Pérdida de potencia promedio en el resonador Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Pérdida de potencia promedio en el resonador = (Resistencia superficial del resonador/2)*(int(((Valor máximo de intensidad magnética tangencial)^2)*x,x,0,Radio del resonador))
P = (Rs/2)*(int(((Ht)^2)*x,x,0,rr))
Esta fórmula usa 1 Funciones, 4 Variables
Funciones utilizadas
int - La integral definida se puede utilizar para calcular el área neta con signo, que es el área sobre el eje x menos el área debajo del eje x., int(expr, arg, from, to)
Variables utilizadas
Pérdida de potencia promedio en el resonador - (Medido en Vatio) - La pérdida de potencia promedio en el resonador se puede evaluar integrando la densidad de potencia sobre la superficie interna del resonador.
Resistencia superficial del resonador - (Medido en Ohm) - La resistencia superficial del resonador es la relación entre el voltaje aplicado y la corriente que fluye desde dos electrodos.
Valor máximo de intensidad magnética tangencial - (Medido en Amperio por Metro) - El valor máximo de intensidad magnética tangencial es el valor máximo de la intensidad magnética tangencial, que es una intensidad de campo magnético.
Radio del resonador - (Medido en Metro) - El radio del resonador es el radio que se utiliza para calcular la pérdida de potencia promedio en el resonador.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Resistencia superficial del resonador: 5.2 Ohm --> 5.2 Ohm No se requiere conversión
Valor máximo de intensidad magnética tangencial: 2 Amperio por Metro --> 2 Amperio por Metro No se requiere conversión
Radio del resonador: 2 Metro --> 2 Metro No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
P = (Rs/2)*(int(((Ht)^2)*x,x,0,rr)) --> (5.2/2)*(int(((2)^2)*x,x,0,2))
Evaluar ... ...
P = 20.8
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
20.8 Vatio --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
20.8 Vatio <-- Pérdida de potencia promedio en el resonador
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

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Creado por Sheik Zaheer
Facultad de Ingeniería Seshadri Rao Gudlavalleru (SRGEC), Gudlavalleru
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Verificada por Dipanjona Mallick
Instituto Tecnológico del Patrimonio (hitk), Calcuta
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20 tubo de haz Calculadoras

Voltaje de microondas en el espacio del Buncher
​ Vamos Voltaje de microondas en la brecha del Buncher = (Amplitud de señal/(Frecuencia angular del voltaje de microondas*Tiempo promedio de tránsito))*(cos(Frecuencia angular del voltaje de microondas*Introducir la hora)-cos(Frecuencia angular resonante+(Frecuencia angular del voltaje de microondas*Distancia de separación del apilador)/Velocidad del electrón))
Potencia de salida de RF
​ Vamos Potencia de salida de RF = Potencia de entrada de RF*exp(-2*Constante de atenuación de RF*Longitud del circuito de RF)+int((Energía de RF generada/Longitud del circuito de RF)*exp(-2*Constante de atenuación de RF*(Longitud del circuito de RF-x)),x,0,Longitud del circuito de RF)
Voltaje del repelente
​ Vamos Voltaje repelente = sqrt((8*Frecuencia angular^2*Longitud del espacio de deriva^2*Voltaje de haz pequeño)/((2*pi*Número de oscilación)-(pi/2))^2*([Mass-e]/[Charge-e]))-Voltaje de haz pequeño
Agotamiento total del sistema WDM
​ Vamos Agotamiento total de un sistema WDM = sum(x,2,número de canales,Coeficiente de ganancia Raman*Poder del canal*Longitud efectiva/Area efectiva)
Pérdida de potencia promedio en el resonador
​ Vamos Pérdida de potencia promedio en el resonador = (Resistencia superficial del resonador/2)*(int(((Valor máximo de intensidad magnética tangencial)^2)*x,x,0,Radio del resonador))
Frecuencia de plasma
​ Vamos Frecuencia plasmática = sqrt(([Charge-e]*Densidad de carga de electrones CC)/([Mass-e]*[Permitivity-vacuum]))
Energía total almacenada en el resonador
​ Vamos Energía total almacenada en el resonador = int((Permitividad del medio/2*Intensidad del campo eléctrico^2)*x,x,0,Volumen del resonador)
Profundo en la piel
​ Vamos Profundo en la piel = sqrt(Resistividad/(pi*Permeabilidad relativa*Frecuencia))
Densidad de corriente total del haz de electrones
​ Vamos Densidad de corriente total del haz de electrones = -Densidad de corriente del haz de CC+Perturbación instantánea de la corriente del haz de RF
Frecuencia portadora en línea espectral
​ Vamos Frecuencia de carga = Frecuencia de línea espectral-Número de muestras*Frecuencia de repetición
Velocidad total de los electrones
​ Vamos Velocidad total de los electrones = Velocidad del electrón CC+Perturbación instantánea de la velocidad del electrón
Densidad de carga total
​ Vamos Densidad de carga total = -Densidad de carga de electrones CC+Densidad de carga de RF instantánea
Frecuencia de plasma reducida
​ Vamos Frecuencia plasmática reducida = Frecuencia plasmática*Factor de reducción de carga espacial
Energía obtenida de la fuente de alimentación de CC
​ Vamos Fuente de alimentación DC = Energía generada en el circuito anódico/Eficiencia Electrónica
Potencia generada en el circuito del ánodo
​ Vamos Energía generada en el circuito anódico = Fuente de alimentación DC*Eficiencia Electrónica
Ganancia máxima de voltaje en resonancia
​ Vamos Ganancia máxima de voltaje en resonancia = Transconductancia/Conductancia
Pico de potencia de pulso de microondas rectangular
​ Vamos Potencia máxima de pulso = Energía promedio/Ciclo de trabajo
Pérdida de retorno
​ Vamos Pérdida de retorno = -20*log10(Coeficiente de reflexión)
Energía CA suministrada por el voltaje del haz
​ Vamos Fuente de alimentación de CA = (Voltaje*Actual)/2
Energía CC suministrada por el voltaje del haz
​ Vamos Fuente de alimentación DC = Voltaje*Actual

Pérdida de potencia promedio en el resonador Fórmula

Pérdida de potencia promedio en el resonador = (Resistencia superficial del resonador/2)*(int(((Valor máximo de intensidad magnética tangencial)^2)*x,x,0,Radio del resonador))
P = (Rs/2)*(int(((Ht)^2)*x,x,0,rr))
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