Parasitäre Gesamtkapazitätsquelle Taschenrechner

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VLSI-Materialoptimierung

Analoges VLSI-Design

✖Die Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Quelle ist definiert als die Kapazität zwischen der Verbindung des Körpers und der Source-Verbindung des MOSFET.ⓘ Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Quelle [C_jbs]			+10% -10%
✖Der Bereich der Quelldiffusion ist definiert als die Nettobewegung von allem von einem Bereich höherer Konzentration zu einem Bereich niedrigerer Konzentration im Quelltor.ⓘ Bereich der Quellendiffusion [A_s]			+10% -10%
✖Die Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Seitenwand ist eine parasitäre Kapazität, die die Leistung des Schaltkreises beeinträchtigen kann.ⓘ Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Seitenwand [C_bsw]			+10% -10%
✖Der Seitenwandumfang der Quellendiffusion ist als Umfang der Quellendiffusion definiert, ohne die Kante unter dem Gate.ⓘ Seitenwandumfang der Quellendiffusion [P_s]			+10% -10%

✖Quellparasitäre Kapazität ist eine unvermeidbare und normalerweise unerwünschte Kapazität.ⓘ Parasitäre Gesamtkapazitätsquelle [C_sop]

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Formel

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Parasitäre Gesamtkapazitätsquelle

Formel

`"C"_{"sop"} = ("C"_{"jbs"}*"A"_{"s"})+("C"_{"bsw"}*"P"_{"s"})`

Beispiel

`"0.418966μF/mm²"=("76.46μF/mm²"*"5479mm²")+("0.1391μF/mm"*"301.64mm")`

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Parasitäre Gesamtkapazitätsquelle Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Quelle Parasitäre Kapazität = (Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Quelle*Bereich der Quellendiffusion)+(Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Seitenwand*Seitenwandumfang der Quellendiffusion)
C_sop = (C_jbs*A_s)+(C_bsw*P_s)
Diese formel verwendet 5 Variablen

Verwendete Variablen

Quelle Parasitäre Kapazität - (Gemessen in Farad pro Quadratmeter) - Quellparasitäre Kapazität ist eine unvermeidbare und normalerweise unerwünschte Kapazität.
Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Quelle - (Gemessen in Farad pro Quadratmeter) - Die Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Quelle ist definiert als die Kapazität zwischen der Verbindung des Körpers und der Source-Verbindung des MOSFET.
Bereich der Quellendiffusion - (Gemessen in Quadratmeter) - Der Bereich der Quelldiffusion ist definiert als die Nettobewegung von allem von einem Bereich höherer Konzentration zu einem Bereich niedrigerer Konzentration im Quelltor.
Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Seitenwand - (Gemessen in Farad pro Meter) - Die Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Seitenwand ist eine parasitäre Kapazität, die die Leistung des Schaltkreises beeinträchtigen kann.
Seitenwandumfang der Quellendiffusion - (Gemessen in Meter) - Der Seitenwandumfang der Quellendiffusion ist als Umfang der Quellendiffusion definiert, ohne die Kante unter dem Gate.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Quelle: 76.46 Mikrofarad pro Quadratmillimeter --> 76.46 Farad pro Quadratmeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Bereich der Quellendiffusion: 5479 Quadratmillimeter --> 0.005479 Quadratmeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Seitenwand: 0.1391 Mikrofarad pro Millimeter --> 0.0001391 Farad pro Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Seitenwandumfang der Quellendiffusion: 301.64 Millimeter --> 0.30164 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

C_sop = (C_jbs*A_s)+(C_bsw*P_s) --> (76.46*0.005479)+(0.0001391*0.30164)

Auswerten ... ...

C_sop = 0.418966298124

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.418966298124 Farad pro Quadratmeter -->0.418966298124 Mikrofarad pro Quadratmillimeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.418966298124 ≈ 0.418966 Mikrofarad pro Quadratmillimeter <-- Quelle Parasitäre Kapazität

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 25 VLSI-Materialoptimierung Taschenrechner

Ladungsdichte der Bulk-Depletion-Region (VLSI).

