Calculadora Conductividad óhmica de la impureza

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Fabricación de circuitos integrados bipolares

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✖Carga característica de una unidad de materia que expresa en qué medida tiene más o menos electrones que protones.ⓘ Cargar [q]			+10% -10%
✖La movilidad del silicio con dopaje electrónico caracteriza la rapidez con la que un electrón puede moverse a través de un metal o semiconductor cuando es atraído por un campo eléctrico.ⓘ Movilidad del silicio con dopaje electrónico [μ_n]			+10% -10%
✖La concentración de electrones está influenciada por varios factores, como la temperatura, las impurezas o dopantes agregados al material semiconductor y los campos eléctricos o magnéticos externos.ⓘ Concentración de electrones [n_e]			+10% -10%
✖La movilidad del silicio con dopaje de huecos es la capacidad de un hueco de viajar a través de un metal o semiconductor en presencia de un campo eléctrico aplicado.ⓘ Movilidad de silicio con dopaje de orificios [μ_p]			+10% -10%
✖La concentración de huecos implica una mayor cantidad de portadores de carga disponibles en el material, lo que afecta su conductividad y varios dispositivos semiconductores.ⓘ Concentración de agujeros [p]			+10% -10%

✖La conductividad óhmica es la medida de la capacidad del material para pasar el flujo de corriente eléctrica. La conductividad eléctrica difiere de un material a otro.ⓘ Conductividad óhmica de la impureza [σ]

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Fórmula

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Conductividad óhmica de la impureza

Fórmula

`"σ" = "q"*("μ"_{"n"}*"n"_{"e"}+"μ"_{"p"}*"p")`

Ejemplo

`"0.10442mho/cm"="5mC"*("0.38cm²/V*s"*"50.6/cm³"+"2.4cm²/V*s"*"0.69/cm³")`

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Conductividad óhmica de la impureza Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de electrones+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*Concentración de agujeros)
σ = q*(μ_n*n_e+μ_p*p)
Esta fórmula usa 6 Variables

Variables utilizadas

Conductividad óhmica - (Medido en Siemens/Metro) - La conductividad óhmica es la medida de la capacidad del material para pasar el flujo de corriente eléctrica. La conductividad eléctrica difiere de un material a otro.
Cargar - (Medido en Culombio) - Carga característica de una unidad de materia que expresa en qué medida tiene más o menos electrones que protones.
Movilidad del silicio con dopaje electrónico - (Medido en Metro cuadrado por voltio por segundo) - La movilidad del silicio con dopaje electrónico caracteriza la rapidez con la que un electrón puede moverse a través de un metal o semiconductor cuando es atraído por un campo eléctrico.
Concentración de electrones - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración de electrones está influenciada por varios factores, como la temperatura, las impurezas o dopantes agregados al material semiconductor y los campos eléctricos o magnéticos externos.
Movilidad de silicio con dopaje de orificios - (Medido en Metro cuadrado por voltio por segundo) - La movilidad del silicio con dopaje de huecos es la capacidad de un hueco de viajar a través de un metal o semiconductor en presencia de un campo eléctrico aplicado.
Concentración de agujeros - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración de huecos implica una mayor cantidad de portadores de carga disponibles en el material, lo que afecta su conductividad y varios dispositivos semiconductores.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Cargar: 5 miliculombio --> 0.005 Culombio (Verifique la conversión aquí)
Movilidad del silicio con dopaje electrónico: 0.38 centímetro cuadrado por segundo voltio --> 3.8E-05 Metro cuadrado por voltio por segundo (Verifique la conversión aquí)
Concentración de electrones: 50.6 1 por centímetro cúbico --> 50600000 1 por metro cúbico (Verifique la conversión aquí)
Movilidad de silicio con dopaje de orificios: 2.4 centímetro cuadrado por segundo voltio --> 0.00024 Metro cuadrado por voltio por segundo (Verifique la conversión aquí)
Concentración de agujeros: 0.69 1 por centímetro cúbico --> 690000 1 por metro cúbico (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

σ = q*(μ_n*n_e+μ_p*p) --> 0.005*(3.8E-05*50600000+0.00024*690000)

Evaluar ... ...

σ = 10.442

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

10.442 Siemens/Metro -->0.10442 Mho/Centímetro (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

0.10442 Mho/Centímetro <-- Conductividad óhmica

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Raúl Gupta

Universidad de Chandigarh (CU), Mohali, Punyab

¡Raúl Gupta ha creado esta calculadora y 25+ más calculadoras!

