MOSFET als linearer Widerstand Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Linearer Widerstand = 1/Leitfähigkeit des Kanals
Rds = 1/G
Diese formel verwendet 2 Variablen
Verwendete Variablen
Linearer Widerstand - (Gemessen in Ohm) - Linearer Widerstand, die Größe des Widerstands oder Widerstands ist direkt proportional zur Menge des durch ihn fließenden Stroms, wie durch das Ohmsche Gesetz beschrieben.
Leitfähigkeit des Kanals - (Gemessen in Siemens) - Der Leitwert eines Kanals wird typischerweise als das Verhältnis des durch den Kanal fließenden Stroms zur Spannung an ihm definiert.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Leitfähigkeit des Kanals: 6 Millisiemens --> 0.006 Siemens (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Rds = 1/G --> 1/0.006
Auswerten ... ...
Rds = 166.666666666667
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
166.666666666667 Ohm -->0.166666666666667 Kiloohm (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
0.166666666666667 0.166667 Kiloohm <-- Linearer Widerstand
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

14 Widerstand Taschenrechner

MOSFET als linearer Widerstand bei gegebenem Seitenverhältnis
​ Gehen Linearer Widerstand = Kanallänge/(Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Oxidkapazität*Kanalbreite*Effektive Spannung)
Ausgangswiderstand des Differenzverstärkers
​ Gehen Ausgangswiderstand = ((Gleichtakt-Eingangssignal*Steilheit)-Gesamtstrom)/(2*Steilheit*Gesamtstrom)
Eingangswiderstand des Mosfet
​ Gehen Eingangswiderstand = Eingangsspannung/(Kollektorstrom*Kleinsignal-Stromverstärkung)
Endlicher Widerstand zwischen Drain und Source
​ Gehen Endlicher Widerstand = modulus(Positive Gleichspannung)/Stromverbrauch
Mittlerer freier Elektronenweg
​ Gehen Mittlerer freier Elektronenweg = 1/(Ausgangswiderstand*Stromverbrauch)
Ausgangswiderstand entleeren
​ Gehen Ausgangswiderstand = 1/(Mittlerer freier Elektronenweg*Stromverbrauch)
Ausgangswiderstand bei Kanallängenmodulation
​ Gehen Ausgangswiderstand = 1/(Kanallängenmodulation*Stromverbrauch)
Eingangswiderstand bei gegebener Transkonduktanz
​ Gehen Eingangswiderstand = Kleinsignal-Stromverstärkung/Steilheit
Spannungsabhängiger Widerstand im MOSFET
​ Gehen Endlicher Widerstand = Effektive Spannung/Stromverbrauch
Ausgangswiderstand bei gegebener Transkonduktanz
​ Gehen Ausgangswiderstand = 1/(Trägermobilität*Steilheit)
Ausgangswiderstand des Mosfet
​ Gehen Ausgangswiderstand = Frühe Spannung/Kollektorstrom
Kleinsignal-Eingangswiderstand
​ Gehen Eingangswiderstand = Eingangsspannung/Basisstrom
Leitfähigkeit im linearen Widerstand des MOSFET
​ Gehen Leitfähigkeit des Kanals = 1/Linearer Widerstand
MOSFET als linearer Widerstand
​ Gehen Linearer Widerstand = 1/Leitfähigkeit des Kanals

MOSFET als linearer Widerstand Formel

Linearer Widerstand = 1/Leitfähigkeit des Kanals
Rds = 1/G

Was ist die Bedingung, um den MOSFET als linearen Widerstand zu verwenden?

Wenn Sie die Gate-Spannung langsam erhöhen, beginnt der MOSFET langsam zu leiten, indem er in den linearen Bereich eintritt, in dem er beginnt, eine Spannung über ihm zu entwickeln, die wir V nennen

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