Thermischer Widerstand zwischen Sperrschicht und Umgebung Taschenrechner

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Eigenschaften der CMOS-Schaltung

✖Temperaturdifferenztransistoren werden mit dem ΔT-Symbol bezeichnet.ⓘ Temperaturdifferenztransistoren [ΔT]			+10% -10%
✖Der Stromverbrauch des Chips ist der vom integrierten Chip verbrauchte Strom, wenn Strom durch ihn fließt.ⓘ Stromverbrauch des Chips [P_chip]			+10% -10%

✖Der thermische Widerstand zwischen Verbindungsstelle und Umgebung ist definiert als der Anstieg des Widerstands aufgrund der Erwärmungswirkung in der Verbindungsstelle.ⓘ Thermischer Widerstand zwischen Sperrschicht und Umgebung [Θ_j]

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Formel

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Thermischer Widerstand zwischen Sperrschicht und Umgebung

Formel

`"Θ"_{"j"} = "ΔT"/"P"_{"chip"}`

Beispiel

`"3.011292K/mW"="2.4K"/"0.797mW"`

Taschenrechner

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Thermischer Widerstand zwischen Sperrschicht und Umgebung Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Wärmewiderstand zwischen Verbindungsstelle und Umgebung = Temperaturdifferenztransistoren/Stromverbrauch des Chips
Θ_j = ΔT/P_chip
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Wärmewiderstand zwischen Verbindungsstelle und Umgebung - (Gemessen in kelvin / Watt) - Der thermische Widerstand zwischen Verbindungsstelle und Umgebung ist definiert als der Anstieg des Widerstands aufgrund der Erwärmungswirkung in der Verbindungsstelle.
Temperaturdifferenztransistoren - (Gemessen in Kelvin) - Temperaturdifferenztransistoren werden mit dem ΔT-Symbol bezeichnet.
Stromverbrauch des Chips - (Gemessen in Watt) - Der Stromverbrauch des Chips ist der vom integrierten Chip verbrauchte Strom, wenn Strom durch ihn fließt.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Temperaturdifferenztransistoren: 2.4 Kelvin --> 2.4 Kelvin Keine Konvertierung erforderlich
Stromverbrauch des Chips: 0.797 Milliwatt --> 0.000797 Watt (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

Θ_j = ΔT/P_chip --> 2.4/0.000797

Auswerten ... ...

Θ_j = 3011.29234629862

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

3011.29234629862 kelvin / Watt -->3.01129234629862 Kelvin pro Milliwatt (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

3.01129234629862 ≈ 3.011292 Kelvin pro Milliwatt <-- Wärmewiderstand zwischen Verbindungsstelle und Umgebung

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Serienwiderstand von Verpackung zu Luft

Gehen Serienwiderstand vom Paket zur Luft = Wärmewiderstand zwischen Verbindungsstelle und Umgebung-Serienwiderstand vom Chip zum Gehäuse

Reihenwiderstand von Chip zu Gehäuse

Gehen Serienwiderstand vom Chip zum Gehäuse = Wärmewiderstand zwischen Verbindungsstelle und Umgebung-Serienwiderstand vom Paket zur Luft

Wechselrichterleistung

Gehen Wechselrichterleistung = (Verzögerung der Ketten-(Elektrischer Aufwand 1+Elektrischer Aufwand 2))/2

Elektrischer Aufwand des Wechselrichters 1

Gehen Elektrischer Aufwand 1 = Verzögerung der Ketten-(Elektrischer Aufwand 2+2*Wechselrichterleistung)

Elektrischer Aufwand des Wechselrichters 2

Gehen Elektrischer Aufwand 2 = Verzögerung der Ketten-(Elektrischer Aufwand 1+2*Wechselrichterleistung)

Verzögerung für zwei Wechselrichter in Reihe

Gehen Verzögerung der Ketten = Elektrischer Aufwand 1+Elektrischer Aufwand 2+2*Wechselrichterleistung

Thermischer Widerstand zwischen Sperrschicht und Umgebung

Gehen Wärmewiderstand zwischen Verbindungsstelle und Umgebung = Temperaturdifferenztransistoren/Stromverbrauch des Chips

Temperaturunterschied zwischen Transistoren

Gehen Temperaturdifferenztransistoren = Wärmewiderstand zwischen Verbindungsstelle und Umgebung*Stromverbrauch des Chips

Stromverbrauch des Chips

Gehen Stromverbrauch des Chips = Temperaturdifferenztransistoren/Wärmewiderstand zwischen Verbindungsstelle und Umgebung

Übertragungsfunktion von PLL

Gehen Übertragungsfunktion PLL = PLL-Ausgangstaktphase/Eingangsreferenztaktphase

Eingangstakt Phase PLL

Gehen Eingangsreferenztaktphase = PLL-Ausgangstaktphase/Übertragungsfunktion PLL

Ausgangstaktphase PLL

Gehen PLL-Ausgangstaktphase = Übertragungsfunktion PLL*Eingangsreferenztaktphase

PLL-Phasendetektorfehler

Gehen PLL-Fehlerdetektor = Eingangsreferenztaktphase-Feedback Clock PLL

Rückkopplungsuhr PLL

Gehen Feedback Clock PLL = Eingangsreferenztaktphase-PLL-Fehlerdetektor

Änderung der Uhrphase

Gehen Phasenwechsel der Uhr = PLL-Ausgangstaktphase/Absolute Frequenz

Kapazität der externen Last

Gehen Kapazität der externen Last = Ausschwärmen*Eingangskapazität

Änderung der Taktfrequenz

Gehen Änderung der Taktfrequenz = Ausschwärmen/Absolute Frequenz

Fanout von Tor

Gehen Ausschwärmen = Bühnenaufwand/Logischer Aufwand

Bühnenaufwand

Gehen Bühnenaufwand = Ausschwärmen*Logischer Aufwand

Torverzögerung

Gehen Gate-Verzögerung = 2^(N-Bit-SRAM)

Thermischer Widerstand zwischen Sperrschicht und Umgebung Formel

Wärmewiderstand zwischen Verbindungsstelle und Umgebung = Temperaturdifferenztransistoren/Stromverbrauch des Chips
Θ_j = ΔT/P_chip

Wie wird der Wärmestrom bestimmt?

Die von einem Chip erzeugte Wärme fließt von den Transistorübergängen, wo sie erzeugt wird, durch das Substrat und das Gehäuse. Es kann über einen Kühlkörper verteilt und dann durch Konvektion durch die Luft weggetragen werden. So wie der Stromfluss durch die Spannungsdifferenz und den elektrischen Widerstand bestimmt wird, wird der Wärmefluss durch die Temperaturdifferenz und den Wärmewiderstand bestimmt.

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