Leerlaufzeitkonstante zwischen Gate und Drain des Verstärkers mit gemeinsamem Gate Taschenrechner

✖Die Kapazität ist das Verhältnis der auf einem Leiter gespeicherten elektrischen Ladungsmenge zu einer elektrischen Potenzialdifferenz.ⓘ Kapazität [C_t]			+10% -10%
✖Die Gate-Drain-Kapazität ist definiert als die Kapazität, die zwischen Gate und Drain der MOSFET-Verbindung beobachtet wird.ⓘ Gate-to-Drain-Kapazität [C_gd]			+10% -10%
✖Der Lastwiderstand ist der kumulative Widerstand eines Stromkreises, gemessen an der Spannung, dem Strom oder der Stromquelle, die diesen Stromkreis antreibt.ⓘ Lastwiderstand [R_L]			+10% -10%

✖Die Leerlaufzeitkonstante ist eine Näherungsanalysetechnik, die beim Entwurf elektronischer Schaltkreise verwendet wird, um die Eckfrequenz komplexer Schaltkreise zu bestimmen.ⓘ Leerlaufzeitkonstante zwischen Gate und Drain des Verstärkers mit gemeinsamem Gate [T_oc]

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Formel

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Leerlaufzeitkonstante zwischen Gate und Drain des Verstärkers mit gemeinsamem Gate

Formel

`"T"_{"oc"} = ("C"_{"t"}+"C"_{"gd"})*"R"_{"L"}`

Beispiel

`"0.006309s"=("2.889μF"+"1.345μF")*"1.49kΩ"`

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Leerlaufzeitkonstante zwischen Gate und Drain des Verstärkers mit gemeinsamem Gate Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Zeitkonstante des offenen Stromkreises = (Kapazität+Gate-to-Drain-Kapazität)*Lastwiderstand
T_oc = (C_t+C_gd)*R_L
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Zeitkonstante des offenen Stromkreises - (Gemessen in Zweite) - Die Leerlaufzeitkonstante ist eine Näherungsanalysetechnik, die beim Entwurf elektronischer Schaltkreise verwendet wird, um die Eckfrequenz komplexer Schaltkreise zu bestimmen.
Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Kapazität ist das Verhältnis der auf einem Leiter gespeicherten elektrischen Ladungsmenge zu einer elektrischen Potenzialdifferenz.
Gate-to-Drain-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Gate-Drain-Kapazität ist definiert als die Kapazität, die zwischen Gate und Drain der MOSFET-Verbindung beobachtet wird.
Lastwiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Lastwiderstand ist der kumulative Widerstand eines Stromkreises, gemessen an der Spannung, dem Strom oder der Stromquelle, die diesen Stromkreis antreibt.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Kapazität: 2.889 Mikrofarad --> 2.889E-06 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Gate-to-Drain-Kapazität: 1.345 Mikrofarad --> 1.345E-06 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Lastwiderstand: 1.49 Kiloohm --> 1490 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

T_oc = (C_t+C_gd)*R_L --> (2.889E-06+1.345E-06)*1490

Auswerten ... ...

T_oc = 0.00630866

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.00630866 Zweite --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.00630866 ≈ 0.006309 Zweite <-- Zeitkonstante des offenen Stromkreises

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Anshika Arya

Nationales Institut für Technologie (NIT), Hamirpur

Anshika Arya hat diesen Rechner und 2500+ weitere Rechner verifiziert!

< 6 Reaktion des CG-Verstärkers Taschenrechner

Leerlaufzeitkonstante im Hochfrequenzgang des CG-Verstärkers

Gehen Zeitkonstante des offenen Stromkreises = Gate-Source-Kapazität*(1/Signalwiderstand+Transkonduktanz)+(Kapazität+Gate-to-Drain-Kapazität)*Lastwiderstand

Eingangswiderstand des CG-Verstärkers

Gehen Widerstand = (Endlicher Eingangswiderstand+Lastwiderstand)/(1+(Transkonduktanz*Endlicher Eingangswiderstand))

Lastwiderstand des CG-Verstärkers

Gehen Lastwiderstand = Widerstand*(1+(Transkonduktanz*Endlicher Eingangswiderstand))-Endlicher Eingangswiderstand

Zweite Polfrequenz des CG-Verstärkers

Gehen Zweite Polfrequenz = 1/(2*pi*Lastwiderstand*(Gate-to-Drain-Kapazität+Kapazität))

Leerlaufzeitkonstante zwischen Gate und Drain des Verstärkers mit gemeinsamem Gate

Gehen Zeitkonstante des offenen Stromkreises = (Kapazität+Gate-to-Drain-Kapazität)*Lastwiderstand

Widerstand zwischen Gate und Source des CG-Verstärkers

Gehen Widerstand = 1/(1/Endlicher Eingangswiderstand+1/Signalwiderstand)

< 25 Gängige Bühnenverstärker Taschenrechner

Effektive Hochfrequenz-Zeitkonstante des CE-Verstärkers

Gehen Effektive Hochfrequenz-Zeitkonstante = Basis-Emitter-Kapazität*Signalwiderstand+(Kollektor-Basis-Verbindungskapazität*(Signalwiderstand*(1+Transkonduktanz*Lastwiderstand)+Lastwiderstand))+(Kapazität*Lastwiderstand)

