Spannung am Kollektor-Emitter des BJT-Verstärkers Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Kollektor-Emitter-Spannung = Versorgungsspannung-Lastwiderstand*Sättigungsstrom*e^(Basis-Emitter-Spannung/Grenzspannung)
VCE = VDD-RL*Isat*e^(VBE/Vth)
Diese formel verwendet 1 Konstanten, 6 Variablen
Verwendete Konstanten
e - постоянная Нейпира Wert genommen als 2.71828182845904523536028747135266249
Verwendete Variablen
Kollektor-Emitter-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Kollektor-Emitter-Spannung ist das elektrische Potential zwischen Basis- und Kollektorgebiet eines Transistors.
Versorgungsspannung - (Gemessen in Volt) - Die Versorgungsspannung ist die Eingangsspannungsquelle, die durch den BJT fließt.
Lastwiderstand - (Gemessen in Ohm) - Lastwiderstand ist der externe Widerstand oder die Impedanz, die mit dem Ausgang einer Schaltung oder eines Geräts verbunden ist, und wird verwendet, um Strom oder Signale aus der Schaltung zu extrahieren.
Sättigungsstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Sättigungsstrom ist die Leckstromdichte der Diode in Abwesenheit von Licht. Es ist ein wichtiger Parameter, der eine Diode von einer anderen unterscheidet.
Basis-Emitter-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Basis-Emitter-Spannung ist die Durchlassspannung zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors.
Grenzspannung - (Gemessen in Volt) - Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die benötigt wird, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen zu schaffen.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Versorgungsspannung: 2.5 Volt --> 2.5 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Lastwiderstand: 4 Kiloohm --> 4000 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Sättigungsstrom: 1.675 Milliampere --> 0.001675 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Basis-Emitter-Spannung: 5.15 Volt --> 5.15 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Grenzspannung: 5.5 Volt --> 5.5 Volt Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
VCE = VDD-RL*Isat*e^(VBE/Vth) --> 2.5-4000*0.001675*e^(5.15/5.5)
Auswerten ... ...
VCE = -14.5896183099314
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
-14.5896183099314 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
-14.5896183099314 -14.589618 Volt <-- Kollektor-Emitter-Spannung
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Erstellt von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

12 Stromspannung Taschenrechner

Endliche Eingangsspannung von BJT bei Einheitsverstärkungsfrequenz bei gegebener komplexer Frequenzvariable
Gehen Eingangsspannung = Basisstrom/((1/Eingangswiderstand)+Komplexe Frequenzvariable*(Kollektor-Basis-Übergangskapazität+Basis-Emitter-Übergangskapazität))
Spannung am Kollektor-Emitter des BJT-Verstärkers
Gehen Kollektor-Emitter-Spannung = Versorgungsspannung-Lastwiderstand*Sättigungsstrom*e^(Basis-Emitter-Spannung/Grenzspannung)
Endliche Eingangsspannung von BJT bei Einheitsverstärkungsfrequenz
Gehen Eingangsspannung = Basisstrom*(1/Eingangswiderstand+1/Kollektor-Basis-Übergangskapazität+1/Emitter-Basis-Kapazität)
Einzelne Komponente der Drain-Spannung bei gegebener Transkonduktanz
Gehen Gesamte momentane Drain-Spannung = -Steilheit*Eingangsspannung*Lastwiderstand
Ausgangsspannung des BJT-Verstärkers
Gehen Ausgangsspannung = Versorgungsspannung-Stromverbrauch*Lastwiderstand
Spannung zwischen Gate und Source
Gehen Gate-Source-Spannung = Eingangsspannung/(1+Steilheit*Widerstand)
Ausgangsspannung bei Steilheit
Gehen Ausgangsspannung = -(Steilheit*Lastwiderstand*Eingangsspannung)
Kleinsignal-Eingangsspannung bei Transkonduktanz
Gehen Kleines Signal = Eingangsspannung*(1/(1+Steilheit*Widerstand))
Einzelne Komponente der Drain-Spannung
Gehen Gesamte momentane Drain-Spannung = (-Änderung des Drainstroms*Lastwiderstand)
Kollektor-Emitter-Spannung bei Sättigung
Gehen Kollektor-Emitter-Spannung = Basis-Emitter-Spannung-Basis-Kollektor-Spannung
Gesamte momentane Gate-zu-Source-Spannung
Gehen Gate-Source-Spannung = Kleines Signal+Spannung über Oxid
Versorgungsspannung bei maximaler Verlustleistung
Gehen Versorgungsspannung = (pi*Leistung)/2

Spannung am Kollektor-Emitter des BJT-Verstärkers Formel

Kollektor-Emitter-Spannung = Versorgungsspannung-Lastwiderstand*Sättigungsstrom*e^(Basis-Emitter-Spannung/Grenzspannung)
VCE = VDD-RL*Isat*e^(VBE/Vth)

Wie wird BJT als Verstärker eingesetzt?

Bei Verwendung als Verstärker ist die Vorspannung so angeordnet, dass der Transistor im linearen Bereich arbeitet. Ein Verstärker wird normalerweise auf etwa die Hälfte der Versorgungsspannung vorgespannt, um eine maximale Ausgangsschwingung zu ermöglichen.

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