Tension thermique du CMOS Calculatrice

↳

Électronique

Civil

Électrique

Electronique et instrumentation

Ingénieur chimiste

La science des matériaux

L'ingénierie de production

Mécanique

⤿

Caractéristiques de conception CMOS

Caractéristiques des circuits CMOS

Caractéristiques du retard CMOS

Caractéristiques temporelles CMOS

Mesures de puissance CMOS

Onduleurs CMOS

Sous-système CMOS à usage spécial

Sous-système de chemin de données de tableau

✖Le potentiel intégré est le potentiel à l’intérieur du MOSFET.ⓘ Potentiel intégré [ψ_o]			+10% -10%
✖La concentration d'accepteur est la concentration de trous dans l'état d'accepteur.ⓘ Concentration d'accepteur [N_a]			+10% -10%
✖La concentration du donneur est la concentration d'électrons dans l'état donneur.ⓘ Concentration des donneurs [N_d]			+10% -10%
✖La concentration électronique intrinsèque est définie comme le nombre d'électrons dans la bande de conduction ou le nombre de trous dans la bande de valence dans un matériau intrinsèque.ⓘ Concentration électronique intrinsèque [n_i]			+10% -10%

✖La tension thermique est la tension produite au sein de la jonction pn.ⓘ Tension thermique du CMOS [V_t]

⎘ Copie

👎

Formule

✖

Tension thermique du CMOS

Formule

`"V"_{"t"} = "ψ"_{"o"}/ln(("N"_{"a"}*"N"_{"d"})/("n"_{"i"}^2))`

Exemple

`"0.549472V"="18.8V"/ln(("1100/m³"*"1.9e14/m³")/(("17")^2))`

Calculatrice

LaTeX

Réinitialiser

👍

Télécharger Caractéristiques de conception CMOS Formules PDF

Tension thermique du CMOS Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Tension thermique = Potentiel intégré/ln((Concentration d'accepteur*Concentration des donneurs)/(Concentration électronique intrinsèque^2))
V_t = ψ_o/ln((N_a*N_d)/(n_i^2))
Cette formule utilise 1 Les fonctions, 5 Variables

Fonctions utilisées

ln - Le logarithme népérien, également appelé logarithme en base e, est la fonction inverse de la fonction exponentielle naturelle., ln(Number)

Variables utilisées

Tension thermique - (Mesuré en Volt) - La tension thermique est la tension produite au sein de la jonction pn.
Potentiel intégré - (Mesuré en Volt) - Le potentiel intégré est le potentiel à l’intérieur du MOSFET.
Concentration d'accepteur - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration d'accepteur est la concentration de trous dans l'état d'accepteur.
Concentration des donneurs - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration du donneur est la concentration d'électrons dans l'état donneur.
Concentration électronique intrinsèque - La concentration électronique intrinsèque est définie comme le nombre d'électrons dans la bande de conduction ou le nombre de trous dans la bande de valence dans un matériau intrinsèque.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Potentiel intégré: 18.8 Volt --> 18.8 Volt Aucune conversion requise
Concentration d'accepteur: 1100 1 par mètre cube --> 1100 1 par mètre cube Aucune conversion requise
Concentration des donneurs: 190000000000000 1 par mètre cube --> 190000000000000 1 par mètre cube Aucune conversion requise
Concentration électronique intrinsèque: 17 --> Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

V_t = ψ_o/ln((N_a*N_d)/(n_i^2)) --> 18.8/ln((1100*190000000000000)/(17^2))

Évaluer ... ...

