Tensione di uscita del gate comune calcolatrice

✖La transconduttanza è definita come il rapporto tra la variazione della corrente di uscita e la variazione della tensione di ingresso, con la tensione gate-source mantenuta costante.ⓘ Transconduttanza [g_m]			+10% -10%
✖La tensione critica è la fase minima rispetto alla tensione neutra che si illumina e appare lungo tutto il conduttore di linea.ⓘ Tensione critica [V_c]			+10% -10%
✖La resistenza di carico è la resistenza esterna collegata tra il terminale di drain del MOSFET e la tensione di alimentazione.ⓘ Resistenza al carico [R_L]			+10% -10%
✖La resistenza di gate è la resistenza che si verifica quando viene applicata una tensione al gate e alla sorgente del MOSFET. È causato dallo strato isolante che separa i terminali di gate e source.ⓘ Resistenza al cancello [R_gate]			+10% -10%

✖La tensione di uscita è la differenza di potenziale elettrico fornita a un carico da un alimentatore e svolge un ruolo fondamentale nel determinare le prestazioni e l'affidabilità dei sistemi elettronici.ⓘ Tensione di uscita del gate comune [V_out]

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Formula

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Tensione di uscita del gate comune

Formula

`"V"_{"out"} = -("g"_{"m"}*"V"_{"c"})*(("R"_{"L"}*"R"_{"gate"})/("R"_{"gate"}+"R"_{"L"}))`

Esempio

`"-0.0022V"=-("0.5mS"*"0.284V")*(("0.28kΩ"*"16.4Ω")/("16.4Ω"+"0.28kΩ"))`

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Tensione di uscita del gate comune Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Tensione di uscita = -(Transconduttanza*Tensione critica)*((Resistenza al carico*Resistenza al cancello)/(Resistenza al cancello+Resistenza al carico))
V_out = -(g_m*V_c)*((R_L*R_gate)/(R_gate+R_L))
Questa formula utilizza 5 Variabili

Variabili utilizzate

Tensione di uscita - (Misurato in Volt) - La tensione di uscita è la differenza di potenziale elettrico fornita a un carico da un alimentatore e svolge un ruolo fondamentale nel determinare le prestazioni e l'affidabilità dei sistemi elettronici.
Transconduttanza - (Misurato in Siemens) - La transconduttanza è definita come il rapporto tra la variazione della corrente di uscita e la variazione della tensione di ingresso, con la tensione gate-source mantenuta costante.
Tensione critica - (Misurato in Volt) - La tensione critica è la fase minima rispetto alla tensione neutra che si illumina e appare lungo tutto il conduttore di linea.
Resistenza al carico - (Misurato in Ohm) - La resistenza di carico è la resistenza esterna collegata tra il terminale di drain del MOSFET e la tensione di alimentazione.
Resistenza al cancello - (Misurato in Ohm) - La resistenza di gate è la resistenza che si verifica quando viene applicata una tensione al gate e alla sorgente del MOSFET. È causato dallo strato isolante che separa i terminali di gate e source.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Transconduttanza: 0.5 Millisiemens --> 0.0005 Siemens (Controlla la conversione qui)
Tensione critica: 0.284 Volt --> 0.284 Volt Nessuna conversione richiesta
Resistenza al carico: 0.28 Kilohm --> 280 Ohm (Controlla la conversione qui)
Resistenza al cancello: 16.4 Ohm --> 16.4 Ohm Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

V_out = -(g_m*V_c)*((R_L*R_gate)/(R_gate+R_L)) --> -(0.0005*0.284)*((280*16.4)/(16.4+280))

Valutare ... ...

