Kritische Spannung Taschenrechner

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VLSI-Materialoptimierung

Analoges VLSI-Design

✖Das kritische elektrische Feld ist definiert als die elektrische Kraft pro Ladungseinheit.ⓘ Kritisches elektrisches Feld [E_x]			+10% -10%
✖Das elektrische Feld über die Kanallänge ist das während des Prozesses im Kanal erzeugte elektrische Feld.ⓘ Elektrisches Feld über die Kanallänge [E_ch]			+10% -10%

✖Die kritische Spannung ist die minimale Phase der Neutralleiterspannung, die entlang des gesamten Außenleiters leuchtet und auftritt.ⓘ Kritische Spannung [V_x]

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Formel

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Kritische Spannung

Formel

`"V"_{"x"} = "E"_{"x"}*"E"_{"ch"}`

Beispiel

`"28V"="0.004V/mm"*"7e-3V/mm"`

Taschenrechner

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Kritische Spannung Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Kritische Spannung = Kritisches elektrisches Feld*Elektrisches Feld über die Kanallänge
V_x = E_x*E_ch
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Kritische Spannung - (Gemessen in Volt) - Die kritische Spannung ist die minimale Phase der Neutralleiterspannung, die entlang des gesamten Außenleiters leuchtet und auftritt.
Kritisches elektrisches Feld - (Gemessen in Volt pro Meter) - Das kritische elektrische Feld ist definiert als die elektrische Kraft pro Ladungseinheit.
Elektrisches Feld über die Kanallänge - (Gemessen in Volt pro Meter) - Das elektrische Feld über die Kanallänge ist das während des Prozesses im Kanal erzeugte elektrische Feld.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Kritisches elektrisches Feld: 0.004 Volt pro Millimeter --> 4 Volt pro Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Elektrisches Feld über die Kanallänge: 0.007 Volt pro Millimeter --> 7 Volt pro Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

V_x = E_x*E_ch --> 4*7

Auswerten ... ...

V_x = 28

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

28 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

28 Volt <-- Kritische Spannung

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 25 VLSI-Materialoptimierung Taschenrechner

Ladungsdichte der Bulk-Depletion-Region (VLSI).

Gehen Ladungsdichte der Bulk-Depletion-Region = -(1-((Laterale Ausdehnung der Verarmungsregion mit Quelle+Laterale Ausdehnung der Verarmungsregion mit Abfluss)/(2*Kanallänge)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Akzeptorkonzentration*abs(2*Oberflächenpotential))

Body-Effect-Koeffizient

Gehen Körpereffektkoeffizient = modulus((Grenzspannung-Schwellenspannung DIBL)/(sqrt(Oberflächenpotential+(Potenzialdifferenz des Quellkörpers))-sqrt(Oberflächenpotential)))

Anschluss integrierte Spannung VLSI

Gehen Eingebaute Anschlussspannung = ([BoltZ]*Temperatur/[Charge-e])*ln(Akzeptorkonzentration*Spenderkonzentration/(Intrinsische Konzentration)^2)

PN-Junction-Verarmungstiefe mit Quell-VLSI

Gehen Pn-Übergangsverarmungstiefe mit Quelle = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Eingebaute Anschlussspannung)/([Charge-e]*Akzeptorkonzentration))

Parasitäre Gesamtkapazitätsquelle

Gehen Quelle Parasitäre Kapazität = (Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Quelle*Bereich der Quellendiffusion)+(Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Seitenwand*Seitenwandumfang der Quellendiffusion)

Verbindungsstrom

Gehen Kreuzungsstrom = (Statische Leistung/Basiskollektorspannung)-(Strom unterhalb des Schwellenwerts+Konflikt aktuell+Gate-Strom)

Kurzkanal-Sättigungsstrom VLSI

Gehen Kurzkanal-Sättigungsstrom = Kanalbreite*Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit*Oxidkapazität pro Flächeneinheit*Sättigungs-Drain-Quellenspannung

Oberflächenpotential

Gehen Oberflächenpotential = 2*Potenzialdifferenz des Quellkörpers*ln(Akzeptorkonzentration/Intrinsische Konzentration)

Oxidkapazität nach vollständiger Skalierung von VLSI

Gehen Oxidkapazität nach vollständiger Skalierung = Oxidkapazität pro Flächeneinheit*Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor

Steilheit unter der Schwelle

Gehen Unterschwellenneigung = Potenzialdifferenz des Quellkörpers*DIBL-Koeffizient*ln(10)

DIBL-Koeffizient

Gehen DIBL-Koeffizient = (Schwellenspannung DIBL-Grenzspannung)/Drain-to-Source-Potenzial

Schwellenspannung, wenn die Quelle auf Körperpotential liegt

Gehen Schwellenspannung DIBL = DIBL-Koeffizient*Drain-to-Source-Potenzial+Grenzspannung

Verbindungstiefe nach vollständiger Skalierung von VLSI

Gehen Verbindungstiefe nach vollständiger Skalierung = Verbindungstiefe/Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor

Gate-Oxiddicke nach vollständiger Skalierung von VLSI

Gehen Gate-Oxiddicke nach vollständiger Skalierung = Gate-Oxiddicke/Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor

Gate-Länge unter Verwendung der Gate-Oxid-Kapazität

Gehen Torlänge = Gate-Kapazität/(Kapazität der Gate-Oxidschicht*Torbreite)

Gate-Oxid-Kapazität

Gehen Kapazität der Gate-Oxidschicht = Gate-Kapazität/(Torbreite*Torlänge)

Gate-Kapazität

Gehen Gate-Kapazität = Kanalgebühr/(Gate-zu-Kanal-Spannung-Grenzspannung)

Grenzspannung

Gehen Grenzspannung = Gate-zu-Kanal-Spannung-(Kanalgebühr/Gate-Kapazität)

Kanalladung

Gehen Kanalgebühr = Gate-Kapazität*(Gate-zu-Kanal-Spannung-Grenzspannung)

Kanalbreite nach vollständiger Skalierung von VLSI

Gehen Kanalbreite nach vollständiger Skalierung = Kanalbreite/Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor

Kanallänge nach vollständiger Skalierung VLSI

Gehen Kanallänge nach vollständiger Skalierung = Kanallänge/Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor

Kritische Spannung

Gehen Kritische Spannung = Kritisches elektrisches Feld*Elektrisches Feld über die Kanallänge

Eigene Gate-Kapazität

Gehen MOS-Gate-Überlappungskapazität = MOS-Gate-Kapazität*Übergangsbreite

Mobilität in Mosfet

Gehen Mobilität im MOSFET = K Prime/Kapazität der Gate-Oxidschicht

K-Prime

Gehen K Prime = Mobilität im MOSFET*Kapazität der Gate-Oxidschicht

Kritische Spannung Formel

Kritische Spannung = Kritisches elektrisches Feld*Elektrisches Feld über die Kanallänge
V_x = E_x*E_ch

Was ist Mobilitätsdegradation?

Eine hohe Spannung am Gate des Transistors zieht die Träger an den Rand des Kanals und verursacht Kollisionen mit der Oxidgrenzfläche, die die Träger verlangsamen. Dies wird als Mobilitätsverschlechterung bezeichnet.

Was ist Geschwindigkeitssättigung?

Träger nähern sich einer maximalen Geschwindigkeit vsat, wenn hohe Felder angelegt werden. Dieses Phänomen wird Geschwindigkeitssättigung genannt.

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