Kurzschlussstromverstärkung von BJT Taschenrechner

✖Die Stromverstärkung in Emitterschaltung bei niedriger Frequenz wird aus den Basis- und Kollektorschaltungsströmen erhalten.ⓘ Common-Emitter-Stromverstärkung bei niedriger Frequenz [β₀]			+10% -10%
✖Komplexe Frequenzvariable beschreibt ein sinusförmiges Signal mit ansteigender (positive σ) oder abfallender (negative σ) Sinuswelle.ⓘ Komplexe Frequenzvariable [s]			+10% -10%
✖Die Emitter-Basis-Kapazität ist die Kapazität zwischen Emitter und Basis.ⓘ Emitter-Basis-Kapazität [C_eb]			+10% -10%
✖Die Kollektor-Basis-Übergangskapazität im aktiven Modus ist in Sperrrichtung vorgespannt und ist die Kapazität zwischen Kollektor und Basis.ⓘ Kollektor-Basis-Übergangskapazität [C_cb]			+10% -10%
✖Der Eingangswiderstand ist der Widerstand, der von der Stromquelle oder Spannungsquelle gesehen wird, die die Schaltung antreibt.ⓘ Eingangswiderstand [R_in]			+10% -10%

✖Die Kurzschlussstromverstärkung ist das Verhältnis von Kollektorstrom und Basisstrom.ⓘ Kurzschlussstromverstärkung von BJT [H_fe]

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Formel

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Kurzschlussstromverstärkung von BJT

Formel

`"H"_{"fe"} = ("β"_{"0"})/(1+"s"*("C"_{"eb"}+"C"_{"cb"})*"R"_{"in"})`

Beispiel

`"23.62307"=("25.25dB")/(1+"2.85"*("1.5μF"+"1.2μF")*"8.95kΩ")`

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Kurzschlussstromverstärkung von BJT Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Kurzschlussstromverstärkung = (Common-Emitter-Stromverstärkung bei niedriger Frequenz)/(1+Komplexe Frequenzvariable*(Emitter-Basis-Kapazität+Kollektor-Basis-Übergangskapazität)*Eingangswiderstand)
H_fe = (β₀)/(1+s*(C_eb+C_cb)*R_in)
Diese formel verwendet 6 Variablen

Verwendete Variablen

Kurzschlussstromverstärkung - Die Kurzschlussstromverstärkung ist das Verhältnis von Kollektorstrom und Basisstrom.
Common-Emitter-Stromverstärkung bei niedriger Frequenz - (Gemessen in Dezibel) - Die Stromverstärkung in Emitterschaltung bei niedriger Frequenz wird aus den Basis- und Kollektorschaltungsströmen erhalten.
Komplexe Frequenzvariable - Komplexe Frequenzvariable beschreibt ein sinusförmiges Signal mit ansteigender (positive σ) oder abfallender (negative σ) Sinuswelle.
Emitter-Basis-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Emitter-Basis-Kapazität ist die Kapazität zwischen Emitter und Basis.
Kollektor-Basis-Übergangskapazität - (Gemessen in Farad) - Die Kollektor-Basis-Übergangskapazität im aktiven Modus ist in Sperrrichtung vorgespannt und ist die Kapazität zwischen Kollektor und Basis.
Eingangswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Eingangswiderstand ist der Widerstand, der von der Stromquelle oder Spannungsquelle gesehen wird, die die Schaltung antreibt.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Common-Emitter-Stromverstärkung bei niedriger Frequenz: 25.25 Dezibel --> 25.25 Dezibel Keine Konvertierung erforderlich
Komplexe Frequenzvariable: 2.85 --> Keine Konvertierung erforderlich
Emitter-Basis-Kapazität: 1.5 Mikrofarad --> 1.5E-06 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Kollektor-Basis-Übergangskapazität: 1.2 Mikrofarad --> 1.2E-06 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Eingangswiderstand: 8.95 Kiloohm --> 8950 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

H_fe = (β₀)/(1+s*(C_eb+C_cb)*R_in) --> (25.25)/(1+2.85*(1.5E-06+1.2E-06)*8950)

Auswerten ... ...

H_fe = 23.623073053067

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

23.623073053067 --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

23.623073053067 ≈ 23.62307 <-- Kurzschlussstromverstärkung

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Anshika Arya

Nationales Institut für Technologie (NIT), Hamirpur

Anshika Arya hat diesen Rechner und 2500+ weitere Rechner verifiziert!

< 14 Basisstrom Taschenrechner

Basisstrom unter Verwendung des Sättigungsstroms in DC

Gehen Basisstrom = (Sättigungsstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*e^(Basis-Kollektor-Spannung/Thermische Spannung)+Sättigungsdampfdruck*e^(Basis-Kollektor-Spannung/Thermische Spannung)

Sättigungsstrom unter Verwendung der Dotierungskonzentration

Gehen Sättigungsstrom = (Querschnittsfläche des Basis-Emitter-Übergangs*[Charge-e]*Elektronendiffusivität*(Intrinsische Trägerkonzentration)^2)/(Breite der Basisverbindung*Dopingkonzentration der Base)

Kurzschlussstromverstärkung von BJT

Gehen Kurzschlussstromverstärkung = (Common-Emitter-Stromverstärkung bei niedriger Frequenz)/(1+Komplexe Frequenzvariable*(Emitter-Basis-Kapazität+Kollektor-Basis-Übergangskapazität)*Eingangswiderstand)

Entladen Sie den aktuellen Geräteparameter

Gehen Stromverbrauch = 1/2*Steilheit*Seitenverhältnis*(Effektive Spannung-Grenzspannung)^2*(1+Geräteparameter*Spannung zwischen Drain und Source)

Basisstrom 2 von BJT

Gehen Basisstrom = (Sättigungsstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*(e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung))

Basisstrom des PNP-Transistors unter Verwendung des Sättigungsstroms

Gehen Basisstrom = (Sättigungsstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung)

Referenzstrom des BJT-Spiegels

Gehen Referenzstrom = Kollektorstrom+(2*Kollektorstrom)/Gemeinsame Emitterstromverstärkung

Referenzstrom des BJT-Stromspiegels

Gehen Referenzstrom = (Versorgungsspannung-Basis-Emitter-Spannung)/Widerstand

Referenzstrom des BJT-Spiegels bei gegebenem Kollektorstrom

Gehen Referenzstrom = Kollektorstrom*(1+2/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)

Basisstrom des PNP-Transistors bei gegebenem Emitterstrom

Gehen Basisstrom = Emitterstrom/(Gemeinsame Emitterstromverstärkung+1)

Basisstrom des PNP-Transistors mit Kollektorstrom

Gehen Basisstrom = Kollektorstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung

Basisstrom 1 von BJT

Gehen Basisstrom = Kollektorstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung

Basisstrom des PNP-Transistors mit Common-Base Current Gain

Gehen Basisstrom = (1-Basisstromverstärkung)*Emitterstrom

Gesamtbasisstrom

Gehen Basisstrom = Basisstrom 1+Basisstrom 2

Kurzschlussstromverstärkung von BJT Formel

Wie funktioniert ein BJT?

Ein BJT ist eine Art Transistor, der sowohl Elektronen als auch Löcher als Ladungsträger verwendet. Ein Signal mit kleiner Amplitude, wenn es an die Basis angelegt wird, ist in verstärkter Form am Kollektor des Transistors verfügbar. Dies ist die vom BJT bereitgestellte Verstärkung.

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