V_out = -0.00219994601889339

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

-0.00219994601889339 Volt --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

-0.00219994601889339 ≈ -0.0022 Volt <-- Tensione di uscita

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Ritwik Tripati

Vellore Institute of Technology (VITVellore), Vellore

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Verificato da Parminder Singh

Università di Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh ha verificato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

< 20 Voltaggio Calcolatrici

Conduttanza del canale del MOSFET utilizzando la tensione da gate a source

Partire Conduttanza del canale = Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità dell'ossido*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio)

Tensione di uscita del gate comune

Partire Tensione di uscita = -(Transconduttanza*Tensione critica)*((Resistenza al carico*Resistenza al cancello)/(Resistenza al cancello+Resistenza al carico))

Tensione di ingresso della sorgente

Partire Tensione di ingresso della sorgente = Tensione di ingresso*(Resistenza dell'amplificatore di ingresso/(Resistenza dell'amplificatore di ingresso+Resistenza della sorgente equivalente))

Tensione di uscita al Drain Q1 del MOSFET dato il segnale di modo comune

Partire Tensione di scarico Q1 = -Resistenza di uscita*(Transconduttanza*Segnale di ingresso in modalità comune)/(1+(2*Transconduttanza*Resistenza di uscita))

Tensione tra gate e sorgente del MOSFET durante il funzionamento con tensione di ingresso differenziale

Partire Tensione gate-source = Soglia di voltaggio+sqrt((2*Corrente di polarizzazione CC)/(Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni))

Tensione gate-to-source in ingresso

Partire Tensione critica = (Resistenza dell'amplificatore di ingresso/(Resistenza dell'amplificatore di ingresso+Resistenza della sorgente equivalente))*Tensione di ingresso

Tensione di uscita al Drain Q2 del MOSFET dato il segnale di modo comune

Partire Tensione di scarico Q2 = -(Resistenza di uscita/((1/Transconduttanza)+2*Resistenza di uscita))*Segnale di ingresso in modalità comune

Tensione tra gate e sorgente del MOSFET data la corrente di ingresso

Partire Tensione gate-source = Corrente di ingresso/(Frequenza angolare*(Capacità del gate della sorgente+Capacità di gate-drain))

Tensione positiva data il parametro del dispositivo nel MOSFET

Partire Corrente di ingresso = Tensione gate-source*(Frequenza angolare*(Capacità del gate della sorgente+Capacità di gate-drain))

Tensione di overdrive quando il MOSFET funge da amplificatore con resistenza di carico

Partire Transconduttanza = Corrente totale/(Segnale di ingresso in modalità comune-(2*Corrente totale*Resistenza di uscita))

Segnale di tensione incrementale dell'amplificatore differenziale

Partire Segnale di ingresso in modalità comune = (Corrente totale/Transconduttanza)+(2*Corrente totale*Resistenza di uscita)

Tensione al Drain Q1 del MOSFET

Partire Tensione di uscita = -(Resistenza di carico totale del MOSFET/(2*Resistenza di uscita))*Segnale di ingresso in modalità comune

Tensione al Drain Q2 nel MOSFET

Partire Tensione di uscita = -(Resistenza di carico totale del MOSFET/(2*Resistenza di uscita))*Segnale di ingresso in modalità comune

Tensione di saturazione del MOSFET

Partire Tensione di saturazione di drain e source = Tensione gate-source-Soglia di voltaggio

Tensione di overdrive

Partire Tensione di overdrive = (2*Assorbimento di corrente)/Transconduttanza

Tensione tra gate e sorgente del MOSFET sulla tensione di ingresso differenziale data la tensione di overdrive

Partire Tensione gate-source = Soglia di voltaggio+1.4*Tensione effettiva

Tensione di uscita al Drain Q1 del MOSFET

Partire Tensione di scarico Q1 = -(Resistenza di uscita*Corrente totale)

Tensione di uscita al Drain Q2 del MOSFET

Partire Tensione di scarico Q2 = -(Resistenza di uscita*Corrente totale)

Tensione di soglia quando il MOSFET funge da amplificatore

Partire Soglia di voltaggio = Tensione gate-source-Tensione effettiva

Tensione di soglia del MOSFET

Partire Soglia di voltaggio = Tensione gate-source-Tensione effettiva

Tensione di uscita del gate comune Formula

Tensione di uscita = -(Transconduttanza*Tensione critica)*((Resistenza al carico*Resistenza al cancello)/(Resistenza al cancello+Resistenza al carico))
V_out = -(g_m*V_c)*((R_L*R_gate)/(R_gate+R_L))

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