Thermische spanning van CMOS Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

CMOS-ontwerpkenmerken

Array Datapath-subsysteem

CMOS-omvormers

CMOS-subsysteem voor speciale doeleinden

CMOS-tijdkenmerken

CMOS-vermogensstatistieken

Kenmerken van CMOS-circuits

Kenmerken van CMOS-vertraging

✖Ingebouwd potentieel is potentieel binnen de MOSFET.ⓘ Ingebouwd potentieel [ψ_o]			+10% -10%
✖Acceptorconcentratie is de concentratie van gaten in de acceptortoestand.ⓘ Acceptorconcentratie [N_a]			+10% -10%
✖Donorconcentratie is de concentratie van elektronen in de donorstaat.ⓘ Donorconcentratie [N_d]			+10% -10%
✖Intrinsieke elektronenconcentratie wordt gedefinieerd als het aantal elektronen in de geleidingsband of het aantal gaten in de valentieband in intrinsiek materiaal.ⓘ Intrinsieke elektronenconcentratie [n_i]			+10% -10%

✖Thermische spanning is de spanning die wordt geproduceerd binnen de pn-overgang.ⓘ Thermische spanning van CMOS [V_t]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Thermische spanning van CMOS

Formule

`"V"_{"t"} = "ψ"_{"o"}/ln(("N"_{"a"}*"N"_{"d"})/("n"_{"i"}^2))`

Voorbeeld

`"0.549472V"="18.8V"/ln(("1100/m³"*"1.9e14/m³")/(("17")^2))`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden CMOS-ontwerpkenmerken Formules Pdf

Thermische spanning van CMOS Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Thermische spanning = Ingebouwd potentieel/ln((Acceptorconcentratie*Donorconcentratie)/(Intrinsieke elektronenconcentratie^2))
V_t = ψ_o/ln((N_a*N_d)/(n_i^2))
Deze formule gebruikt 1 Functies, 5 Variabelen

Functies die worden gebruikt

ln - De natuurlijke logaritme, ook bekend als de logaritme met grondtal e, is de inverse functie van de natuurlijke exponentiële functie., ln(Number)

Variabelen gebruikt

Thermische spanning - (Gemeten in Volt) - Thermische spanning is de spanning die wordt geproduceerd binnen de pn-overgang.
Ingebouwd potentieel - (Gemeten in Volt) - Ingebouwd potentieel is potentieel binnen de MOSFET.
Acceptorconcentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Acceptorconcentratie is de concentratie van gaten in de acceptortoestand.
Donorconcentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Donorconcentratie is de concentratie van elektronen in de donorstaat.
Intrinsieke elektronenconcentratie - Intrinsieke elektronenconcentratie wordt gedefinieerd als het aantal elektronen in de geleidingsband of het aantal gaten in de valentieband in intrinsiek materiaal.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Ingebouwd potentieel: 18.8 Volt --> 18.8 Volt Geen conversie vereist
Acceptorconcentratie: 1100 1 per kubieke meter --> 1100 1 per kubieke meter Geen conversie vereist
Donorconcentratie: 190000000000000 1 per kubieke meter --> 190000000000000 1 per kubieke meter Geen conversie vereist
Intrinsieke elektronenconcentratie: 17 --> Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

V_t = ψ_o/ln((N_a*N_d)/(n_i^2)) --> 18.8/ln((1100*190000000000000)/(17^2))

Evalueren ... ...

V_t = 0.549471683639064

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.549471683639064 Volt --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.549471683639064 ≈ 0.549472 Volt <-- Thermische spanning

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » CMOS-ontwerp en toepassingen » CMOS-ontwerpkenmerken » Thermische spanning van CMOS

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 24 CMOS-ontwerpkenmerken Rekenmachines

Ground to Agression Capaciteit

Gaan Aangrenzende capaciteit = ((Slachtoffer chauffeur*Tijdconstante verhouding*Grondcapaciteit)-(Agressie-driver*Aard A-capaciteit))/(Agressie-driver-Slachtoffer chauffeur*Tijdconstante verhouding)

