Área de Difusão de Fonte Calculadora

↳

Eletrônicos

Ciência de materiais

Civil

Elétrico

Eletrônica e Instrumentação

Engenharia de Produção

Engenheiro químico

Mecânico

⤿

Características do circuito CMOS

Características de atraso CMOS

Características de projeto CMOS

Características de tempo CMOS

Inversores CMOS

Métricas de potência CMOS

Subsistema de Datapath de matriz

Subsistema de finalidade especial CMOS

✖O comprimento da fonte é definido como o comprimento total observado na junção da fonte do MOSFET.ⓘ Comprimento da Fonte [D_s]			+10% -10%
✖A largura de transição é definida como o aumento na largura quando a tensão do dreno para a fonte aumenta, resultando na transição da região do triodo para a região de saturação.ⓘ Largura da transição [W]			+10% -10%

✖A área de difusão da fonte é definida como o movimento líquido de qualquer coisa de uma região de maior concentração para uma região de menor concentração na porta da fonte.ⓘ Área de Difusão de Fonte [A_s]

⎘ Cópia De

👎

Fórmula

✖

Área de Difusão de Fonte

Fórmula

`"A"_{"s"} = "D"_{"s"}*"W"`

Exemplo

`"5479.02mm²"="61mm"*"89.82mm"`

Calculadora

LaTeX

Redefinir

👍

Download Características do circuito CMOS Fórmulas PDF PDF Image

Área de Difusão de Fonte Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Área de Difusão de Fonte = Comprimento da Fonte*Largura da transição
A_s = D_s*W
Esta fórmula usa 3 Variáveis

Variáveis Usadas

Área de Difusão de Fonte - (Medido em Metro quadrado) - A área de difusão da fonte é definida como o movimento líquido de qualquer coisa de uma região de maior concentração para uma região de menor concentração na porta da fonte.
Comprimento da Fonte - (Medido em Metro) - O comprimento da fonte é definido como o comprimento total observado na junção da fonte do MOSFET.
Largura da transição - (Medido em Metro) - A largura de transição é definida como o aumento na largura quando a tensão do dreno para a fonte aumenta, resultando na transição da região do triodo para a região de saturação.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Comprimento da Fonte: 61 Milímetro --> 0.061 Metro (Verifique a conversão aqui)
Largura da transição: 89.82 Milímetro --> 0.08982 Metro (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

A_s = D_s*W --> 0.061*0.08982

Avaliando ... ...

A_s = 0.00547902

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.00547902 Metro quadrado -->5479.02 Milimetros Quadrados (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

5479.02 Milimetros Quadrados <-- Área de Difusão de Fonte

(Cálculo concluído em 00.005 segundos)

Você está aqui -

Casa » Engenharia » Eletrônicos » Design e aplicações CMOS » Características do circuito CMOS » Área de Difusão de Fonte

Créditos

Criado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< 15 Características do circuito CMOS Calculadoras

Capacitância efetiva em CMOS

Vai Capacitância Efetiva em CMOS = Ciclo de trabalho*(Desatualizado*(10^(Tensão do Coletor Base)))/(Portões no Caminho Crítico*[BoltZ]*Tensão do Coletor Base)

Permissividade da Camada de Óxido

Vai Permissividade da camada de óxido = Espessura da Camada de Óxido*Capacitância da porta de entrada/(Largura do portão*Comprimento do portão)

Espessura da Camada de Óxido

Vai Espessura da Camada de Óxido = Permissividade da camada de óxido*Largura do portão*Comprimento do portão/Capacitância da porta de entrada

Largura do Portão

Vai Largura do portão = Capacitância da porta de entrada/(Capacitância da camada de óxido de porta*Comprimento do portão)

Perímetro de Difusão de Fonte de Parede Lateral

Vai Perímetro da parede lateral de difusão da fonte = (2*Largura da transição)+(2*Comprimento da Fonte)

Largura de transição do CMOS

Vai Largura da transição = Capacitância de sobreposição de porta MOS/Capacitância da Porta MOS

Largura da região de depleção

Vai Largura da região de esgotamento = Comprimento da junção PN-Comprimento Efetivo do Canal

Comprimento Efetivo do Canal

Vai Comprimento Efetivo do Canal = Comprimento da junção PN-Largura da região de esgotamento

Comprimento da junção PN

Vai Comprimento da junção PN = Largura da região de esgotamento+Comprimento Efetivo do Canal

Campo Elétrico Crítico

Vai Campo Elétrico Crítico = (2*Saturação de velocidade)/Mobilidade do Elétron

CMOS significa caminho livre

Vai Significa caminho livre = Tensão Crítica em CMOS/Campo Elétrico Crítico

Tensão Crítica CMOS

Vai Tensão Crítica em CMOS = Campo Elétrico Crítico*Significa caminho livre

Largura da Difusão da Fonte

Vai Largura da transição = Área de Difusão de Fonte/Comprimento da Fonte

Área de Difusão de Fonte

Vai Área de Difusão de Fonte = Comprimento da Fonte*Largura da transição

Tensão no Mínimo EDP

Vai Tensão no EDP Mínimo = (3*Tensão de limiar)/(3-Fator de atividade)

Área de Difusão de Fonte Fórmula

Área de Difusão de Fonte = Comprimento da Fonte*Largura da transição
A_s = D_s*W

O que você pode dizer sobre o processo de doping no CMOS?

A dopagem em CMOS é um processo de introdução de impurezas no material semicondutor para modificar suas propriedades elétricas. Este processo pode melhorar o desempenho dos dispositivos CMOS, reduzindo a resistência, aumentando a mobilidade e melhorando o isolamento entre os diferentes componentes. A dopagem pode ser realizada utilizando várias técnicas, incluindo implantação e difusão.

Casa

LIVRE PDFs

🔍 Procurar

Categorias

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!