Maximale Eingangsspannung für symmetrisches CMOS Taschenrechner

↳

Elektronik

Bürgerlich

Chemieingenieurwesen

Elektrisch

Elektronik und Instrumentierung

Fertigungstechnik

Materialwissenschaften

Mechanisch

⤿

CMOS-Wechselrichter

Array-Datenpfad-Subsystem

CMOS-Designmerkmale

CMOS-Leistungsmetriken

CMOS-Spezialsubsystem

CMOS-Verzögerungseigenschaften

CMOS-Zeiteigenschaften

Eigenschaften der CMOS-Schaltung

✖Die Versorgungsspannung des CMOS ist definiert als die Versorgungsspannung, die an den Source-Anschluss des PMOS angelegt wird.ⓘ Versorgungsspannung [V_DD]			+10% -10%
✖Schwellenspannung von NMOS ohne Body Bias CMOS ist definiert als die Schwellenspannung des NMOS, wenn der Substratanschluss auf Massespannung (0) liegt.ⓘ Schwellenspannung von NMOS ohne Body Bias [V_T0,n]			+10% -10%

✖Die maximale Eingangsspannung für symmetrisches CMOS ist als der maximale Eingangswert definiert, der im symmetrischen CMOS als logische „0“ interpretiert werden kann.ⓘ Maximale Eingangsspannung für symmetrisches CMOS [V_IL(sym)]

⎘ Kopie

👎

Formel

✖

Maximale Eingangsspannung für symmetrisches CMOS

Formel

`"V"_{"IL(sym)"} = (3*"V"_{"DD"}+2*"V"_{"T0,n"})/8`

Beispiel

`"1.3875V"=(3*"3.3V"+2*"0.6V")/8`

Taschenrechner

LaTeX

Rücksetzen

👍

Herunterladen CMOS-Design und Anwendungen Formel Pdf PDF Image

Maximale Eingangsspannung für symmetrisches CMOS Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Maximale Eingangsspannung = (3*Versorgungsspannung+2*Schwellenspannung von NMOS ohne Body Bias)/8
V_IL(sym) = (3*V_DD+2*V_T0,n)/8
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Maximale Eingangsspannung - (Gemessen in Volt) - Die maximale Eingangsspannung für symmetrisches CMOS ist als der maximale Eingangswert definiert, der im symmetrischen CMOS als logische „0“ interpretiert werden kann.
Versorgungsspannung - (Gemessen in Volt) - Die Versorgungsspannung des CMOS ist definiert als die Versorgungsspannung, die an den Source-Anschluss des PMOS angelegt wird.
Schwellenspannung von NMOS ohne Body Bias - (Gemessen in Volt) - Schwellenspannung von NMOS ohne Body Bias CMOS ist definiert als die Schwellenspannung des NMOS, wenn der Substratanschluss auf Massespannung (0) liegt.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Versorgungsspannung: 3.3 Volt --> 3.3 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Schwellenspannung von NMOS ohne Body Bias: 0.6 Volt --> 0.6 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

V_IL(sym) = (3*V_DD+2*V_T0,n)/8 --> (3*3.3+2*0.6)/8

Auswerten ... ...

V_IL(sym) = 1.3875

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

1.3875 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

1.3875 Volt <-- Maximale Eingangsspannung

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

Du bist da -

Zuhause » Maschinenbau » Elektronik » CMOS-Design und Anwendungen » CMOS-Wechselrichter » Maximale Eingangsspannung für symmetrisches CMOS

Credits

Erstellt von Priyanka Patel

Lalbhai Dalpatbhai College für Ingenieurwissenschaften (LDCE), Ahmedabad

Priyanka Patel hat diesen Rechner und 25+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Parminder Singh

Chandigarh-Universität (KU), Punjab

Parminder Singh hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner verifiziert!

< 17 CMOS-Wechselrichter Taschenrechner

Ausbreitungsverzögerung für Übergangs-CMOS von niedriger zu hoher Ausgangsleistung

Gehen Zeit für den Übergang der Ausgabe von niedrig nach hoch = (Ladekapazität/(Transkonduktanz von PMOS*(Versorgungsspannung-abs(Schwellenspannung von PMOS mit Body Bias))))*(((2*abs(Schwellenspannung von PMOS mit Body Bias))/(Versorgungsspannung-abs(Schwellenspannung von PMOS mit Body Bias)))+ln((4*(Versorgungsspannung-abs(Schwellenspannung von PMOS mit Body Bias))/Versorgungsspannung)-1))

Ausbreitungsverzögerung für CMOS mit Übergang von hoher zu niedriger Ausgangsleistung