Slachtofferbestuurder

Gaan Slachtoffer chauffeur = (Agressie-driver*(Aard A-capaciteit+Aangrenzende capaciteit))/(Tijdconstante verhouding*(Aangrenzende capaciteit+Grondcapaciteit))

Agressie Driver

Gaan Agressie-driver = (Slachtoffer chauffeur*Tijdconstante verhouding*(Aangrenzende capaciteit+Grondcapaciteit))/(Aard A-capaciteit+Aangrenzende capaciteit)

Thermische spanning van CMOS

Gaan Thermische spanning = Ingebouwd potentieel/ln((Acceptorconcentratie*Donorconcentratie)/(Intrinsieke elektronenconcentratie^2))

Ingebouwd potentieel

Gaan Ingebouwd potentieel = Thermische spanning*ln((Acceptorconcentratie*Donorconcentratie)/(Intrinsieke elektronenconcentratie^2))

Agressor-spanning

Gaan Agressieve spanning = (Slachtofferspanning*(Grondcapaciteit+Aangrenzende capaciteit))/Aangrenzende capaciteit

Slachtoffervoltage

Gaan Slachtofferspanning = (Agressieve spanning*Aangrenzende capaciteit)/(Grondcapaciteit+Aangrenzende capaciteit)

aangrenzende capaciteit

Gaan Aangrenzende capaciteit = (Slachtofferspanning*Grondcapaciteit)/ (Agressieve spanning-Slachtofferspanning)

Vertakkende inspanning

Gaan Vertakkingsinspanning = (Capaciteit op pad+Capaciteit buiten pad)/Capaciteit op pad

Uitgang klokfase

Gaan Uitgangsklokfase = 2*pi*VCO-stuurspanning*VCO-winst

Slachtoffer Tijdconstante

Gaan Slachtoffertijdconstante = Tijdconstante van agressie/Tijdconstante verhouding

Agressie Tijdconstante

Gaan Tijdconstante van agressie = Tijdconstante verhouding*Slachtoffertijdconstante

Tijdconstante verhouding tussen agressie en slachtoffer

Gaan Tijdconstante verhouding = Tijdconstante van agressie/Slachtoffertijdconstante

Off-path-capaciteit van CMOS

Gaan Capaciteit buiten pad = Capaciteit op pad*(Vertakkingsinspanning-1)

Capaciteit Onpath

Gaan Capaciteit op pad = Totale capaciteit in fase-Capaciteit buiten pad

Totale capaciteit gezien per fase

Gaan Totale capaciteit in fase = Capaciteit op pad+Capaciteit buiten pad

Verandering in frequentieklok

Gaan Verandering in frequentie van de klok = VCO-winst*VCO-stuurspanning

VCO enkele versterkingsfactor

Gaan VCO-winst = Verandering in frequentie van de klok/VCO-stuurspanning

Capaciteit Offpath

Gaan Capaciteit buiten pad = Totale capaciteit in fase-Capaciteit op pad

Statische stroom

Gaan Statische stroom = Statische kracht/Basiscollectorspanning

Statische vermogensdissipatie

Gaan Statische kracht = Statische stroom*Basiscollectorspanning

Vergrendel spanning

Gaan Vergrendel spanning = VCO-stuurspanning-VCO-offsetspanning

VCO-offset-spanning

Gaan VCO-offsetspanning = VCO-stuurspanning-Vergrendel spanning

VCO-stuurspanning

Gaan VCO-stuurspanning = Vergrendel spanning+VCO-offsetspanning

Thermische spanning van CMOS Formule

Thermische spanning = Ingebouwd potentieel/ln((Acceptorconcentratie*Donorconcentratie)/(Intrinsieke elektronenconcentratie^2))
V_t = ψ_o/ln((N_a*N_d)/(n_i^2))

Wat is rijden?

"Drive" in digitale elektronica verwijst naar het vermogen van een logische poort of circuit om stroom aan zijn uitgang te leveren, waardoor wordt beïnvloed hoe snel de uitgangsspanning overgaat tussen logische niveaus en het een cruciale rol speelt bij het bepalen van de algehele prestaties van digitale systemen.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!