✖Extensión lateral de la región de agotamiento con la fuente la distancia horizontal a través de la cual la región de agotamiento se extiende lateralmente desde el terminal fuente en un dispositivo semiconductor.ⓘ Extensión lateral de la región de agotamiento con fuente [ΔLs] | | | +10% -10% |
✖Extensión lateral de la región de agotamiento con drenaje la distancia horizontal a través de la cual la región de agotamiento se extiende lateralmente desde el terminal de drenaje en un dispositivo semiconductor.ⓘ Extensión lateral de la región de agotamiento con drenaje [ΔLD] | | | +10% -10% |
✖La longitud del canal se refiere a la longitud física del material semiconductor entre los terminales de fuente y drenaje dentro de la estructura del transistor.ⓘ Longitud del canal [L] | | | +10% -10% |
✖La concentración del aceptor se refiere a la concentración de átomos dopantes aceptores en un material semiconductor.ⓘ Concentración de aceptor [NA] | | | +10% -10% |
✖El potencial de superficie es un parámetro clave en la evaluación de la propiedad de CC de los transistores de película delgada.ⓘ Potencial de superficie [Φs] | | | +10% -10% |