Angolo dell'apice calcolatrice

tan - La tangente di un angolo è il rapporto trigonometrico tra la lunghezza del lato opposto all'angolo e la lunghezza del lato adiacente all'angolo in un triangolo rettangolo., tan(Angle)

Variabili utilizzate

Angolo dell'apice - (Misurato in Radiante) - L'angolo dell'apice è l'angolo tra le linee che definiscono l'apice che è puntato sulla punta di un cono.
Alfa - Alpha è il parametro che può variare a seconda del particolare dispositivo o applicazione in esame.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Alfa: -3 --> Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

A = tan(α) --> tan((-3))

Valutare ... ...

A = 0.142546543074278

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.142546543074278 Radiante -->8.16731530233745 Grado (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

8.16731530233745 ≈ 8.167315 Grado <-- Angolo dell'apice

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 14 Dispositivi con componenti ottici Calcolatrici

Capacità di giunzione PN

Partire Capacità di giunzione = Area di giunzione PN/2*sqrt((2*[Charge-e]*Permittività relativa*[Permitivity-silicon])/(Tensione attraverso la giunzione PN-(Tensione di polarizzazione inversa))*((Concentrazione dell'accettore*Concentrazione dei donatori)/(Concentrazione dell'accettore+Concentrazione dei donatori)))

Concentrazione di elettroni in condizioni sbilanciate

Partire Concentrazione di elettroni = Concentrazione elettronica intrinseca*exp((Livello di elettroni quasi Fermi-Livello energetico intrinseco del semiconduttore)/([BoltZ]*Temperatura assoluta))

Lunghezza di diffusione della regione di transizione

Partire Lunghezza di diffusione della regione di transizione = Corrente ottica/(Carica*Area di giunzione PN*Tasso di generazione ottica)-(Larghezza di transizione+Lunghezza della giunzione lato P)

Corrente dovuta alla portante generata otticamente

Partire Corrente ottica = Carica*Area di giunzione PN*Tasso di generazione ottica*(Larghezza di transizione+Lunghezza di diffusione della regione di transizione+Lunghezza della giunzione lato P)

Picco di ritardo

Partire Picco di ritardo = (2*pi)/Lunghezza d'onda della luce*Lunghezza della fibra*Indice di rifrazione^3*Tensione di modulazione

Angolo di accettazione massimo della lente composta

Partire Angolo di accettazione = asin(Indice di rifrazione del mezzo 1*Raggio della lente*sqrt(Costante positiva))

Densità effettiva degli stati in banda di conduzione

Partire Densità effettiva degli Stati = 2*(2*pi*Massa effettiva dell'elettrone*[BoltZ]*Temperatura assoluta/[hP]^2)^(3/2)

Coefficiente di diffusione dell'elettrone

Partire Coefficiente di diffusione degli elettroni = Mobilità dell'elettrone*[BoltZ]*Temperatura assoluta/[Charge-e]

Diffrazione mediante la formula di Fresnel-Kirchoff

Partire Angolo di diffrazione = asin(1.22*Lunghezza d'onda della luce visibile/Diametro dell'apertura)

Spaziatura della frangia dato l'angolo dell'apice

Partire Spazio marginale = Lunghezza d'onda della luce visibile/(2*tan(Angolo di interferenza))

Angolo di Brewsters

Partire L'angolo di Brewster = arctan(Indice di rifrazione del mezzo 1/Indice di rifrazione)

Energia di eccitazione

Partire Energia di eccitazione = 1.6*10^-19*13.6*(Massa effettiva dell'elettrone/[Mass-e])*(1/[Permitivity-silicon]^2)

Angolo di rotazione del piano di polarizzazione

Partire Angolo di rotazione = 1.8*Densità del flusso magnetico*Lunghezza del mezzo

Angolo dell'apice

Partire Angolo dell'apice = tan(Alfa)

Angolo dell'apice Formula

Angolo dell'apice = tan(Alfa)
A = tan(α)

Cos'è la ricombinazione elettronica?

Il processo in cui un elettrone, che è stato eccitato dalla banda di valenza alla banda di conduzione di un semiconduttore, ricade in uno stato vuoto nella banda di valenza, nota come buco.

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