Coeficiente de distribución Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Coeficiente de distribución = Concentración de impurezas en sólidos/Concentración de impurezas en líquido
kd = Csolid/CL
Esta fórmula usa 3 Variables
Variables utilizadas
Coeficiente de distribución - El coeficiente de distribución es la concentración de soluto en dos tipos diferentes de disolventes.
Concentración de impurezas en sólidos - (Medido en 1 por metro) - La concentración de impurezas en sólidos es la cantidad de impurezas añadidas para realizar el dopaje en sustancias sólidas.
Concentración de impurezas en líquido - (Medido en 1 por metro) - La concentración de impurezas en el líquido se refiere a la concentración de la impureza añadida en el líquido para el dopaje.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Concentración de impurezas en sólidos: 1.01E+15 1 / centímetro --> 1.01E+17 1 por metro (Verifique la conversión ​aquí)
Concentración de impurezas en líquido: 2.5E+15 1 / centímetro --> 2.5E+17 1 por metro (Verifique la conversión ​aquí)
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
kd = Csolid/CL --> 1.01E+17/2.5E+17
Evaluar ... ...
kd = 0.404
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
0.404 --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
0.404 <-- Coeficiente de distribución
(Cálculo completado en 00.006 segundos)

Créditos

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Creado por Shobhit Dimri
Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
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Verificada por Urvi Rathod
Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
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20 Banda de energía Calculadoras

Concentración de portador intrínseco
​ Vamos Concentración de portador intrínseco = sqrt(Densidad Efectiva de Estado en Banda de Valencia*Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción)*exp(-Brecha de energía/(2*[BoltZ]*Temperatura))
Carrier Lifetime
​ Vamos Portador de por vida = 1/(Proporcionalidad para la recombinación*(Concentración de agujeros en la banda de cenefa+Concentración de electrones en banda de conducción))
Concentración de electrones en estado estacionario
​ Vamos Concentración de portadores en estado estacionario = Concentración de electrones en banda de conducción+Exceso de concentración de portadores
Energía del electrón dada la constante de Coulomb
​ Vamos Energía del electrón = (Número cuántico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Longitud potencial del pozo^2)
Vida útil de la recombinación
​ Vamos Vida útil de la recombinación = (Proporcionalidad para la recombinación*Concentración de agujeros en la banda de cenefa)^-1
Concentración en Banda de Conducción
​ Vamos Concentración de electrones en banda de conducción = Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción*Función de Fermi
Densidad Efectiva de Estado
​ Vamos Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción = Concentración de electrones en banda de conducción/Función de Fermi
Función Fermi
​ Vamos Función de Fermi = Concentración de electrones en banda de conducción/Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción
Estado de densidad efectiva en la banda de valencia
​ Vamos Densidad Efectiva de Estado en Banda de Valencia = Concentración de agujeros en la banda de cenefa/(1-Función de Fermi)
Concentración de Agujeros en la Banda de Valencia
​ Vamos Concentración de agujeros en la banda de cenefa = Densidad Efectiva de Estado en Banda de Valencia*(1-Función de Fermi)
Coeficiente de distribución
​ Vamos Coeficiente de distribución = Concentración de impurezas en sólidos/Concentración de impurezas en líquido
Concentracion liquida
​ Vamos Concentración de impurezas en líquido = Concentración de impurezas en sólidos/Coeficiente de distribución
Tasa neta de cambio en la banda de conducción
​ Vamos Proporcionalidad para la recombinación = Generación Térmica/(Concentración de portador intrínseco^2)
Tasa de generación térmica
​ Vamos Generación Térmica = Proporcionalidad para la recombinación*(Concentración de portador intrínseco^2)
Exceso de concentración de portadores
​ Vamos Exceso de concentración de portadores = Tasa de generación óptica*Vida útil de la recombinación
Tasa de generación óptica
​ Vamos Tasa de generación óptica = Exceso de concentración de portadores/Vida útil de la recombinación
Energía de la banda de valencia
​ Vamos Energía de la banda de valencia = Energía de banda de conducción-Brecha de energía
Energía de banda de conducción
​ Vamos Energía de banda de conducción = Brecha de energía+Energía de la banda de valencia
Brecha de energía
​ Vamos Brecha de energía = Energía de banda de conducción-Energía de la banda de valencia
Energía de fotoelectrones
​ Vamos Energía de fotoelectrones = [hP]*Frecuencia de luz incidente

15 Portadores de semiconductores Calculadoras

Concentración de portador intrínseco
​ Vamos Concentración de portador intrínseco = sqrt(Densidad Efectiva de Estado en Banda de Valencia*Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción)*exp(-Brecha de energía/(2*[BoltZ]*Temperatura))
Carrier Lifetime
​ Vamos Portador de por vida = 1/(Proporcionalidad para la recombinación*(Concentración de agujeros en la banda de cenefa+Concentración de electrones en banda de conducción))
Densidad de flujo de electrones
​ Vamos Densidad de flujo de electrones = (Electrón de camino libre medio/(2*Tiempo))*Diferencia en la concentración de electrones
Radio de la enésima órbita del electrón
​ Vamos Radio de la enésima órbita del electrón = ([Coulomb]*Número cuántico^2*[hP]^2)/(Masa de partícula*[Charge-e]^2)
Estado cuántico
​ Vamos Energía en Estado Cuántico = (Número cuántico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*Masa de partícula*Longitud potencial del pozo^2)
Función Fermi
​ Vamos Función de Fermi = Concentración de electrones en banda de conducción/Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción
Estado de densidad efectiva en la banda de valencia
​ Vamos Densidad Efectiva de Estado en Banda de Valencia = Concentración de agujeros en la banda de cenefa/(1-Función de Fermi)
Densidad de corriente de electrones
​ Vamos Densidad de corriente de electrones = Densidad de corriente total del portador-Densidad de corriente del agujero
Densidad actual del agujero
​ Vamos Densidad de corriente del agujero = Densidad de corriente total del portador-Densidad de corriente de electrones
Coeficiente de distribución
​ Vamos Coeficiente de distribución = Concentración de impurezas en sólidos/Concentración de impurezas en líquido
Multiplicación de electrones
​ Vamos Multiplicación de electrones = Número de electrones fuera de la región/Número de electrones en la región
Exceso de concentración de portadores
​ Vamos Exceso de concentración de portadores = Tasa de generación óptica*Vida útil de la recombinación
Tiempo medio gastado por hoyo
​ Vamos Tiempo medio gastado por hoyo = Tasa de generación óptica*Decaimiento de portador mayoritario
Energía de banda de conducción
​ Vamos Energía de banda de conducción = Brecha de energía+Energía de la banda de valencia
Energía de fotoelectrones
​ Vamos Energía de fotoelectrones = [hP]*Frecuencia de luz incidente

Coeficiente de distribución Fórmula

Coeficiente de distribución = Concentración de impurezas en sólidos/Concentración de impurezas en líquido
kd = Csolid/CL

¿Cómo se encuentra el coeficiente de distribución?

La relación de solubilidades en los dos solventes se denomina coeficiente de distribución, KD = C1/C2, que es una constante de equilibrio con un valor característico para cualquier compuesto a una temperatura dada. La cantidad total extraída por 100 ml en porciones de éter de 2 x 50 ml es, por lo tanto, 0,92 g.

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