Taschenrechner Erstellt von Priyanka Patel

CMOS-Wechselrichter (16)

Erstellt Ausbreitungsverzögerung für CMOS mit Übergang von hoher zu niedriger Ausgangsleistung

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Erstellt Ausbreitungsverzögerung für Übergangs-CMOS von niedriger zu hoher Ausgangsleistung

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Erstellt Durchschnittliche Ausbreitungsverzögerung CMOS

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Erstellt Durchschnittliche Verlustleistung CMOS

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Erstellt Lastkapazität des kaskadierten Inverter-CMOS

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Erstellt Maximale Eingangsspannung CMOS

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Erstellt Maximale Eingangsspannung für symmetrisches CMOS

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Erstellt Minimale Eingangsspannung CMOS

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Erstellt Minimale Eingangsspannung für symmetrisches CMOS

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Erstellt Rauschmarge für Hochsignal-CMOS

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Erstellt Schwellenspannung CMOS

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Erstellt Schwingungsperiode Ringoszillator CMOS

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Erstellt Transkonduktanzverhältnis CMOS

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Erstellt Widerstandslast Maximale Eingangsspannung CMOS

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Erstellt Widerstandslast, minimale Ausgangsspannung CMOS

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Erstellt Widerstandslast, minimale Eingangsspannung CMOS

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1 Weitere CMOS-Wechselrichter Taschenrechner

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Elektromagnetische Strahlung und Antennen (1)

Verifiziert Polarisation

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16 Weitere Elektromagnetische Strahlung und Antennen Taschenrechner

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Glasfaserparameter (10)

Verifiziert Anzahl der Mischprodukte beim Vierwellenmischen

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Verifiziert Brechungsindex des Materials bei gegebener optischer Leistung

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Verifiziert Faserlänge bei gegebener Zeitdifferenz

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Verifiziert Gesamtsystemanstiegszeit

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Verifiziert Leistungseinbußen aufgrund chromatischer Dispersion

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Verifiziert Maximale Nennkanalleistung

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Verifiziert Reflektierte Kraft

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Verifiziert Totale Streuung

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Verifiziert Träger-Rausch-Verhältnis

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Verifiziert Viertes Intermodulationsprodukt beim Vierwellenmischen

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Magnetische Kräfte und Materialien (8)

Verifiziert Interne Induktivität eines langen geraden Drahtes

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Verifiziert Magnetische Flussdichte anhand der magnetischen Feldstärke und Magnetisierung

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Verifiziert Magnetische Flussdichte im freien Raum

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Verifiziert Magnetische Kraft durch Lorentz-Kraftgleichung

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Verifiziert Magnetische Suszeptibilität unter Verwendung der relativen Permeabilität

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Verifiziert Magnetisierung mittels magnetischer Feldstärke und magnetischer Flussdichte

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Verifiziert Magnetomotorische Kraft bei Reluktanz und magnetischem Fluss

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Verifiziert Widerstand des zylindrischen Leiters

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12 Weitere Magnetische Kräfte und Materialien Taschenrechner

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VLSI-Materialoptimierung (23)

Erstellt Akzeptorkonzentration nach vollständiger Skalierung von VLSI

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Erstellt Anschluss integrierte Spannung VLSI

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Erstellt Drainstrom nach Spannungsskalierung VLSI

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Erstellt Drainstrom nach vollständiger Skalierung von VLSI

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Erstellt Gate-Oxiddicke nach vollständiger Skalierung von VLSI

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Erstellt Kanalbreite nach vollständiger Skalierung von VLSI

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Erstellt Kanallänge nach vollständiger Skalierung VLSI

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Erstellt Kurzkanal-Sättigungsstrom VLSI

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Erstellt Kurzkanal-Schwellenspannung VLSI

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Erstellt Kurzkanal-Schwellenspannungsreduzierung VLSI

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Erstellt Ladungsdichte der Bulk-Depletion-Region (VLSI).

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Erstellt Leistungsdichte nach Spannungsskalierung VLSI

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Erstellt Oxidkapazität nach Spannungsskalierung VLSI

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Erstellt Oxidkapazität nach vollständiger Skalierung von VLSI

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Erstellt PN-Junction-Verarmungstiefe mit Quell-VLSI

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Erstellt PN-Verbindungsverarmungstiefe mit Drain-VLSI

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Erstellt Schmalkanal-Schwellenspannung VLSI

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Erstellt Schwellenspannung nach vollständiger Skalierung von VLSI

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Erstellt Spenderkonzentration nach vollständiger Skalierung des VLSI

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Erstellt Verbindungstiefe nach vollständiger Skalierung von VLSI

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Erstellt Verlustleistung nach Spannungsskalierung VLSI

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Erstellt Versorgungsspannung nach vollständiger Skalierung von VLSI

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Erstellt Zusätzliche Schwellenspannung für schmalen Kanal VLSI

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16 Weitere VLSI-Materialoptimierung Taschenrechner

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Taschenrechner Erstellt von Priyanka Patel

Liste der Taschenrechner von Priyanka Patel