Hochfrequenzband bei gegebener komplexer Frequenzvariable

Gehen Verstärkerverstärkung im Mittelband = sqrt(((1+(3 dB Frequenz/Frequenz))*(1+(3 dB Frequenz/Beobachtete Häufigkeit)))/((1+(3 dB Frequenz/Polfrequenz))*(1+(3 dB Frequenz/Zweite Polfrequenz))))

Leerlaufzeitkonstante im Hochfrequenzgang des CG-Verstärkers

Gehen Zeitkonstante des offenen Stromkreises = Gate-Source-Kapazität*(1/Signalwiderstand+Transkonduktanz)+(Kapazität+Gate-to-Drain-Kapazität)*Lastwiderstand

Prüfstrom im Leerlaufzeitkonstantenverfahren des CS-Verstärkers

Gehen Teststrom = Transkonduktanz*Gate-Source-Spannung+(Prüfspannung+Gate-Source-Spannung)/Lastwiderstand

Eingangskapazität in der Hochfrequenzverstärkung des CE-Verstärkers

Gehen Eingangskapazität = Kollektor-Basis-Verbindungskapazität+Basis-Emitter-Kapazität*(1+(Transkonduktanz*Lastwiderstand))

Eingangswiderstand des CG-Verstärkers

Gehen Widerstand = (Endlicher Eingangswiderstand+Lastwiderstand)/(1+(Transkonduktanz*Endlicher Eingangswiderstand))

Lastwiderstand des CG-Verstärkers

Gehen Lastwiderstand = Widerstand*(1+(Transkonduktanz*Endlicher Eingangswiderstand))-Endlicher Eingangswiderstand

Kollektor-Basis-Verbindungswiderstand des CE-Verstärkers

Gehen Sammlerwiderstand = Signalwiderstand*(1+Transkonduktanz*Lastwiderstand)+Lastwiderstand

Leerlaufzeitkonstante zwischen Gate und Drain des Verstärkers mit gemeinsamem Gate

Gehen Zeitkonstante des offenen Stromkreises = (Kapazität+Gate-to-Drain-Kapazität)*Lastwiderstand

Lastwiderstand des CS-Verstärkers

Gehen Lastwiderstand = (Ausgangsspannung/(Transkonduktanz*Gate-Source-Spannung))

Ausgangsspannung des CS-Verstärkers

Gehen Ausgangsspannung = Transkonduktanz*Gate-Source-Spannung*Lastwiderstand

Hochfrequenzgang bei gegebener Eingangskapazität

Gehen Hochfrequenzgang = 1/(2*pi*Signalwiderstand*Eingangskapazität)

Äquivalenter Signalwiderstand des CS-Verstärkers

Gehen Interner Kleinsignalwiderstand = 1/((1/Signalwiderstand+1/Ausgangswiderstand))

Widerstand zwischen Gate und Source des CG-Verstärkers

Gehen Widerstand = 1/(1/Endlicher Eingangswiderstand+1/Signalwiderstand)

Frequenz der Nullübertragung des CS-Verstärkers

Gehen Übertragungsfrequenz = 1/(Bypass-Kondensator*Signalwiderstand)

Mittelbandverstärkung des CS-Verstärkers

Gehen Mittelbandverstärkung = Ausgangsspannung/Kleine Signalspannung

Bypass-Kapazität des CS-Verstärkers

Gehen Bypass-Kondensator = 1/(Übertragungsfrequenz*Signalwiderstand)

Mittelbandverstärkung des CE-Verstärkers

Gehen Mittelbandverstärkung = Ausgangsspannung/Grenzspannung

Aktuelle Verstärkung des CS-Verstärkers

Gehen Aktueller Gewinn = Kraftgewinn/Spannungsverstärkung

Drain-Spannung durch Methode der Open-Circuit-Zeitkonstanten zum CS-Verstärker

Gehen Drain-Spannung = Prüfspannung+Gate-Source-Spannung

Verstärkerbandbreite in einem Verstärker mit diskreter Schaltung

Gehen Verstärkerbandbreite = Hochfrequenz-Niederfrequenz

Quellspannung des CS-Verstärkers

Gehen Gate-Source-Spannung = Drain-Spannung-Prüfspannung

Hochfrequenzverstärkung des CE-Verstärkers

Gehen Hochfrequenzgang = Obere 3-dB-Frequenz/(2*pi)

Obere 3-dB-Frequenz des CE-Verstärkers

Gehen Obere 3-dB-Frequenz = 2*pi*Hochfrequenzgang

Widerstand zwischen Gate und Drain im Leerlauf Zeitkonstantenmethode des CS-Verstärkers

Gehen Widerstand = Prüfspannung/Teststrom

Leerlaufzeitkonstante zwischen Gate und Drain des Verstärkers mit gemeinsamem Gate Formel

Zeitkonstante des offenen Stromkreises = (Kapazität+Gate-to-Drain-Kapazität)*Lastwiderstand
T_oc = (C_t+C_gd)*R_L

Was ist ein CG-Verstärker?

In der Elektronik ist ein Common-Gate-Verstärker eine von drei grundlegenden einstufigen Feldeffekttransistor (FET) -Verstärker-Topologien, die typischerweise als Strompuffer oder Spannungsverstärker verwendet werden. In dieser Schaltung dient der Source-Anschluss des Transistors als Eingang, der Drain ist der Ausgang und das Gate ist mit Masse verbunden oder "gemeinsam", daher der Name. Die analoge Bipolartransistorschaltung ist der Common-Base-Verstärker.

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