Guadagno di corrente di cortocircuito di BJT Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Guadagno di corrente di cortocircuito = (Guadagno di corrente a emettitore comune a bassa frequenza)/(1+Variabile di frequenza complessa*(Capacità di base dell'emettitore+Capacità di giunzione collettore-base)*Resistenza di ingresso)
Hfe = (β0)/(1+s*(Ceb+Ccb)*Rin)
Questa formula utilizza 6 Variabili
Variabili utilizzate
Guadagno di corrente di cortocircuito - Il guadagno di corrente di cortocircuito è il rapporto tra la corrente di collettore e la corrente di base.
Guadagno di corrente a emettitore comune a bassa frequenza - (Misurato in Decibel) - Il guadagno di corrente dell'emettitore comune a bassa frequenza è ottenuto dalle correnti del circuito di base e di collettore.
Variabile di frequenza complessa - La variabile di frequenza complessa descrive un segnale sinusoidale con onda sinusoidale crescente (σ positiva) o decrescente (σ negativa).
Capacità di base dell'emettitore - (Misurato in Farad) - La capacità emettitore-base è la capacità tra l'emettitore e la base.
Capacità di giunzione collettore-base - (Misurato in Farad) - La capacità di giunzione collettore-base in modalità attiva è polarizzata inversamente ed è la capacità tra collettore e base.
Resistenza di ingresso - (Misurato in Ohm) - La resistenza di ingresso è la resistenza vista dalla sorgente di corrente o dalla sorgente di tensione che guida il circuito.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Guadagno di corrente a emettitore comune a bassa frequenza: 25.25 Decibel --> 25.25 Decibel Nessuna conversione richiesta
Variabile di frequenza complessa: 2.85 --> Nessuna conversione richiesta
Capacità di base dell'emettitore: 1.5 Microfarad --> 1.5E-06 Farad (Controlla la conversione qui)
Capacità di giunzione collettore-base: 1.2 Microfarad --> 1.2E-06 Farad (Controlla la conversione qui)
Resistenza di ingresso: 8.95 Kilohm --> 8950 Ohm (Controlla la conversione qui)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Hfe = (β0)/(1+s*(Ceb+Ccb)*Rin) --> (25.25)/(1+2.85*(1.5E-06+1.2E-06)*8950)
Valutare ... ...
Hfe = 23.623073053067
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
23.623073053067 --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
23.623073053067 23.62307 <-- Guadagno di corrente di cortocircuito
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creato da Payal Priya
Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri
Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!
Verificato da Anshika Arya
Istituto nazionale di tecnologia (NIT), Hamirpur
Anshika Arya ha verificato questa calcolatrice e altre 2500+ altre calcolatrici!

14 Corrente di base Calcolatrici

Corrente di base utilizzando la corrente di saturazione in CC
Partire Corrente di base = (Corrente di saturazione/Guadagno di corrente dell'emettitore comune)*e^(Tensione base-collettore/Tensione termica)+Pressione di vapore di saturazione*e^(Tensione base-collettore/Tensione termica)
Corrente di saturazione mediante concentrazione di doping
Partire Corrente di saturazione = (Area della sezione trasversale della giunzione base-emettitore*[Charge-e]*Diffusività elettronica*(Concentrazione portante intrinseca)^2)/(Larghezza della giunzione di base*Concentrazione drogante della base)
Guadagno di corrente di cortocircuito di BJT
Partire Guadagno di corrente di cortocircuito = (Guadagno di corrente a emettitore comune a bassa frequenza)/(1+Variabile di frequenza complessa*(Capacità di base dell'emettitore+Capacità di giunzione collettore-base)*Resistenza di ingresso)
Corrente di scarico dato dal parametro del dispositivo
Partire Assorbimento di corrente = 1/2*Transconduttanza*Proporzioni*(Tensione effettiva-Soglia di voltaggio)^2*(1+Parametro dispositivo*Tensione tra Drain e Source)
Corrente di base 2 di BJT
Partire Corrente di base = (Corrente di saturazione/Guadagno di corrente dell'emettitore comune)*(e^(Tensione base-emettitore/Tensione termica))
Corrente di base del transistor PNP utilizzando la corrente di saturazione
Partire Corrente di base = (Corrente di saturazione/Guadagno di corrente dell'emettitore comune)*e^(Tensione base-emettitore/Tensione termica)
Corrente di riferimento dello specchio BJT
Partire Corrente di riferimento = Corrente del collettore+(2*Corrente del collettore)/Guadagno di corrente dell'emettitore comune
Corrente di riferimento dello specchio di corrente BJT
Partire Corrente di riferimento = (Tensione di alimentazione-Tensione base-emettitore)/Resistenza
Corrente di riferimento del BJT Mirror data la corrente del collettore
Partire Corrente di riferimento = Corrente del collettore*(1+2/Guadagno di corrente dell'emettitore comune)
Corrente di base del transistor PNP data la corrente dell'emettitore
Partire Corrente di base = Corrente dell'emettitore/(Guadagno di corrente dell'emettitore comune+1)
Corrente di base del transistor PNP utilizzando la corrente del collettore
Partire Corrente di base = Corrente del collettore/Guadagno di corrente dell'emettitore comune
Corrente di base 1 di BJT
Partire Corrente di base = Corrente del collettore/Guadagno di corrente dell'emettitore comune
Corrente di base del transistor PNP utilizzando il guadagno di corrente di base comune
Partire Corrente di base = (1-Guadagno di corrente a base comune)*Corrente dell'emettitore
Corrente di base totale
Partire Corrente di base = Corrente di base 1+Corrente di base 2

Guadagno di corrente di cortocircuito di BJT Formula

Guadagno di corrente di cortocircuito = (Guadagno di corrente a emettitore comune a bassa frequenza)/(1+Variabile di frequenza complessa*(Capacità di base dell'emettitore+Capacità di giunzione collettore-base)*Resistenza di ingresso)
Hfe = (β0)/(1+s*(Ceb+Ccb)*Rin)

Come funziona un BJT?

Un BJT è un tipo di transistor che utilizza sia elettroni che lacune come portatori di carica. Un segnale di piccola ampiezza se applicato alla base è disponibile in forma amplificata al collettore del transistore. Questa è l'amplificazione fornita dal BJT.

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