Gemeinsame Gate-Ausgangsspannung Taschenrechner

✖Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.ⓘ Steilheit [g_m]			+10% -10%
✖Die kritische Spannung ist die minimale Phase der Neutralleiterspannung, die entlang des gesamten Außenleiters leuchtet und auftritt.ⓘ Kritische Spannung [V_c]			+10% -10%
✖Der Lastwiderstand ist der externe Widerstand, der zwischen dem Drain-Anschluss des MOSFET und der Versorgungsspannung angeschlossen ist.ⓘ Lastwiderstand [R_L]			+10% -10%
✖Der Gate-Widerstand ist der Widerstand, der auftritt, wenn eine Spannung an Gate und Source eines MOSFET angelegt wird. Es wird durch die Isolierschicht verursacht, die die Gate- und Source-Anschlüsse trennt.ⓘ Torwiderstand [R_gate]			+10% -10%

✖Die Ausgangsspannung ist die elektrische Potentialdifferenz, die von einer Stromversorgung an eine Last geliefert wird, und sie spielt eine entscheidende Rolle bei der Bestimmung der Leistung und Zuverlässigkeit elektronischer Systeme.ⓘ Gemeinsame Gate-Ausgangsspannung [V_out]

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Formel

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Gemeinsame Gate-Ausgangsspannung

Formel

`"V"_{"out"} = -("g"_{"m"}*"V"_{"c"})*(("R"_{"L"}*"R"_{"gate"})/("R"_{"gate"}+"R"_{"L"}))`

Beispiel

`"-0.0022V"=-("0.5mS"*"0.284V")*(("0.28kΩ"*"16.4Ω")/("16.4Ω"+"0.28kΩ"))`

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Gemeinsame Gate-Ausgangsspannung Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Ausgangsspannung = -(Steilheit*Kritische Spannung)*((Lastwiderstand*Torwiderstand)/(Torwiderstand+Lastwiderstand))
V_out = -(g_m*V_c)*((R_L*R_gate)/(R_gate+R_L))
Diese formel verwendet 5 Variablen

Verwendete Variablen

Ausgangsspannung - (Gemessen in Volt) - Die Ausgangsspannung ist die elektrische Potentialdifferenz, die von einer Stromversorgung an eine Last geliefert wird, und sie spielt eine entscheidende Rolle bei der Bestimmung der Leistung und Zuverlässigkeit elektronischer Systeme.
Steilheit - (Gemessen in Siemens) - Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.
Kritische Spannung - (Gemessen in Volt) - Die kritische Spannung ist die minimale Phase der Neutralleiterspannung, die entlang des gesamten Außenleiters leuchtet und auftritt.
Lastwiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Lastwiderstand ist der externe Widerstand, der zwischen dem Drain-Anschluss des MOSFET und der Versorgungsspannung angeschlossen ist.
Torwiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Gate-Widerstand ist der Widerstand, der auftritt, wenn eine Spannung an Gate und Source eines MOSFET angelegt wird. Es wird durch die Isolierschicht verursacht, die die Gate- und Source-Anschlüsse trennt.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Steilheit: 0.5 Millisiemens --> 0.0005 Siemens (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Kritische Spannung: 0.284 Volt --> 0.284 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Lastwiderstand: 0.28 Kiloohm --> 280 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Torwiderstand: 16.4 Ohm --> 16.4 Ohm Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

V_out = -(g_m*V_c)*((R_L*R_gate)/(R_gate+R_L)) --> -(0.0005*0.284)*((280*16.4)/(16.4+280))

Auswerten ... ...

V_out = -0.00219994601889339

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

-0.00219994601889339 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

-0.00219994601889339 ≈ -0.0022 Volt <-- Ausgangsspannung

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Ritwik Tripathi

Vellore Institut für Technologie (VIT Vellore), Vellore

Ritwik Tripathi hat diesen Rechner und 10+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Parminder Singh

Chandigarh-Universität (KU), Punjab

Parminder Singh hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner verifiziert!

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Leitfähigkeit des Kanals des MOSFET unter Verwendung der Gate-Source-Spannung

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Gemeinsame Gate-Ausgangsspannung

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Gehen Eingangsstrom = Gate-Source-Spannung*(Winkelfrequenz*(Source-Gate-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität))

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Gehen Ausgangsspannung = -(Gesamtlastwiderstand des MOSFET/(2*Ausgangswiderstand))*Gleichtakt-Eingangssignal

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Gehen Ausgangsspannung = -(Gesamtlastwiderstand des MOSFET/(2*Ausgangswiderstand))*Gleichtakt-Eingangssignal

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Schwellenspannung des MOSFET

Gehen Grenzspannung = Gate-Source-Spannung-Effektive Spannung

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Gehen Drain-Spannung Q2 = -(Ausgangswiderstand*Gesamtstrom)

Overdrive-Spannung

Gehen Overdrive-Spannung = (2*Stromverbrauch)/Steilheit

Gemeinsame Gate-Ausgangsspannung Formel

Ausgangsspannung = -(Steilheit*Kritische Spannung)*((Lastwiderstand*Torwiderstand)/(Torwiderstand+Lastwiderstand))
V_out = -(g_m*V_c)*((R_L*R_gate)/(R_gate+R_L))

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