Leistungsgewinn der Tunneldiode Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Leistungsgewinn der Tunneldiode = Spannungsreflexionskoeffizient^2
gain = Γ^2
Diese formel verwendet 2 Variablen
Verwendete Variablen
Leistungsgewinn der Tunneldiode - (Gemessen in Dezibel) - Die Leistungsverstärkung der Tunneldiode hängt von der Schaltungskonfiguration und dem Arbeitspunkt der Diode ab.
Spannungsreflexionskoeffizient - Der Spannungsreflexionskoeffizient hängt von der Lastimpedanz und der Impedanz der Übertragungsleitung oder des Stromkreises ab, mit dem sie verbunden ist.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Spannungsreflexionskoeffizient: 0.13 --> Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
gain = Γ^2 --> 0.13^2
Auswerten ... ...
gain = 0.0169
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
0.0169 Dezibel --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
0.0169 Dezibel <-- Leistungsgewinn der Tunneldiode
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

16 Nichtlineare Schaltungen Taschenrechner

Zimmertemperatur
​ Gehen Umgebungstemperatur = (2*Diodentemperatur*((1/(Kopplungskoeffizient*Q-Faktor))+(1/((Kopplungskoeffizient*Q-Faktor)^2))))/(Rauschzahl des Aufwärtswandlers-1)
Durchschnittliche Diodentemperatur unter Verwendung von Einseitenbandrauschen
​ Gehen Diodentemperatur = (Rauschzahl des Einseitenbands-2)*((Ausgangswiderstand des Signalgenerators*Umgebungstemperatur)/(2*Diodenwiderstand))
Rauschzahl des Doppelseitenbandes
​ Gehen Rauschzahl des Doppelseitenbandes = 1+((Diodentemperatur*Diodenwiderstand)/(Ausgangswiderstand des Signalgenerators*Umgebungstemperatur))
Rauschzahl des Einseitenbands
​ Gehen Rauschzahl des Einseitenbands = 2+((2*Diodentemperatur*Diodenwiderstand)/(Ausgangswiderstand des Signalgenerators*Umgebungstemperatur))
Spannungsreflexionskoeffizient der Tunneldiode
​ Gehen Spannungsreflexionskoeffizient = (Impedanz-Tunneldiode-Charakteristische Impedanz)/(Impedanz-Tunneldiode+Charakteristische Impedanz)
Verstärkerverstärkung der Tunneldiode
​ Gehen Verstärkerverstärkung der Tunneldiode = Negativer Widerstand in der Tunneldiode/(Negativer Widerstand in der Tunneldiode-Lastwiderstand)
Verhältnis negativer Widerstand zu Reihenwiderstand
​ Gehen Verhältnis des negativen Widerstands zum Serienwiderstand = Äquivalenter negativer Widerstand/Gesamtserienwiderstand bei Leerlauffrequenz
Tunneldioden-Ausgangsleistung
​ Gehen Ausgangsleistung der Tunneldiode = (Spannungstunneldiode*Aktuelle Tunneldiode)/(2*pi)
Bandbreite mit dynamischem Qualitätsfaktor
​ Gehen Bandbreite = Dynamischer Q-Faktor/(Winkelfrequenz*Reihenwiderstand der Diode)
Dynamischer Q-Faktor
​ Gehen Dynamischer Q-Faktor = Bandbreite/(Winkelfrequenz*Reihenwiderstand der Diode)
Maximal angelegte Spannung über Diode
​ Gehen Maximal angelegte Spannung = Maximales elektrisches Feld*Erschöpfungslänge
Maximal angelegter Strom über die Diode
​ Gehen Maximal angelegter Strom = Maximal angelegte Spannung/Reaktive Impedanz
Reaktive Impedanz
​ Gehen Reaktive Impedanz = Maximal angelegte Spannung/Maximal angelegter Strom
Negative Leitfähigkeit der Tunneldiode
​ Gehen Tunneldiode mit negativem Leitwert = 1/(Negativer Widerstand in der Tunneldiode)
Größe des negativen Widerstands
​ Gehen Negativer Widerstand in der Tunneldiode = 1/(Tunneldiode mit negativem Leitwert)
Leistungsgewinn der Tunneldiode
​ Gehen Leistungsgewinn der Tunneldiode = Spannungsreflexionskoeffizient^2

Leistungsgewinn der Tunneldiode Formel

Leistungsgewinn der Tunneldiode = Spannungsreflexionskoeffizient^2
gain = Γ^2

Was ist eine Tunneldiode?

Eine Tunneldiode (auch als Esaki-Diode bekannt) ist eine Art Halbleiterdiode, die aufgrund des quantenmechanischen Effekts, der als Tunneling bezeichnet wird, effektiv einen „negativen Widerstand“ aufweist. Tunneldioden haben einen stark dotierten pn-Übergang, der etwa 10 nm breit ist.

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