XOR-Spannungs-NAND-Gatter Taschenrechner

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✖Die Kapazität 2 wird als das Verhältnis der elektrischen Ladung auf jedem Leiter zur Potenzialdifferenz (dh Spannung) zwischen ihnen ausgedrückt.ⓘ Kapazität 2 [C_y]			+10% -10%
✖Die Basiskollektorspannung ist ein entscheidender Parameter bei der Transistorvorspannung. Es bezieht sich auf die Spannungsdifferenz zwischen den Basis- und Kollektoranschlüssen des Transistors, wenn dieser sich in seinem aktiven Zustand befindet.ⓘ Basiskollektorspannung [V_bc]			+10% -10%
✖Die Kapazität 1 wird als das Verhältnis der elektrischen Ladung auf jedem Leiter zur Potentialdifferenz (dh Spannung) zwischen ihnen ausgedrückt.ⓘ Kapazität 1 [C_x]			+10% -10%

✖Die XOR-Spannung des NAND-Gatters ist die Spannung in x-Richtung im NAND-Gatter.ⓘ XOR-Spannungs-NAND-Gatter [V_x]

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Formel

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XOR-Spannungs-NAND-Gatter

Formel

`"V"_{"x"} = ("C"_{"y"}*"V"_{"bc"})/("C"_{"x"}+"C"_{"y"})`

Beispiel

`"0.881972V"=("3.1mF"*"2.02V")/("4mF"+"3.1mF")`

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XOR-Spannungs-NAND-Gatter Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

XOR-Spannungs-NAND-Gate = (Kapazität 2*Basiskollektorspannung)/(Kapazität 1+Kapazität 2)
V_x = (C_y*V_bc)/(C_x+C_y)
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

XOR-Spannungs-NAND-Gate - (Gemessen in Volt) - Die XOR-Spannung des NAND-Gatters ist die Spannung in x-Richtung im NAND-Gatter.
Kapazität 2 - (Gemessen in Farad) - Die Kapazität 2 wird als das Verhältnis der elektrischen Ladung auf jedem Leiter zur Potenzialdifferenz (dh Spannung) zwischen ihnen ausgedrückt.
Basiskollektorspannung - (Gemessen in Volt) - Die Basiskollektorspannung ist ein entscheidender Parameter bei der Transistorvorspannung. Es bezieht sich auf die Spannungsdifferenz zwischen den Basis- und Kollektoranschlüssen des Transistors, wenn dieser sich in seinem aktiven Zustand befindet.
Kapazität 1 - (Gemessen in Farad) - Die Kapazität 1 wird als das Verhältnis der elektrischen Ladung auf jedem Leiter zur Potentialdifferenz (dh Spannung) zwischen ihnen ausgedrückt.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Kapazität 2: 3.1 Millifarad --> 0.0031 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Basiskollektorspannung: 2.02 Volt --> 2.02 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Kapazität 1: 4 Millifarad --> 0.004 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

V_x = (C_y*V_bc)/(C_x+C_y) --> (0.0031*2.02)/(0.004+0.0031)

Auswerten ... ...

V_x = 0.881971830985915

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.881971830985915 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.881971830985915 ≈ 0.881972 Volt <-- XOR-Spannungs-NAND-Gate

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Anshika Arya

Nationales Institut für Technologie (NIT), Hamirpur

Anshika Arya hat diesen Rechner und 2500+ weitere Rechner verifiziert!

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XOR-Spannungs-NAND-Gatter

Gehen XOR-Spannungs-NAND-Gate = (Kapazität 2*Basiskollektorspannung)/(Kapazität 1+Kapazität 2)

XOR-Phasendetektorspannung

Gehen XOR-Phasendetektorspannung = XOR-Phasendetektorphase*Durchschnittliche Spannung des XOR-Phasendetektors

XOR-Phasendetektorphase

Gehen XOR-Phasendetektorphase = XOR-Phasendetektorspannung/Durchschnittliche Spannung des XOR-Phasendetektors

XOR-Phase Detektorphase in Bezug auf den Detektorstrom

Gehen XOR-Phasendetektorphase = XOR-Phasendetektorstrom/Durchschnittliche Spannung des XOR-Phasendetektors

Durchschnittliche Spannung des Phasendetektors

Gehen Durchschnittliche Spannung des XOR-Phasendetektors = XOR-Phasendetektorstrom/XOR-Phasendetektorphase

XOR-Phasendetektorstrom

Gehen XOR-Phasendetektorstrom = XOR-Phasendetektorphase*Durchschnittliche Spannung des XOR-Phasendetektors

Blendenzeit für steigenden Eingang

Gehen Blendenzeit für steigenden Eingang = Einrichtungszeit bei hoher Logik+Haltezeit bei niedriger Logik

Haltezeit bei niedriger Logik

Gehen Haltezeit bei niedriger Logik = Blendenzeit für steigenden Eingang-Einrichtungszeit bei hoher Logik

Setup-Zeit bei hoher Logik

Gehen Einrichtungszeit bei hoher Logik = Blendenzeit für steigenden Eingang-Haltezeit bei niedriger Logik

Blendenzeit für fallenden Eingang

Gehen Blendenzeit für fallenden Eingang = Einrichtungszeit bei niedriger Logik+Haltezeit bei hoher Logik

Rüstzeit bei niedriger Logik

Gehen Einrichtungszeit bei niedriger Logik = Blendenzeit für fallenden Eingang-Haltezeit bei hoher Logik

Haltezeit bei hoher Logik

Gehen Haltezeit bei hoher Logik = Blendenzeit für fallenden Eingang-Einrichtungszeit bei niedriger Logik

Anfangsspannung von Knoten A

Gehen Anfängliche Knotenspannung = Metastabile Spannung+Kleinsignal-Offsetspannung

Kleinsignal-Offsetspannung

Gehen Kleinsignal-Offsetspannung = Anfängliche Knotenspannung-Metastabile Spannung

Metastabile Spannung

Gehen Metastabile Spannung = Anfängliche Knotenspannung-Kleinsignal-Offsetspannung

Wahrscheinlichkeit eines Synchronisiererausfalls

Gehen Wahrscheinlichkeit eines Ausfalls des Synchronizers = 1/Akzeptable MTBF

Akzeptables MTBF

Gehen Akzeptable MTBF = 1/Wahrscheinlichkeit eines Ausfalls des Synchronizers

XOR-Spannungs-NAND-Gatter Formel

XOR-Spannungs-NAND-Gate = (Kapazität 2*Basiskollektorspannung)/(Kapazität 1+Kapazität 2)
V_x = (C_y*V_bc)/(C_x+C_y)

Erläutern Sie die Folgen der Ladungsteilung.

Dynamische Gatter unterliegen Problemen mit der Ladungsteilung. Die Ladungsteilung ist am schwerwiegendsten, wenn der Ausgang leicht belastet und die interne Kapazität groß ist. Beispielsweise können dynamische NAND-Gatter mit 4 Eingängen und komplexe AOI-Gatter die Ladung zwischen mehreren Knoten teilen. Wenn das Ladungsteilungsrauschen klein ist, stellt der Verwalter schließlich die dynamische Ausgabe auf VDD wieder her. Wenn jedoch das Ladungsteilungsrauschen groß ist, kann der Ausgang kippen und den Wächter ausschalten, was zu falschen Ergebnissen führt.

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