Napięcie wyjściowe wspólnej bramki Kalkulator

✖Transkonduktancja jest definiowana jako stosunek zmiany prądu wyjściowego do zmiany napięcia wejściowego, przy stałym napięciu bramki-źródła.ⓘ Transkonduktancja [g_m]			+10% -10%
✖Napięcie krytyczne to minimalna faza napięcia neutralnego, która świeci i pojawia się wzdłuż przewodu liniowego.ⓘ Napięcie krytyczne [V_c]			+10% -10%
✖Rezystancja obciążenia to rezystancja zewnętrzna połączona pomiędzy zaciskiem drenu MOSFET a napięciem zasilania.ⓘ Odporność na obciążenie [R_L]			+10% -10%
✖Rezystancja bramki to rezystancja występująca po przyłożeniu napięcia do bramki i źródła MOSFET. Jest to spowodowane warstwą izolacyjną oddzielającą zaciski bramki od źródła.ⓘ Opór bramy [R_gate]			+10% -10%

✖Napięcie wyjściowe to różnica potencjałów elektrycznych, która jest dostarczana do obciążenia przez zasilacz i odgrywa kluczową rolę w określaniu wydajności i niezawodności systemów elektronicznych.ⓘ Napięcie wyjściowe wspólnej bramki [V_out]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Napięcie wyjściowe wspólnej bramki

Formuła

`"V"_{"out"} = -("g"_{"m"}*"V"_{"c"})*(("R"_{"L"}*"R"_{"gate"})/("R"_{"gate"}+"R"_{"L"}))`

Przykład

`"-0.0022V"=-("0.5mS"*"0.284V")*(("0.28kΩ"*"16.4Ω")/("16.4Ω"+"0.28kΩ"))`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image

Napięcie wyjściowe wspólnej bramki Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Napięcie wyjściowe = -(Transkonduktancja*Napięcie krytyczne)*((Odporność na obciążenie*Opór bramy)/(Opór bramy+Odporność na obciążenie))
V_out = -(g_m*V_c)*((R_L*R_gate)/(R_gate+R_L))
Ta formuła używa 5 Zmienne

Używane zmienne

Napięcie wyjściowe - (Mierzone w Wolt) - Napięcie wyjściowe to różnica potencjałów elektrycznych, która jest dostarczana do obciążenia przez zasilacz i odgrywa kluczową rolę w określaniu wydajności i niezawodności systemów elektronicznych.
Transkonduktancja - (Mierzone w Siemens) - Transkonduktancja jest definiowana jako stosunek zmiany prądu wyjściowego do zmiany napięcia wejściowego, przy stałym napięciu bramki-źródła.
Napięcie krytyczne - (Mierzone w Wolt) - Napięcie krytyczne to minimalna faza napięcia neutralnego, która świeci i pojawia się wzdłuż przewodu liniowego.
Odporność na obciążenie - (Mierzone w Om) - Rezystancja obciążenia to rezystancja zewnętrzna połączona pomiędzy zaciskiem drenu MOSFET a napięciem zasilania.
Opór bramy - (Mierzone w Om) - Rezystancja bramki to rezystancja występująca po przyłożeniu napięcia do bramki i źródła MOSFET. Jest to spowodowane warstwą izolacyjną oddzielającą zaciski bramki od źródła.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Transkonduktancja: 0.5 Millisiemens --> 0.0005 Siemens (Sprawdź konwersję tutaj)
Napięcie krytyczne: 0.284 Wolt --> 0.284 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Odporność na obciążenie: 0.28 Kilohm --> 280 Om (Sprawdź konwersję tutaj)
Opór bramy: 16.4 Om --> 16.4 Om Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

V_out = -(g_m*V_c)*((R_L*R_gate)/(R_gate+R_L)) --> -(0.0005*0.284)*((280*16.4)/(16.4+280))

Ocenianie ... ...

V_out = -0.00219994601889339

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

-0.00219994601889339 Wolt --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

-0.00219994601889339 ≈ -0.0022 Wolt <-- Napięcie wyjściowe

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Napięcie » Napięcie wyjściowe wspólnej bramki

Kredyty

Stworzone przez Ritwik Tripathi

Vellore Instytut Technologiczny (VIT Vellore), Vellore

Ritwik Tripathi utworzył ten kalkulator i 10+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Parminder Singh

Uniwersytet Chandigarh (CU), Pendżab

Parminder Singh zweryfikował ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

< 20 Napięcie Kalkulatory

Przewodnictwo kanału MOSFET przy użyciu napięcia bramki-źródła

Iść Przewodnictwo kanału = Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału*Pojemność tlenkowa*Szerokość kanału/Długość kanału*(Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia)

