Calculadora Capacitancia de la fuente de puerta dada la capacitancia de superposición

Capacitancia de la fuente de puerta = (2/3*Ancho del transistor*Longitud del transistor*Capacitancia de óxido)+(Ancho del transistor*Capacitancia de superposición)
C_gs = (2/3*W_t*L_t*C_ox)+(W_t*C_ov)
Esta fórmula usa 5 Variables
Capacitancia de la fuente de puerta - (Medido en Faradio) - La capacitancia de fuente de puerta se refiere a la capacitancia entre los terminales de puerta y fuente de un transistor de efecto de campo (FET).
Ancho del transistor - (Medido en Metro) - El ancho del transistor se refiere al ancho de la región del canal en un MOSFET. Esta dimensión juega un papel crucial en la determinación de las características eléctricas y el rendimiento del transistor.
Longitud del transistor - (Medido en Metro) - La longitud del transistor se refiere a la longitud de la región del canal en un MOSFET. Esta dimensión juega un papel crucial en la determinación de las características eléctricas y el rendimiento del transistor.
Capacitancia de óxido - (Medido en Faradio) - La capacitancia de óxido se refiere a la capacitancia asociada con la capa de óxido aislante en una estructura semiconductora de óxido metálico (MOS), como en los MOSFET.
Capacitancia de superposición - (Medido en Faradio) - La capacitancia de superposición es una capacitancia parásita que surge debido a la superposición física entre la puerta y las regiones de fuente/drenaje.

(Cálculo completado en 00.004 segundos)