Угол при вершине Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Угол вершины = tan(Альфа)
A = tan(α)
В этой формуле используются 1 Функции, 2 Переменные
Используемые функции
tan - Тангенс угла — это тригонометрическое отношение длины стороны, противолежащей углу, к длине стороны, прилежащей к углу в прямоугольном треугольнике., tan(Angle)
Используемые переменные
Угол вершины - (Измеряется в Радиан) - Угол вершины — это угол между линиями, определяющими вершину, направленную на кончик конуса.
Альфа - Альфа — это параметр, который может варьироваться в зависимости от конкретного рассматриваемого устройства или приложения.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Альфа: -3 --> Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
A = tan(α) --> tan((-3))
Оценка ... ...
A = 0.142546543074278
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
0.142546543074278 Радиан -->8.16731530233745 степень (Проверьте преобразование здесь)
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
8.16731530233745 8.167315 степень <-- Угол вершины
(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Кредиты

Сделано Шобхит Димри
Технологический институт Бипина Трипати Кумаон (BTKIT), Дварахат
Шобхит Димри создал этот калькулятор и еще 900+!
Проверено Урви Ратод
Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад
Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

14 Устройства с оптическими компонентами Калькуляторы

Емкость PN-перехода
Идти Емкость перехода = Зона соединения PN/2*sqrt((2*[Charge-e]*Относительная диэлектрическая проницаемость*[Permitivity-silicon])/(Напряжение на PN-переходе-(Напряжение обратного смещения))*((Концентрация акцептора*Концентрация доноров)/(Концентрация акцептора+Концентрация доноров)))
Концентрация электронов в несбалансированном состоянии
Идти Электронная концентрация = Собственная концентрация электронов*exp((Квазифермиевский уровень электронов-Внутренний энергетический уровень полупроводника)/([BoltZ]*Абсолютная температура))
Диффузионная длина переходной области
Идти Диффузионная длина переходной области = Оптический ток/(Заряжать*Зона соединения PN*Скорость оптической генерации)-(Ширина перехода+Длина соединения стороны P)
Ток из-за оптически генерируемой несущей
Идти Оптический ток = Заряжать*Зона соединения PN*Скорость оптической генерации*(Ширина перехода+Диффузионная длина переходной области+Длина соединения стороны P)
Пиковое замедление
Идти Пиковое замедление = (2*pi)/Длина волны света*Длина волокна*Показатель преломления^3*Модуляционное напряжение
Максимальный угол приема составной линзы
Идти Угол приема = asin(Показатель преломления среды 1*Радиус линзы*sqrt(Положительная константа))
Эффективная плотность состояний в зоне проводимости
Идти Эффективная плотность состояний = 2*(2*pi*Эффективная масса электрона*[BoltZ]*Абсолютная температура/[hP]^2)^(3/2)
Коэффициент диффузии электрона
Идти Коэффициент диффузии электронов = Мобильность электрона*[BoltZ]*Абсолютная температура/[Charge-e]
Угол Брюстера
Идти Угол Брюстера = arctan(Показатель преломления среды 1/Показатель преломления)
Энергия возбуждения
Идти Энергия возбуждения = 1.6*10^-19*13.6*(Эффективная масса электрона/[Mass-e])*(1/[Permitivity-silicon]^2)
Дифракция с использованием формулы Френеля-Кирхгофа.
Идти Угол дифракции = asin(1.22*Длина волны видимого света/Диаметр апертуры)
Расстояние между краями с учетом угла вершины
Идти Граничное пространство = Длина волны видимого света/(2*tan(Угол помех))
Угол поворота плоскости поляризации
Идти Угол поворота = 1.8*Плотность магнитного потока*Длина среды
Угол при вершине
Идти Угол вершины = tan(Альфа)

Угол при вершине формула

Угол вершины = tan(Альфа)
A = tan(α)

Что такое рекомбинация электронов?

Процесс, при котором электрон, который был возбужден из валентной зоны в зону проводимости полупроводника, возвращается в пустое состояние в валентной зоне, которое известно как дырка.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!