Gehen Ladungsdichte der Bulk-Depletion-Region = -(1-((Laterale Ausdehnung der Verarmungsregion mit Quelle+Laterale Ausdehnung der Verarmungsregion mit Abfluss)/(2*Kanallänge)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Akzeptorkonzentration*abs(2*Oberflächenpotential))

Body-Effect-Koeffizient

Gehen Körpereffektkoeffizient = modulus((Grenzspannung-Schwellenspannung DIBL)/(sqrt(Oberflächenpotential+(Potenzialdifferenz des Quellkörpers))-sqrt(Oberflächenpotential)))

Anschluss integrierte Spannung VLSI

Gehen Eingebaute Anschlussspannung = ([BoltZ]*Temperatur/[Charge-e])*ln(Akzeptorkonzentration*Spenderkonzentration/(Intrinsische Konzentration)^2)

PN-Junction-Verarmungstiefe mit Quell-VLSI

Gehen Pn-Übergangsverarmungstiefe mit Quelle = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Eingebaute Anschlussspannung)/([Charge-e]*Akzeptorkonzentration))

Parasitäre Gesamtkapazitätsquelle

Gehen Quelle Parasitäre Kapazität = (Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Quelle*Bereich der Quellendiffusion)+(Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Seitenwand*Seitenwandumfang der Quellendiffusion)

Verbindungsstrom

Gehen Kreuzungsstrom = (Statische Leistung/Basiskollektorspannung)-(Strom unterhalb des Schwellenwerts+Konflikt aktuell+Gate-Strom)

Kurzkanal-Sättigungsstrom VLSI

Gehen Kurzkanal-Sättigungsstrom = Kanalbreite*Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit*Oxidkapazität pro Flächeneinheit*Sättigungs-Drain-Quellenspannung

Oberflächenpotential

Gehen Oberflächenpotential = 2*Potenzialdifferenz des Quellkörpers*ln(Akzeptorkonzentration/Intrinsische Konzentration)

Oxidkapazität nach vollständiger Skalierung von VLSI

Gehen Oxidkapazität nach vollständiger Skalierung = Oxidkapazität pro Flächeneinheit*Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor

Steilheit unter der Schwelle

Gehen Unterschwellenneigung = Potenzialdifferenz des Quellkörpers*DIBL-Koeffizient*ln(10)

DIBL-Koeffizient

Gehen DIBL-Koeffizient = (Schwellenspannung DIBL-Grenzspannung)/Drain-to-Source-Potenzial

Schwellenspannung, wenn die Quelle auf Körperpotential liegt

Gehen Schwellenspannung DIBL = DIBL-Koeffizient*Drain-to-Source-Potenzial+Grenzspannung

Verbindungstiefe nach vollständiger Skalierung von VLSI

Gehen Verbindungstiefe nach vollständiger Skalierung = Verbindungstiefe/Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor

Gate-Oxiddicke nach vollständiger Skalierung von VLSI

Gehen Gate-Oxiddicke nach vollständiger Skalierung = Gate-Oxiddicke/Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor

Gate-Länge unter Verwendung der Gate-Oxid-Kapazität

Gehen Torlänge = Gate-Kapazität/(Kapazität der Gate-Oxidschicht*Torbreite)

Gate-Oxid-Kapazität

Gehen Kapazität der Gate-Oxidschicht = Gate-Kapazität/(Torbreite*Torlänge)

Gate-Kapazität

Gehen Gate-Kapazität = Kanalgebühr/(Gate-zu-Kanal-Spannung-Grenzspannung)

Grenzspannung

Gehen Grenzspannung = Gate-zu-Kanal-Spannung-(Kanalgebühr/Gate-Kapazität)

Kanalladung

Gehen Kanalgebühr = Gate-Kapazität*(Gate-zu-Kanal-Spannung-Grenzspannung)

Kanalbreite nach vollständiger Skalierung von VLSI

Gehen Kanalbreite nach vollständiger Skalierung = Kanalbreite/Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor

Kanallänge nach vollständiger Skalierung VLSI

Gehen Kanallänge nach vollständiger Skalierung = Kanallänge/Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor

Kritische Spannung

Gehen Kritische Spannung = Kritisches elektrisches Feld*Elektrisches Feld über die Kanallänge

Eigene Gate-Kapazität

Gehen MOS-Gate-Überlappungskapazität = MOS-Gate-Kapazität*Übergangsbreite

Mobilität in Mosfet

Gehen Mobilität im MOSFET = K Prime/Kapazität der Gate-Oxidschicht

K-Prime

Gehen K Prime = Mobilität im MOSFET*Kapazität der Gate-Oxidschicht

Parasitäre Gesamtkapazitätsquelle Formel

Was ist das MOS-Diffusionskapazitätsmodell?

Der pn-Übergang zwischen der Source-Diffusion und dem Körper trägt zur parasitären Kapazität über dem Verarmungsbereich bei. Die Kapazität hängt sowohl von der Fläche AS als auch dem Seitenwandumfang PS des Source-Diffusionsgebiets ab. Die Geometrie ist in Abbildung 2.12 dargestellt. Die Fläche ist AS = WD. Der Umfang ist PS = 2W 2D. Von diesem Umfang grenzt W an den Kanal und das verbleibende W 2D nicht.

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