiode mit negativem Leitwert)
Rn = 1/(gm)

Wie entsteht negativer Widerstand?

Aufgrund des Tunnelns ist der erzeugte Durchlassstrom hoch, wenn der Wert der Durchlassspannung niedrig ist. Es kann sowohl in Vorwärtsrichtung als auch in Sperrrichtung betrieben werden. Aufgrund der hohen Dotierung kann es in Sperrichtung betrieben werden. Aufgrund der Verringerung des Barrierenpotentials verringert sich auch der Wert der Sperrdurchbruchspannung. Er erreicht einen Wert von Null. Aufgrund dieser kleinen Sperrspannung kommt es zum Diodendurchbruch. Daher erzeugt dies einen Bereich mit negativem Widerstand.

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