Gehen Zeit für den Übergang der Ausgabe von hoch nach niedrig = (Ladekapazität/(Transkonduktanz von NMOS*(Versorgungsspannung-Schwellenspannung von NMOS mit Body Bias)))*((2*Schwellenspannung von NMOS mit Body Bias/(Versorgungsspannung-Schwellenspannung von NMOS mit Body Bias))+ln((4*(Versorgungsspannung-Schwellenspannung von NMOS mit Body Bias)/Versorgungsspannung)-1))

Widerstandslast, minimale Ausgangsspannung CMOS

Gehen Minimale Ausgangsspannung der ohmschen Last = Versorgungsspannung-Null-Vorspannungsschwellenspannung+(1/(Transkonduktanz von NMOS*Lastwiderstand))-sqrt((Versorgungsspannung-Null-Vorspannungsschwellenspannung+(1/(Transkonduktanz von NMOS*Lastwiderstand)))^2-(2*Versorgungsspannung/(Transkonduktanz von NMOS*Lastwiderstand)))

Maximale Eingangsspannung CMOS

Gehen Maximale Eingangsspannung CMOS = (2*Ausgangsspannung für maximalen Eingang+(Schwellenspannung von PMOS ohne Body Bias)-Versorgungsspannung+Transkonduktanzverhältnis*Schwellenspannung von NMOS ohne Body Bias)/(1+Transkonduktanzverhältnis)

Widerstandslast, minimale Eingangsspannung CMOS

Gehen Minimale Eingangsspannung der ohmschen Last = Null-Vorspannungsschwellenspannung+sqrt((8*Versorgungsspannung)/(3*Transkonduktanz von NMOS*Lastwiderstand))-(1/(Transkonduktanz von NMOS*Lastwiderstand))

Schwellenspannung CMOS

Gehen Grenzspannung = (Schwellenspannung von NMOS ohne Body Bias+sqrt(1/Transkonduktanzverhältnis)*(Versorgungsspannung+(Schwellenspannung von PMOS ohne Body Bias)))/(1+sqrt(1/Transkonduktanzverhältnis))

Minimale Eingangsspannung CMOS

Gehen Minimale Eingangsspannung = (Versorgungsspannung+(Schwellenspannung von PMOS ohne Body Bias)+Transkonduktanzverhältnis*(2*Ausgangsspannung+Schwellenspannung von NMOS ohne Body Bias))/(1+Transkonduktanzverhältnis)

Lastkapazität des kaskadierten Inverter-CMOS

Gehen Ladekapazität = Gate-Drain-Kapazität von PMOS+Gate-Drain-Kapazität von NMOS+Entleeren Sie die Massenkapazität des PMOS+Entleeren Sie die Massenkapazität von NMOS+Interne Kapazität+Gate-Kapazität

Von der Stromversorgung gelieferte Energie

Gehen Von der Stromversorgung gelieferte Energie = int(Versorgungsspannung*Momentaner Drainstrom*x,x,0,Ladeintervall des Kondensators)

Durchschnittliche Ausbreitungsverzögerung CMOS

Gehen Durchschnittliche Ausbreitungsverzögerung = (Zeit für den Übergang der Ausgabe von hoch nach niedrig+Zeit für den Übergang der Ausgabe von niedrig nach hoch)/2

Widerstandslast Maximale Eingangsspannung CMOS

Gehen Widerstandslast Maximale Eingangsspannung CMOS = Null-Vorspannungsschwellenspannung+(1/(Transkonduktanz von NMOS*Lastwiderstand))

Durchschnittliche Verlustleistung CMOS

Gehen Durchschnittliche Verlustleistung = Ladekapazität*(Versorgungsspannung)^2*Frequenz

Schwingungsperiode Ringoszillator CMOS

Gehen Schwingungsperiode = 2*Anzahl der Stufen des Ringoszillators*Durchschnittliche Ausbreitungsverzögerung

Maximale Eingangsspannung für symmetrisches CMOS

Gehen Maximale Eingangsspannung = (3*Versorgungsspannung+2*Schwellenspannung von NMOS ohne Body Bias)/8

Minimale Eingangsspannung für symmetrisches CMOS

Gehen Minimale Eingangsspannung = (5*Versorgungsspannung-2*Schwellenspannung von NMOS ohne Body Bias)/8

Rauschmarge für Hochsignal-CMOS

Gehen Rauschmarge für hohes Signal = Maximale Ausgangsspannung-Minimale Eingangsspannung

Transkonduktanzverhältnis CMOS

Gehen Transkonduktanzverhältnis = Transkonduktanz von NMOS/Transkonduktanz von PMOS

Maximale Eingangsspannung für symmetrisches CMOS Formel

Maximale Eingangsspannung = (3*Versorgungsspannung+2*Schwellenspannung von NMOS ohne Body Bias)/8
V_IL(sym) = (3*V_DD+2*V_T0,n)/8

Zuhause

FREI PDFs

🔍 Suche

Kategorien

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!