V_t = 0.549471683639064

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.549471683639064 Volt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

0.549471683639064 ≈ 0.549472 Volt <-- Tension thermique

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Tu es là -

Accueil » Ingénierie » Électronique » Conception et applications CMOS » Caractéristiques de conception CMOS » Tension thermique du CMOS

Crédits

Créé par Shobhit Dimri

Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 24 Caractéristiques de conception CMOS Calculatrices

Capacité du sol à l'agression

Aller Capacité adjacente = ((Victime Conducteur*Rapport de constante de temps*Capacité au sol)-(Conducteur d'agression*Mettre à la terre une capacité))/(Conducteur d'agression-Victime Conducteur*Rapport de constante de temps)

Conducteur victime

Aller Victime Conducteur = (Conducteur d'agression*(Mettre à la terre une capacité+Capacité adjacente))/(Rapport de constante de temps*(Capacité adjacente+Capacité au sol))

Pilote d'agression

Aller Conducteur d'agression = (Victime Conducteur*Rapport de constante de temps*(Capacité adjacente+Capacité au sol))/(Mettre à la terre une capacité+Capacité adjacente)

Tension thermique du CMOS

Aller Tension thermique = Potentiel intégré/ln((Concentration d'accepteur*Concentration des donneurs)/(Concentration électronique intrinsèque^2))

Potentiel intégré

Aller Potentiel intégré = Tension thermique*ln((Concentration d'accepteur*Concentration des donneurs)/(Concentration électronique intrinsèque^2))

Capacité adjacente

Aller Capacité adjacente = (Tension de la victime*Capacité au sol)/ (Tension de l'agresseur-Tension de la victime)

Tension d'agresseur

Aller Tension de l'agresseur = (Tension de la victime*(Capacité au sol+Capacité adjacente))/Capacité adjacente

Tension de la victime

Aller Tension de la victime = (Tension de l'agresseur*Capacité adjacente)/(Capacité au sol+Capacité adjacente)

Effort de ramification

Aller Effort de branchement = (Capacité en route+Capacité hors parcours)/Capacité en route

Phase d'horloge de sortie

Aller Phase d'horloge de sortie = 2*pi*Tension de contrôle VCO*Gain du VCO

Constante de temps de la victime

Aller Constante de temps de la victime = Constante de temps d'agression/Rapport de constante de temps

Constante de temps d'agression

Aller Constante de temps d'agression = Rapport de constante de temps*Constante de temps de la victime

Rapport constant de temps de l'agression à la victime

Aller Rapport de constante de temps = Constante de temps d'agression/Constante de temps de la victime

Tension de contrôle VCO

Aller Tension de contrôle VCO = Tension de verrouillage+Tension de décalage du VCO

Tension de verrouillage

Aller Tension de verrouillage = Tension de contrôle VCO-Tension de décalage du VCO

Tension de décalage VCO

Aller Tension de décalage du VCO = Tension de contrôle VCO-Tension de verrouillage

Changement d'horloge de fréquence

Aller Changement de fréquence d'horloge = Gain du VCO*Tension de contrôle VCO

Facteur de gain unique VCO

Aller Gain du VCO = Changement de fréquence d'horloge/Tension de contrôle VCO

Capacité hors chemin du CMOS

Aller Capacité hors parcours = Capacité en route*(Effort de branchement-1)

Capacitance Onpath

Aller Capacité en route = Capacité totale en scène-Capacité hors parcours

Courant statique

Aller Courant statique = Puissance statique/Tension du collecteur de base

Dissipation de puissance statique

Aller Puissance statique = Courant statique*Tension du collecteur de base

Capacité totale vue par étage

Aller Capacité totale en scène = Capacité en route+Capacité hors parcours

Capacitance Offpath

Aller Capacité hors parcours = Capacité totale en scène-Capacité en route

Tension thermique du CMOS Formule

Tension thermique = Potentiel intégré/ln((Concentration d'accepteur*Concentration des donneurs)/(Concentration électronique intrinsèque^2))
V_t = ψ_o/ln((N_a*N_d)/(n_i^2))

Qu'est-ce que le lecteur ?

"Drive" dans l'électronique numérique fait référence à la capacité d'une porte logique ou d'un circuit à fournir du courant à sa sortie, influençant la rapidité avec laquelle la tension de sortie passe d'un niveau logique à l'autre et jouant un rôle essentiel dans la détermination des performances globales des systèmes numériques.

Accueil

GRATUIT PDF

🔍 Chercher

Catégories

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!