Rauschzahl des Doppelseitenbandes Taschenrechner

✖Die Diodentemperatur ist das Maß für die Wärme, die in der Diode vorzugsweise in einer Richtung fließen soll.ⓘ Diodentemperatur [T_d]			+10% -10%
✖Der Diodenwiderstand kann als der effektive Widerstand definiert werden, den die Diode dem Stromfluss entgegensetzt.ⓘ Diodenwiderstand [R_d]			+10% -10%
✖Der Ausgangswiderstand des Signalgenerators ist ein wichtiger Betriebsparameter, der den Signalgenerator zur Stromerzeugung steuert, wenn er als Stromquelle verwendet wird.ⓘ Ausgangswiderstand des Signalgenerators [R_g]			+10% -10%
✖Umgebungstemperatur ist die Umgebungstemperatur.ⓘ Umgebungstemperatur [T₀]			+10% -10%

✖Rauschzahl des Doppelseitenbands in Dezibel (dB) zwischen der Rauschausgabe des tatsächlichen Empfängers und der Rauschausgabe eines „idealen“ Empfängers mit der gleichen Gesamtverstärkung und Bandbreite.ⓘ Rauschzahl des Doppelseitenbandes [F_dsb]

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Formel

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Rauschzahl des Doppelseitenbandes

Formel

`"F"_{"dsb"} = 1+(("T"_{"d"}*"R"_{"d"})/("R"_{"g"}*"T"_{"0"}))`

Beispiel

`"7.151515dB"=1+(("290K"*"210Ω")/("33Ω"*"300K"))`

Taschenrechner

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Rauschzahl des Doppelseitenbandes Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Rauschzahl des Doppelseitenbandes = 1+((Diodentemperatur*Diodenwiderstand)/(Ausgangswiderstand des Signalgenerators*Umgebungstemperatur))
F_dsb = 1+((T_d*R_d)/(R_g*T₀))
Diese formel verwendet 5 Variablen

Verwendete Variablen

Rauschzahl des Doppelseitenbandes - (Gemessen in Dezibel) - Rauschzahl des Doppelseitenbands in Dezibel (dB) zwischen der Rauschausgabe des tatsächlichen Empfängers und der Rauschausgabe eines „idealen“ Empfängers mit der gleichen Gesamtverstärkung und Bandbreite.
Diodentemperatur - (Gemessen in Kelvin) - Die Diodentemperatur ist das Maß für die Wärme, die in der Diode vorzugsweise in einer Richtung fließen soll.
Diodenwiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Diodenwiderstand kann als der effektive Widerstand definiert werden, den die Diode dem Stromfluss entgegensetzt.
Ausgangswiderstand des Signalgenerators - (Gemessen in Ohm) - Der Ausgangswiderstand des Signalgenerators ist ein wichtiger Betriebsparameter, der den Signalgenerator zur Stromerzeugung steuert, wenn er als Stromquelle verwendet wird.
Umgebungstemperatur - (Gemessen in Kelvin) - Umgebungstemperatur ist die Umgebungstemperatur.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Diodentemperatur: 290 Kelvin --> 290 Kelvin Keine Konvertierung erforderlich
Diodenwiderstand: 210 Ohm --> 210 Ohm Keine Konvertierung erforderlich
Ausgangswiderstand des Signalgenerators: 33 Ohm --> 33 Ohm Keine Konvertierung erforderlich
Umgebungstemperatur: 300 Kelvin --> 300 Kelvin Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

F_dsb = 1+((T_d*R_d)/(R_g*T₀)) --> 1+((290*210)/(33*300))

Auswerten ... ...

F_dsb = 7.15151515151515

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

7.15151515151515 Dezibel --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

7.15151515151515 ≈ 7.151515 Dezibel <-- Rauschzahl des Doppelseitenbandes

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Zimmertemperatur

Gehen Umgebungstemperatur = (2*Diodentemperatur*((1/(Kopplungskoeffizient*Q-Faktor))+(1/((Kopplungskoeffizient*Q-Faktor)^2))))/(Rauschzahl des Aufwärtswandlers-1)

Durchschnittliche Diodentemperatur unter Verwendung von Einseitenbandrauschen

Gehen Diodentemperatur = (Rauschzahl des Einseitenbands-2)*((Ausgangswiderstand des Signalgenerators*Umgebungstemperatur)/(2*Diodenwiderstand))

Rauschzahl des Doppelseitenbandes

Gehen Rauschzahl des Doppelseitenbandes = 1+((Diodentemperatur*Diodenwiderstand)/(Ausgangswiderstand des Signalgenerators*Umgebungstemperatur))

Rauschzahl des Einseitenbands

Gehen Rauschzahl des Einseitenbands = 2+((2*Diodentemperatur*Diodenwiderstand)/(Ausgangswiderstand des Signalgenerators*Umgebungstemperatur))

Spannungsreflexionskoeffizient der Tunneldiode

Gehen Spannungsreflexionskoeffizient = (Impedanz-Tunneldiode-Charakteristische Impedanz)/(Impedanz-Tunneldiode+Charakteristische Impedanz)

Verstärkerverstärkung der Tunneldiode

Gehen Verstärkerverstärkung der Tunneldiode = Negativer Widerstand in der Tunneldiode/(Negativer Widerstand in der Tunneldiode-Lastwiderstand)

Verhältnis negativer Widerstand zu Reihenwiderstand

Gehen Verhältnis des negativen Widerstands zum Serienwiderstand = Äquivalenter negativer Widerstand/Gesamtserienwiderstand bei Leerlauffrequenz

Tunneldioden-Ausgangsleistung

Gehen Ausgangsleistung der Tunneldiode = (Spannungstunneldiode*Aktuelle Tunneldiode)/(2*pi)

Bandbreite mit dynamischem Qualitätsfaktor

Gehen Bandbreite = Dynamischer Q-Faktor/(Winkelfrequenz*Reihenwiderstand der Diode)

Dynamischer Q-Faktor

Gehen Dynamischer Q-Faktor = Bandbreite/(Winkelfrequenz*Reihenwiderstand der Diode)

Maximal angelegte Spannung über Diode

Gehen Maximal angelegte Spannung = Maximales elektrisches Feld*Erschöpfungslänge

Maximal angelegter Strom über die Diode

Gehen Maximal angelegter Strom = Maximal angelegte Spannung/Reaktive Impedanz

Reaktive Impedanz

Gehen Reaktive Impedanz = Maximal angelegte Spannung/Maximal angelegter Strom

Negative Leitfähigkeit der Tunneldiode

Gehen Tunneldiode mit negativem Leitwert = 1/(Negativer Widerstand in der Tunneldiode)

Größe des negativen Widerstands

Gehen Negativer Widerstand in der Tunneldiode = 1/(Tunneldiode mit negativem Leitwert)

Leistungsgewinn der Tunneldiode

Gehen Leistungsgewinn der Tunneldiode = Spannungsreflexionskoeffizient^2

Rauschzahl des Doppelseitenbandes Formel

Rauschzahl des Doppelseitenbandes = 1+((Diodentemperatur*Diodenwiderstand)/(Ausgangswiderstand des Signalgenerators*Umgebungstemperatur))
F_dsb = 1+((T_d*R_d)/(R_g*T₀))

Was ist ein Homo-Junction-Transistor?

Wenn der Transistorübergang durch zwei ähnliche Materialien wie Silizium-zu-Silizium oder Germanium-zu-Germanium verbunden ist, wird er als Homo-Übergangstransistor bezeichnet.

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