Función Fermi Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Función de Fermi = Concentración de electrones en banda de conducción/Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción
fE = n0/Nc
Esta fórmula usa 3 Variables
Variables utilizadas
Función de Fermi - La función de Fermi se define como un término utilizado para describir la parte superior de la colección de niveles de energía de electrones a temperatura cero absoluta.
Concentración de electrones en banda de conducción - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración de electrones en la banda de conducción se refiere a la cantidad o abundancia de electrones libres disponibles para la conducción en la banda de conducción de un material semiconductor.
Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción - (Medido en 1 por metro cúbico) - La Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción se define como el número de mínimos de energía equivalente en la banda de conducción.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Concentración de electrones en banda de conducción: 14000000 1 por metro cúbico --> 14000000 1 por metro cúbico No se requiere conversión
Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción: 640000000 1 por metro cúbico --> 640000000 1 por metro cúbico No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
fE = n0/Nc --> 14000000/640000000
Evaluar ... ...
fE = 0.021875
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
0.021875 --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
0.021875 <-- Función de Fermi
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por Shobhit Dimri
Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!
Verifier Image
Verificada por Urvi Rathod
Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

20 Banda de energía Calculadoras

Concentración de portador intrínseco
​ Vamos Concentración de portador intrínseco = sqrt(Densidad Efectiva de Estado en Banda de Valencia*Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción)*exp(-Brecha de energía/(2*[BoltZ]*Temperatura))
Carrier Lifetime
​ Vamos Portador de por vida = 1/(Proporcionalidad para la recombinación*(Concentración de agujeros en la banda de cenefa+Concentración de electrones en banda de conducción))
Concentración de electrones en estado estacionario
​ Vamos Concentración de portadores en estado estacionario = Concentración de electrones en banda de conducción+Exceso de concentración de portadores
Energía del electrón dada la constante de Coulomb
​ Vamos Energía del electrón = (Número cuántico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Longitud potencial del pozo^2)
Vida útil de la recombinación
​ Vamos Vida útil de la recombinación = (Proporcionalidad para la recombinación*Concentración de agujeros en la banda de cenefa)^-1
Concentración en Banda de Conducción
​ Vamos Concentración de electrones en banda de conducción = Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción*Función de Fermi
Densidad Efectiva de Estado
​ Vamos Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción = Concentración de electrones en banda de conducción/Función de Fermi
Función Fermi
​ Vamos Función de Fermi = Concentración de electrones en banda de conducción/Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción
Estado de densidad efectiva en la banda de valencia
​ Vamos Densidad Efectiva de Estado en Banda de Valencia = Concentración de agujeros en la banda de cenefa/(1-Función de Fermi)
Concentración de Agujeros en la Banda de Valencia
​ Vamos Concentración de agujeros en la banda de cenefa = Densidad Efectiva de Estado en Banda de Valencia*(1-Función de Fermi)
Coeficiente de distribución
​ Vamos Coeficiente de distribución = Concentración de impurezas en sólidos/Concentración de impurezas en líquido
Concentracion liquida
​ Vamos Concentración de impurezas en líquido = Concentración de impurezas en sólidos/Coeficiente de distribución
Tasa neta de cambio en la banda de conducción
​ Vamos Proporcionalidad para la recombinación = Generación Térmica/(Concentración de portador intrínseco^2)
Tasa de generación térmica
​ Vamos Generación Térmica = Proporcionalidad para la recombinación*(Concentración de portador intrínseco^2)
Exceso de concentración de portadores
​ Vamos Exceso de concentración de portadores = Tasa de generación óptica*Vida útil de la recombinación
Tasa de generación óptica
​ Vamos Tasa de generación óptica = Exceso de concentración de portadores/Vida útil de la recombinación
Energía de la banda de valencia
​ Vamos Energía de la banda de valencia = Energía de banda de conducción-Brecha de energía
Energía de banda de conducción
​ Vamos Energía de banda de conducción = Brecha de energía+Energía de la banda de valencia
Brecha de energía
​ Vamos Brecha de energía = Energía de banda de conducción-Energía de la banda de valencia
Energía de fotoelectrones
​ Vamos Energía de fotoelectrones = [hP]*Frecuencia de luz incidente

15 Portadores de semiconductores Calculadoras

Concentración de portador intrínseco
​ Vamos Concentración de portador intrínseco = sqrt(Densidad Efectiva de Estado en Banda de Valencia*Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción)*exp(-Brecha de energía/(2*[BoltZ]*Temperatura))
Carrier Lifetime
​ Vamos Portador de por vida = 1/(Proporcionalidad para la recombinación*(Concentración de agujeros en la banda de cenefa+Concentración de electrones en banda de conducción))
Densidad de flujo de electrones
​ Vamos Densidad de flujo de electrones = (Electrón de camino libre medio/(2*Tiempo))*Diferencia en la concentración de electrones
Radio de la enésima órbita del electrón
​ Vamos Radio de la enésima órbita del electrón = ([Coulomb]*Número cuántico^2*[hP]^2)/(Masa de partícula*[Charge-e]^2)
Estado cuántico
​ Vamos Energía en Estado Cuántico = (Número cuántico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*Masa de partícula*Longitud potencial del pozo^2)
Función Fermi
​ Vamos Función de Fermi = Concentración de electrones en banda de conducción/Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción
Estado de densidad efectiva en la banda de valencia
​ Vamos Densidad Efectiva de Estado en Banda de Valencia = Concentración de agujeros en la banda de cenefa/(1-Función de Fermi)
Densidad de corriente de electrones
​ Vamos Densidad de corriente de electrones = Densidad de corriente total del portador-Densidad de corriente del agujero
Densidad actual del agujero
​ Vamos Densidad de corriente del agujero = Densidad de corriente total del portador-Densidad de corriente de electrones
Coeficiente de distribución
​ Vamos Coeficiente de distribución = Concentración de impurezas en sólidos/Concentración de impurezas en líquido
Multiplicación de electrones
​ Vamos Multiplicación de electrones = Número de electrones fuera de la región/Número de electrones en la región
Exceso de concentración de portadores
​ Vamos Exceso de concentración de portadores = Tasa de generación óptica*Vida útil de la recombinación
Tiempo medio gastado por hoyo
​ Vamos Tiempo medio gastado por hoyo = Tasa de generación óptica*Decaimiento de portador mayoritario
Energía de banda de conducción
​ Vamos Energía de banda de conducción = Brecha de energía+Energía de la banda de valencia
Energía de fotoelectrones
​ Vamos Energía de fotoelectrones = [hP]*Frecuencia de luz incidente

Función Fermi Fórmula

Función de Fermi = Concentración de electrones en banda de conducción/Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción
fE = n0/Nc

¿Qué es Fermi Level?

"Nivel de Fermi" es el término utilizado para describir la parte superior de la colección de niveles de energía de electrones a la temperatura del cero absoluto. Este concepto proviene de las estadísticas de Fermi-Dirac.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!