Tensione termica del CMOS calcolatrice

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Sottosistema CMOS per scopi speciali

Sottosistema del percorso dati dell'array

✖Il potenziale incorporato è il potenziale all'interno del MOSFET.ⓘ Potenziale incorporato [ψ_o]			+10% -10%
✖La concentrazione dell'accettore è la concentrazione di lacune nello stato dell'accettore.ⓘ Concentrazione dell'accettore [N_a]			+10% -10%
✖La concentrazione del donatore è la concentrazione di elettroni nello stato donatore.ⓘ Concentrazione dei donatori [N_d]			+10% -10%
✖La concentrazione elettronica intrinseca è definita come il numero di elettroni nella banda di conduzione o il numero di lacune nella banda di valenza nel materiale intrinseco.ⓘ Concentrazione elettronica intrinseca [n_i]			+10% -10%

✖La tensione termica è la tensione prodotta all'interno della giunzione pn.ⓘ Tensione termica del CMOS [V_t]

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Formula

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Tensione termica del CMOS

Formula

`"V"_{"t"} = "ψ"_{"o"}/ln(("N"_{"a"}*"N"_{"d"})/("n"_{"i"}^2))`

Esempio

`"0.549472V"="18.8V"/ln(("1100/m³"*"1.9e14/m³")/(("17")^2))`

Calcolatrice

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Tensione termica del CMOS Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Tensione termica = Potenziale incorporato/ln((Concentrazione dell'accettore*Concentrazione dei donatori)/(Concentrazione elettronica intrinseca^2))
V_t = ψ_o/ln((N_a*N_d)/(n_i^2))
Questa formula utilizza 1 Funzioni, 5 Variabili

Funzioni utilizzate

ln - Il logaritmo naturale, detto anche logaritmo in base e, è la funzione inversa della funzione esponenziale naturale., ln(Number)

Variabili utilizzate

Tensione termica - (Misurato in Volt) - La tensione termica è la tensione prodotta all'interno della giunzione pn.
Potenziale incorporato - (Misurato in Volt) - Il potenziale incorporato è il potenziale all'interno del MOSFET.
Concentrazione dell'accettore - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione dell'accettore è la concentrazione di lacune nello stato dell'accettore.
Concentrazione dei donatori - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione del donatore è la concentrazione di elettroni nello stato donatore.
Concentrazione elettronica intrinseca - La concentrazione elettronica intrinseca è definita come il numero di elettroni nella banda di conduzione o il numero di lacune nella banda di valenza nel materiale intrinseco.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Potenziale incorporato: 18.8 Volt --> 18.8 Volt Nessuna conversione richiesta
Concentrazione dell'accettore: 1100 1 per metro cubo --> 1100 1 per metro cubo Nessuna conversione richiesta
Concentrazione dei donatori: 190000000000000 1 per metro cubo --> 190000000000000 1 per metro cubo Nessuna conversione richiesta
Concentrazione elettronica intrinseca: 17 --> Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

V_t = ψ_o/ln((N_a*N_d)/(n_i^2)) --> 18.8/ln((1100*190000000000000)/(17^2))

Valutare ... ...

V_t = 0.549471683639064

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.549471683639064 Volt --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

0.549471683639064 ≈ 0.549472 Volt <-- Tensione termica

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 24 Caratteristiche del progetto CMOS Calcolatrici

Capacità da terra ad aggressione

Partire Capacità adiacente = ((Autista vittima*Rapporto costante di tempo*Capacità di terra)-(Conducente dell'aggressione*Capacità di terra A))/(Conducente dell'aggressione-Autista vittima*Rapporto costante di tempo)

Victim Driver

Partire Autista vittima = (Conducente dell'aggressione*(Capacità di terra A+Capacità adiacente))/(Rapporto costante di tempo*(Capacità adiacente+Capacità di terra))

Driver di aggressione

Partire Conducente dell'aggressione = (Autista vittima*Rapporto costante di tempo*(Capacità adiacente+Capacità di terra))/(Capacità di terra A+Capacità adiacente)

Tensione termica del CMOS

Partire Tensione termica = Potenziale incorporato/ln((Concentrazione dell'accettore*Concentrazione dei donatori)/(Concentrazione elettronica intrinseca^2))

Potenziale integrato

Partire Potenziale incorporato = Tensione termica*ln((Concentrazione dell'accettore*Concentrazione dei donatori)/(Concentrazione elettronica intrinseca^2))

Capacità adiacente

Partire Capacità adiacente = (Tensione della vittima*Capacità di terra)/(Tensione dell'aggressore-Tensione della vittima)

Voltaggio della vittima

Partire Tensione della vittima = (Tensione dell'aggressore*Capacità adiacente)/(Capacità di terra+Capacità adiacente)

Voltaggio Agressor

Partire Tensione dell'aggressore = (Tensione della vittima*(Capacità di terra+Capacità adiacente))/Capacità adiacente

Sforzo di ramificazione

Partire Sforzo di ramificazione = (Capacità sul percorso+Capacità fuori percorso)/Capacità sul percorso

Fase di clock in uscita

Partire Fase del clock di uscita = 2*pi*Tensione di controllo VCO*Guadagno VCO

Costante di tempo Rapporto di aggressione alla vittima

Partire Rapporto costante di tempo = Costante temporale dell'aggressione/Costante temporale della vittima

Costante di tempo di aggressione

Partire Costante temporale dell'aggressione = Rapporto costante di tempo*Costante temporale della vittima

Costante di tempo della vittima

Partire Costante temporale della vittima = Costante temporale dell'aggressione/Rapporto costante di tempo

Modifica della frequenza dell'orologio

Partire Modifica della frequenza dell'orologio = Guadagno VCO*Tensione di controllo VCO

Fattore di guadagno singolo VCO

Partire Guadagno VCO = Modifica della frequenza dell'orologio/Tensione di controllo VCO

Capacità totale vista per stadio

Partire Capacità totale nello stadio = Capacità sul percorso+Capacità fuori percorso

Capacità fuori percorso

Partire Capacità fuori percorso = Capacità totale nello stadio-Capacità sul percorso

Capacità sul percorso

Partire Capacità sul percorso = Capacità totale nello stadio-Capacità fuori percorso

Capacità fuori percorso del CMOS

Partire Capacità fuori percorso = Capacità sul percorso*(Sforzo di ramificazione-1)

Tensione di controllo VCO

Partire Tensione di controllo VCO = Bloccare la tensione+Tensione di offset del VCO

Tensione di offset VCO

Partire Tensione di offset del VCO = Tensione di controllo VCO-Bloccare la tensione

Tensione di blocco

Partire Bloccare la tensione = Tensione di controllo VCO-Tensione di offset del VCO

Dissipazione statica di potenza

Partire Potenza statica = Corrente statica*Tensione del collettore di base

Corrente statica

Partire Corrente statica = Potenza statica/Tensione del collettore di base

Tensione termica del CMOS Formula

Tensione termica = Potenziale incorporato/ln((Concentrazione dell'accettore*Concentrazione dei donatori)/(Concentrazione elettronica intrinseca^2))
V_t = ψ_o/ln((N_a*N_d)/(n_i^2))

Cos'è la guida?

"Drive" nell'elettronica digitale si riferisce alla capacità di una porta logica o di un circuito di fornire corrente alla sua uscita, influenzando la velocità con cui la tensione di uscita passa tra i livelli logici e svolgendo un ruolo fondamentale nel determinare le prestazioni complessive dei sistemi digitali.

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