Tension de sortie de porte commune Calculatrice

✖La transconductance est définie comme le rapport entre la variation du courant de sortie et la variation de la tension d'entrée, la tension grille-source étant maintenue constante.ⓘ Transconductance [g_m]			+10% -10%
✖La tension critique est la phase minimale par rapport à la tension neutre qui brille et apparaît tout au long du conducteur de ligne.ⓘ Tension critique [V_c]			+10% -10%
✖La résistance de charge est la résistance externe connectée entre la borne de drain du MOSFET et la tension d'alimentation.ⓘ Résistance à la charge [R_L]			+10% -10%
✖La résistance de grille est la résistance qui se produit lorsqu'une tension est appliquée aux bornes d'une grille et d'une source MOSFET. Cela est dû à la couche isolante qui sépare les bornes de grille et de source.ⓘ Résistance de porte [R_gate]			+10% -10%

✖La tension de sortie est la différence de potentiel électrique qui est fournie à une charge par une alimentation et elle joue un rôle essentiel dans la détermination des performances et de la fiabilité des systèmes électroniques.ⓘ Tension de sortie de porte commune [V_out]

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Formule

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Tension de sortie de porte commune

Formule

`"V"_{"out"} = -("g"_{"m"}*"V"_{"c"})*(("R"_{"L"}*"R"_{"gate"})/("R"_{"gate"}+"R"_{"L"}))`

Exemple

`"-0.0022V"=-("0.5mS"*"0.284V")*(("0.28kΩ"*"16.4Ω")/("16.4Ω"+"0.28kΩ"))`

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Tension de sortie de porte commune Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Tension de sortie = -(Transconductance*Tension critique)*((Résistance à la charge*Résistance de porte)/(Résistance de porte+Résistance à la charge))
V_out = -(g_m*V_c)*((R_L*R_gate)/(R_gate+R_L))
Cette formule utilise 5 Variables

Variables utilisées

Tension de sortie - (Mesuré en Volt) - La tension de sortie est la différence de potentiel électrique qui est fournie à une charge par une alimentation et elle joue un rôle essentiel dans la détermination des performances et de la fiabilité des systèmes électroniques.
Transconductance - (Mesuré en Siemens) - La transconductance est définie comme le rapport entre la variation du courant de sortie et la variation de la tension d'entrée, la tension grille-source étant maintenue constante.
Tension critique - (Mesuré en Volt) - La tension critique est la phase minimale par rapport à la tension neutre qui brille et apparaît tout au long du conducteur de ligne.
Résistance à la charge - (Mesuré en Ohm) - La résistance de charge est la résistance externe connectée entre la borne de drain du MOSFET et la tension d'alimentation.
Résistance de porte - (Mesuré en Ohm) - La résistance de grille est la résistance qui se produit lorsqu'une tension est appliquée aux bornes d'une grille et d'une source MOSFET. Cela est dû à la couche isolante qui sépare les bornes de grille et de source.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Transconductance: 0.5 millisiemens --> 0.0005 Siemens (Vérifiez la conversion ici)
Tension critique: 0.284 Volt --> 0.284 Volt Aucune conversion requise
Résistance à la charge: 0.28 Kilohm --> 280 Ohm (Vérifiez la conversion ici)
Résistance de porte: 16.4 Ohm --> 16.4 Ohm Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

V_out = -(g_m*V_c)*((R_L*R_gate)/(R_gate+R_L)) --> -(0.0005*0.284)*((280*16.4)/(16.4+280))

Évaluer ... ...

V_out = -0.00219994601889339

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

-0.00219994601889339 Volt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

-0.00219994601889339 ≈ -0.0022 Volt <-- Tension de sortie

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Ritwik Tripathi

Institut de technologie de Vellore (VIT Velloré), Vellore

Ritwik Tripathi a créé cette calculatrice et 10+ autres calculatrices!

Vérifié par Parminder Singh

Université de Chandigarh (UC), Pendjab

Parminder Singh a validé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

< 20 Tension Calculatrices

Conductance du canal du MOSFET utilisant la tension grille à source

Aller Conductance du canal = Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*Largeur de canal/Longueur du canal*(Tension grille-source-Tension de seuil)

Tension de sortie de porte commune

Aller Tension de sortie = -(Transconductance*Tension critique)*((Résistance à la charge*Résistance de porte)/(Résistance de porte+Résistance à la charge))

Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET donné Signal de mode commun

Aller Tension de vidange Q1 = -Résistance de sortie*(Transconductance*Signal d'entrée en mode commun)/(1+(2*Transconductance*Résistance de sortie))

Tension aux bornes de la grille et de la source du MOSFET en fonctionnement avec une tension d'entrée différentielle

Aller Tension grille-source = Tension de seuil+sqrt((2*Courant de polarisation CC)/(Paramètre de transconductance de processus*Ratio d'aspect))

Tension d'entrée source

Aller Tension d'entrée source = Tension d'entrée*(Résistance de l'amplificateur d'entrée/(Résistance de l'amplificateur d'entrée+Résistance de source équivalente))

Tension porte-source d'entrée

Aller Tension critique = (Résistance de l'amplificateur d'entrée/(Résistance de l'amplificateur d'entrée+Résistance de source équivalente))*Tension d'entrée

Tension de sortie au drain Q2 du MOSFET donné Signal de mode commun

Aller Tension de vidange Q2 = -(Résistance de sortie/((1/Transconductance)+2*Résistance de sortie))*Signal d'entrée en mode commun

Tension aux bornes de la porte et de la source du MOSFET compte tenu du courant d'entrée

Aller Tension grille-source = Courant d'entrée/(Fréquence angulaire*(Capacité de la porte source+Capacité de vidange de porte))

Tension positive donnée Paramètre de l'appareil dans le MOSFET

Aller Courant d'entrée = Tension grille-source*(Fréquence angulaire*(Capacité de la porte source+Capacité de vidange de porte))

Tension de surmultiplication lorsque MOSFET agit comme amplificateur avec résistance de charge

Aller Transconductance = Courant total/(Signal d'entrée en mode commun-(2*Courant total*Résistance de sortie))

Signal de tension incrémental de l'amplificateur différentiel

Aller Signal d'entrée en mode commun = (Courant total/Transconductance)+(2*Courant total*Résistance de sortie)

Tension au drain Q2 dans MOSFET

Aller Tension de sortie = -(Résistance de charge totale du MOSFET/(2*Résistance de sortie))*Signal d'entrée en mode commun

Tension au drain Q1 du MOSFET

Aller Tension de sortie = -(Résistance de charge totale du MOSFET/(2*Résistance de sortie))*Signal d'entrée en mode commun

Tension de saturation du MOSFET

Aller Tension de saturation du drain et de la source = Tension grille-source-Tension de seuil

Tension de surmultiplication

Aller Tension de surmultiplication = (2*Courant de vidange)/Transconductance

Tension aux bornes de la porte à la source du MOSFET sur la tension d'entrée différentielle donnée à la tension de surcharge

Aller Tension grille-source = Tension de seuil+1.4*Tension efficace

Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET

Aller Tension de vidange Q1 = -(Résistance de sortie*Courant total)

Tension de sortie au drain Q2 du MOSFET

Aller Tension de vidange Q2 = -(Résistance de sortie*Courant total)

Tension de seuil lorsque MOSFET agit comme amplificateur

Aller Tension de seuil = Tension grille-source-Tension efficace

Tension de seuil du MOSFET

Aller Tension de seuil = Tension grille-source-Tension efficace

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