Calculadora Voltaje térmico de CMOS

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✖El potencial incorporado es el potencial dentro del MOSFET.ⓘ Potencial incorporado [ψ_o]			+10% -10%
✖La concentración de aceptor es la concentración de huecos en el estado de aceptor.ⓘ Concentración de aceptor [N_a]			+10% -10%
✖La concentración del donante es la concentración de electrones en el estado donante.ⓘ Concentración de donantes [N_d]			+10% -10%
✖La concentración intrínseca de electrones se define como el número de electrones en la banda de conducción o el número de huecos en la banda de valencia en el material intrínseco.ⓘ Concentración intrínseca de electrones [n_i]			+10% -10%

✖El voltaje térmico es el voltaje producido dentro de la unión pn.ⓘ Voltaje térmico de CMOS [V_t]

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Fórmula

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Voltaje térmico de CMOS

Fórmula

`"V"_{"t"} = "ψ"_{"o"}/ln(("N"_{"a"}*"N"_{"d"})/("n"_{"i"}^2))`

Ejemplo

`"0.549472V"="18.8V"/ln(("1100/m³"*"1.9e14/m³")/(("17")^2))`

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Voltaje térmico de CMOS Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Voltaje térmico = Potencial incorporado/ln((Concentración de aceptor*Concentración de donantes)/(Concentración intrínseca de electrones^2))
V_t = ψ_o/ln((N_a*N_d)/(n_i^2))
Esta fórmula usa 1 Funciones, 5 Variables

Funciones utilizadas

ln - El logaritmo natural, también conocido como logaritmo en base e, es la función inversa de la función exponencial natural., ln(Number)

Variables utilizadas

Voltaje térmico - (Medido en Voltio) - El voltaje térmico es el voltaje producido dentro de la unión pn.
Potencial incorporado - (Medido en Voltio) - El potencial incorporado es el potencial dentro del MOSFET.
Concentración de aceptor - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración de aceptor es la concentración de huecos en el estado de aceptor.
Concentración de donantes - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración del donante es la concentración de electrones en el estado donante.
Concentración intrínseca de electrones - La concentración intrínseca de electrones se define como el número de electrones en la banda de conducción o el número de huecos en la banda de valencia en el material intrínseco.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Potencial incorporado: 18.8 Voltio --> 18.8 Voltio No se requiere conversión
Concentración de aceptor: 1100 1 por metro cúbico --> 1100 1 por metro cúbico No se requiere conversión
Concentración de donantes: 190000000000000 1 por metro cúbico --> 190000000000000 1 por metro cúbico No se requiere conversión
Concentración intrínseca de electrones: 17 --> No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

V_t = ψ_o/ln((N_a*N_d)/(n_i^2)) --> 18.8/ln((1100*190000000000000)/(17^2))

Evaluar ... ...

V_t = 0.549471683639064

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.549471683639064 Voltio --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

0.549471683639064 ≈ 0.549472 Voltio <-- Voltaje térmico

(Cálculo completado en 00.020 segundos)

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Créditos

Creado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

< 24 Características de diseño CMOS Calculadoras

Capacitancia de tierra a agresión

Vamos Capacitancia adyacente = ((Conductor víctima*Relación de constante de tiempo*Capacitancia de tierra)-(Conductor de agresión*Capacitancia de tierra A))/(Conductor de agresión-Conductor víctima*Relación de constante de tiempo)

Conductor víctima

Vamos Conductor víctima = (Conductor de agresión*(Capacitancia de tierra A+Capacitancia adyacente))/(Relación de constante de tiempo*(Capacitancia adyacente+Capacitancia de tierra))

Conductor de agresión

Vamos Conductor de agresión = (Conductor víctima*Relación de constante de tiempo*(Capacitancia adyacente+Capacitancia de tierra))/(Capacitancia de tierra A+Capacitancia adyacente)

Voltaje térmico de CMOS

Vamos Voltaje térmico = Potencial incorporado/ln((Concentración de aceptor*Concentración de donantes)/(Concentración intrínseca de electrones^2))

Potencial incorporado

Vamos Potencial incorporado = Voltaje térmico*ln((Concentración de aceptor*Concentración de donantes)/(Concentración intrínseca de electrones^2))

Voltaje de la víctima

Vamos Voltaje de la víctima = (Voltaje agresor*Capacitancia adyacente)/(Capacitancia de tierra+Capacitancia adyacente)

Voltaje agresor

Vamos Voltaje agresor = (Voltaje de la víctima*(Capacitancia de tierra+Capacitancia adyacente))/Capacitancia adyacente

Capacitancia adyacente

Vamos Capacitancia adyacente = (Voltaje de la víctima*Capacitancia de tierra)/(Voltaje agresor-Voltaje de la víctima)

Esfuerzo de ramificación

Vamos Esfuerzo de ramificación = (Trayectoria de capacitancia+Capacitancia fuera de ruta)/Trayectoria de capacitancia

Proporción constante de tiempo de agresión a la víctima

Vamos Relación de constante de tiempo = Constante de tiempo de agresión/Constante de tiempo de la víctima

Constante de tiempo de la víctima

Vamos Constante de tiempo de la víctima = Constante de tiempo de agresión/Relación de constante de tiempo

Constante de tiempo de agresión

Vamos Constante de tiempo de agresión = Relación de constante de tiempo*Constante de tiempo de la víctima

Fase de reloj de salida

Vamos Fase del reloj de salida = 2*pi*Voltaje de control VCO*Ganancia VCO

Capacitancia fuera de ruta de CMOS

Vamos Capacitancia fuera de ruta = Trayectoria de capacitancia*(Esfuerzo de ramificación-1)

Capacitancia total vista por etapa

Vamos Capacitancia total en etapa = Trayectoria de capacitancia+Capacitancia fuera de ruta

Capacitancia fuera de ruta

Vamos Capacitancia fuera de ruta = Capacitancia total en etapa-Trayectoria de capacitancia

Capacitancia Onpath

Vamos Trayectoria de capacitancia = Capacitancia total en etapa-Capacitancia fuera de ruta

Cambio en el reloj de frecuencia

Vamos Cambio en la frecuencia del reloj = Ganancia VCO*Voltaje de control VCO

Factor de ganancia simple de VCO

Vamos Ganancia VCO = Cambio en la frecuencia del reloj/Voltaje de control VCO

Voltaje de compensación VCO

Vamos Voltaje de compensación VCO = Voltaje de control VCO-Voltaje de bloqueo

Voltaje de control VCO

Vamos Voltaje de control VCO = Voltaje de bloqueo+Voltaje de compensación VCO

Voltaje de bloqueo

Vamos Voltaje de bloqueo = Voltaje de control VCO-Voltaje de compensación VCO

Disipación de energía estática

Vamos Energía estática = Corriente estática*Voltaje base del colector

Corriente estática

Vamos Corriente estática = Energía estática/Voltaje base del colector

Voltaje térmico de CMOS Fórmula

Voltaje térmico = Potencial incorporado/ln((Concentración de aceptor*Concentración de donantes)/(Concentración intrínseca de electrones^2))
V_t = ψ_o/ln((N_a*N_d)/(n_i^2))

¿Qué es conducir?

"Drive" en la electrónica digital se refiere a la capacidad de una puerta o circuito lógico para entregar corriente a su salida, lo que influye en la rapidez con la que el voltaje de salida cambia entre los niveles lógicos y juega un papel vital en la determinación del rendimiento general de los sistemas digitales.

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