Gebrauchte Formel
Ladungsdichte der Bulk-Depletion-Region = -(1-((Laterale Ausdehnung der Verarmungsregion mit Quelle+Laterale Ausdehnung der Verarmungsregion mit Abfluss)/(2*Kanallänge)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Akzeptorkonzentration*abs(2*Oberflächenpotential))QB0 = -(1-((ΔLs+ΔLD)/(2*L)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*NA*abs(2*Φs))Diese formel verwendet
3 Konstanten,
2 Funktionen,
6 Variablen Verwendete Konstanten
[Permitivity-silicon] - Permittivität von Silizium Wert genommen als 11.7
[Permitivity-vacuum] - Permittivität des Vakuums Wert genommen als 8.85E-12
[Charge-e] - Ladung eines Elektrons Wert genommen als 1.60217662E-19
Verwendete Funktionen
sqrt - Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt., sqrt(Number)
abs - Der Absolutwert einer Zahl ist ihr Abstand vom Nullpunkt auf der Zahlengeraden. Es ist immer ein positiver Wert, da er die Größe einer Zahl darstellt, ohne deren Richtung zu berücksichtigen., abs(Number)
Verwendete Variablen
Ladungsdichte der Bulk-Depletion-Region -
(Gemessen in Coulomb pro Quadratmeter) - Die Ladungsdichte der Massenverarmungsregion ist definiert als elektrische Ladung pro Flächeneinheit, die der Verarmungsregion in der Masse eines Halbleiterbauelements zugeordnet ist.
Laterale Ausdehnung der Verarmungsregion mit Quelle -
(Gemessen in Meter) - Laterale Ausdehnung des Verarmungsbereichs mit Quelle ist die horizontale Entfernung, über die sich der Verarmungsbereich seitlich vom Source-Anschluss in einem Halbleiterbauelement erstreckt.
Laterale Ausdehnung der Verarmungsregion mit Abfluss -
(Gemessen in Meter) - Laterale Ausdehnung des Verarmungsbereichs mit Drain ist der horizontale Abstand, über den sich der Verarmungsbereich seitlich vom Drain-Anschluss in einem Halbleiterbauelement erstreckt.
Kanallänge -
(Gemessen in Meter) - Die Kanallänge bezieht sich auf die physikalische Länge des Halbleitermaterials zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen innerhalb der Transistorstruktur.
Akzeptorkonzentration -
(Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Unter Akzeptorkonzentration versteht man die Konzentration von Akzeptor-Dotierstoffatomen in einem Halbleitermaterial.
Oberflächenpotential -
(Gemessen in Volt) - Das Oberflächenpotential ist ein Schlüsselparameter bei der Bewertung der Gleichstromeigenschaft von Dünnschichttransistoren.