Maximal niedrige Eingangsspannung Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Maximal niedrige Eingangsspannung = Geringer Rauschabstand+Maximal niedrige Ausgangsspannung
Vil = NL+Vol
Diese formel verwendet 3 Variablen
Verwendete Variablen
Maximal niedrige Eingangsspannung - (Gemessen in Volt) - Die maximale niedrige Eingangsspannung ist definiert als die maximale Eingangsspannung, wenn die Logik im CMOS niedrig ist.
Geringer Rauschabstand - (Gemessen in Volt) - Die Rauschunterdrückungsmarge ist der Toleranzbereich für logisch niedrige Signale auf dem Kabel.
Maximal niedrige Ausgangsspannung - (Gemessen in Volt) - Die maximale niedrige Ausgangsspannung ist als die maximale Ausgangsspannung definiert, wenn die CMOS-Logik niedrig ist.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Geringer Rauschabstand: 14.65 Volt --> 14.65 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Maximal niedrige Ausgangsspannung: 5.35 Volt --> 5.35 Volt Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Vil = NL+Vol --> 14.65+5.35
Auswerten ... ...
Vil = 20
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
20 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
20 Volt <-- Maximal niedrige Eingangsspannung
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Erstellt von Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

16 Analoges VLSI-Design Taschenrechner

Potenzial zwischen Quelle und Körper
Gehen Potenzialdifferenz des Quellkörpers = Oberflächenpotential/(2*ln(Akzeptorkonzentration/Intrinsische Konzentration))
Drain Voltage
Gehen Basiskollektorspannung = sqrt(Dynamische Kraft/(Frequenz*Kapazität))
Gate-zu-Basis-Kapazität
Gehen Gate-zu-Basis-Kapazität = Gate-Kapazität-(Gate-Source-Kapazität+Gate-to-Drain-Kapazität)
Gate-to-Drain-Kapazität
Gehen Gate-to-Drain-Kapazität = Gate-Kapazität-(Gate-zu-Basis-Kapazität+Gate-Source-Kapazität)
Gate-Source-Kapazität
Gehen Gate-Source-Kapazität = Gate-Kapazität-(Gate-zu-Basis-Kapazität+Gate-to-Drain-Kapazität)
Potenzial von Drain zu Source
Gehen Drain-to-Source-Potenzial = (Schwellenspannung DIBL-Grenzspannung)/DIBL-Koeffizient
Gate-zu-Kanal-Spannung
Gehen Gate-zu-Kanal-Spannung = (Kanalgebühr/Gate-Kapazität)+Grenzspannung
Maximale niedrige Ausgangsspannung
Gehen Maximal niedrige Ausgangsspannung = Maximal niedrige Eingangsspannung-Geringer Rauschabstand
Maximal niedrige Eingangsspannung
Gehen Maximal niedrige Eingangsspannung = Geringer Rauschabstand+Maximal niedrige Ausgangsspannung
Geringer Rauschabstand
Gehen Geringer Rauschabstand = Maximal niedrige Eingangsspannung-Maximal niedrige Ausgangsspannung
Minimale hohe Ausgangsspannung
Gehen Minimale hohe Ausgangsspannung = Hoher Rauschabstand+Minimale hohe Eingangsspannung
Minimale hohe Eingangsspannung
Gehen Minimale hohe Eingangsspannung = Minimale hohe Ausgangsspannung-Hoher Rauschabstand
Hoher Rauschabstand
Gehen Hoher Rauschabstand = Minimale hohe Ausgangsspannung-Minimale hohe Eingangsspannung
Tor zur Ableitung von Potenzial
Gehen Tor zur Potenzialentwässerung = 2*Gate-zu-Kanal-Spannung-Tor-zu-Quelle-Potenzial
Gate-to-Collector-Potenzial
Gehen Gate-zu-Kanal-Spannung = (Tor-zu-Quelle-Potenzial+Tor zur Potenzialentwässerung)/2
Tor-zu-Quelle-Potenzial
Gehen Tor-zu-Quelle-Potenzial = 2*Gate-zu-Kanal-Spannung-Tor zur Potenzialentwässerung

Maximal niedrige Eingangsspannung Formel

Maximal niedrige Eingangsspannung = Geringer Rauschabstand+Maximal niedrige Ausgangsspannung
Vil = NL+Vol

Was ist die Rauschgrenze?

Der Rauschabstand ist die Menge an Rauschen, der eine CMOS-Schaltung standhalten könnte, ohne den Betrieb der Schaltung zu beeinträchtigen. Der Rauschabstand stellt sicher, dass jedes Signal, das logisch „1“ mit hinzugefügtem endlichem Rauschen ist, immer noch als logisch „1“ und nicht als logisch „0“ erkannt wird.

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