Napięcie wyjściowe wspólnej bramki

Iść Napięcie wyjściowe = -(Transkonduktancja*Napięcie krytyczne)*((Odporność na obciążenie*Opór bramy)/(Opór bramy+Odporność na obciążenie))

Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym

Iść Napięcie drenu Q1 = -Rezystancja wyjściowa*(Transkonduktancja*Sygnał wejściowy trybu wspólnego)/(1+(2*Transkonduktancja*Rezystancja wyjściowa))

Napięcie na bramce i źródle tranzystora MOSFET podczas pracy z różnicowym napięciem wejściowym

Iść Napięcie bramka-źródło = Próg napięcia+sqrt((2*Prąd polaryzacji DC)/(Parametr transkonduktancji procesu*Współczynnik proporcji))

Źródło napięcia wejściowego

Iść Źródło napięcia wejściowego = Napięcie wejściowe*(Rezystancja wzmacniacza wejściowego/(Rezystancja wzmacniacza wejściowego+Równoważna rezystancja źródła))

Napięcie wejściowe bramka-źródło

Iść Napięcie krytyczne = (Rezystancja wzmacniacza wejściowego/(Rezystancja wzmacniacza wejściowego+Równoważna rezystancja źródła))*Napięcie wejściowe

Napięcie wyjściowe na drenie Q2 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym

Iść Napięcie drenu Q2 = -(Rezystancja wyjściowa/((1/Transkonduktancja)+2*Rezystancja wyjściowa))*Sygnał wejściowy trybu wspólnego

Napięcie na bramce i źródle tranzystora MOSFET przy danym prądzie wejściowym

Iść Napięcie bramka-źródło = Prąd wejściowy/(Częstotliwość kątowa*(Pojemność bramki źródłowej+Pojemność bramowo-drenowa))

Napięcie dodatnie podane w parametrze urządzenia w tranzystorze MOSFET

Iść Prąd wejściowy = Napięcie bramka-źródło*(Częstotliwość kątowa*(Pojemność bramki źródłowej+Pojemność bramowo-drenowa))

Napięcie przesterowania, gdy MOSFET działa jako wzmacniacz z rezystancją obciążenia

Iść Transkonduktancja = Całkowity prąd/(Sygnał wejściowy trybu wspólnego-(2*Całkowity prąd*Rezystancja wyjściowa))

Przyrostowy sygnał napięciowy wzmacniacza różnicowego

Iść Sygnał wejściowy trybu wspólnego = (Całkowity prąd/Transkonduktancja)+(2*Całkowity prąd*Rezystancja wyjściowa)

Napięcie na drenie Q1 tranzystora MOSFET

Iść Napięcie wyjściowe = -(Całkowita rezystancja obciążenia MOSFET/(2*Rezystancja wyjściowa))*Sygnał wejściowy trybu wspólnego

Napięcie na drenie Q2 w MOSFET

Iść Napięcie wyjściowe = -(Całkowita rezystancja obciążenia MOSFET/(2*Rezystancja wyjściowa))*Sygnał wejściowy trybu wspólnego

Napięcie nasycenia tranzystora MOSFET

Iść Napięcie nasycenia drenu i źródła = Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia

Napięcie między bramką a źródłem tranzystora MOSFET na różnicowym napięciu wejściowym przy napięciu przesterowania

Iść Napięcie bramka-źródło = Próg napięcia+1.4*Efektywne napięcie

Napięcie przesterowania

Iść Napięcie przesterowania = (2*Prąd spustowy)/Transkonduktancja

Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET

Iść Napięcie drenu Q1 = -(Rezystancja wyjściowa*Całkowity prąd)

Napięcie wyjściowe na drenie Q2 tranzystora MOSFET

Iść Napięcie drenu Q2 = -(Rezystancja wyjściowa*Całkowity prąd)

Napięcie progowe, gdy MOSFET działa jako wzmacniacz

Iść Próg napięcia = Napięcie bramka-źródło-Efektywne napięcie

Napięcie progowe MOSFET-u

Iść Próg napięcia = Napięcie bramka-źródło-Efektywne napięcie

Napięcie wyjściowe wspólnej bramki Formułę

Napięcie wyjściowe = -(Transkonduktancja*Napięcie krytyczne)*((Odporność na obciążenie*Opór bramy)/(Opór bramy+Odporność na obciążenie))
V_out = -(g_m*V_c)*((R_L*R_gate)/(R_gate+R_L))

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!