Verificada por parminder singh

Universidad de Chandigarh (CU), Punjab

¡parminder singh ha verificado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

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Resistencia del paralelepípedo rectangular

Vamos Resistencia = ((Resistividad*Grosor de la capa)/(Ancho de la capa difundida*Longitud de la capa difundida))*(ln(Ancho del rectángulo inferior/Longitud del rectángulo inferior)/(Ancho del rectángulo inferior-Longitud del rectángulo inferior))

Átomos de impureza por unidad de área

Vamos Impureza total = Difusión efectiva*(Área de unión de la base del emisor*((Cargar*Concentración intrínseca^2)/Colector actual)*exp(Emisor de base de voltaje/Voltaje térmico))

Conductividad del tipo P

Vamos Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*(Concentración intrínseca^2/Concentración de equilibrio del tipo P)+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*Concentración de equilibrio del tipo P)

Conductividad de tipo N

Vamos Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de equilibrio de tipo N+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*(Concentración intrínseca^2/Concentración de equilibrio de tipo N))

Capacitancia de base de colector

Vamos Capacitancia de la base del colector = Área de unión de la base del emisor*sqrt((Cargar*Permitividad*Densidad de dopaje)/(2*(Potencial incorporado+Unión de polarización inversa)))

Corriente del colector dada la tensión base-emisor

Vamos Corriente de colector en BJT = Ratio de transferencia actual*Corriente de saturación*(exp(([Charge-e]*Voltaje base del emisor)/([BoltZ]*Impureza de temperatura)-1))

Transconductancia MOSFET dada la capacitancia de óxido

Vamos Transconductancia en MOSFET = sqrt(2*Movilidad electrónica*Capacitancia de óxido*(Ancho del transistor/Longitud del transistor)*Corriente de drenaje)

Conductividad óhmica de la impureza

Vamos Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de electrones+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*Concentración de agujeros)

Capacitancia de la fuente de puerta dada la capacitancia de superposición

Vamos Capacitancia de la fuente de puerta = (2/3*Ancho del transistor*Longitud del transistor*Capacitancia de óxido)+(Ancho del transistor*Capacitancia de superposición)

Corriente del emisor dada la tensión base-emisor

Vamos Corriente del emisor = Corriente de saturación*(exp(([Charge-e]*Voltaje base del emisor)/([BoltZ]*Impureza de temperatura)-1))

Corriente de colector del transistor PNP

Vamos Colector actual = (Cargar*Área de unión de la base del emisor*Concentración de equilibrio de tipo N*Constante de difusión para PNP)/Ancho de la base

Corriente de saturación en transistor

Vamos Corriente de saturación = (Cargar*Área de unión de la base del emisor*Difusión efectiva*Concentración intrínseca^2)/Impureza total

Consumo de energía de carga capacitiva dado el voltaje de suministro

Vamos Consumo de energía de carga capacitiva = Capacitancia de carga*Tensión de alimentación^2*Frecuencia de señal de salida*Número total de salidas conmutadas

Resistencia laminar de la capa

Vamos Resistencia de la hoja = 1/(Cargar*Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de equilibrio de tipo N*Grosor de la capa)

Agujero de densidad actual

Vamos Densidad de corriente del agujero = Cargar*Constante de difusión para PNP*(Concentración de equilibrio del agujero/Ancho de la base)

Eficiencia de inyección del emisor

Vamos Eficiencia de inyección del emisor = Corriente del emisor/(Corriente del emisor debida a los electrones.+Corriente del emisor debido a los agujeros)

Resistencia de la capa difusa

Vamos Resistencia = (1/Conductividad óhmica)*(Longitud de la capa difundida/(Ancho de la capa difundida*Grosor de la capa))

Impureza con concentración intrínseca

Vamos Concentración intrínseca = sqrt((Concentración de electrones*Concentración de agujeros)/Impureza de temperatura)

Voltaje de ruptura del emisor colector

Vamos Voltaje de ruptura del emisor del colector = Voltaje de ruptura de la base del colector/(Ganancia actual de BJT)^(1/Número raíz)

Corriente que fluye en el diodo Zener

Vamos Corriente de diodo = (Voltaje de referencia de entrada-Voltaje de salida estable)/Resistencia Zener

Eficiencia de inyección del emisor dadas las constantes de dopaje

Vamos Eficiencia de inyección del emisor = Dopaje en el lado N/(Dopaje en el lado N+Dopaje en el lado P)

Factor de conversión de voltaje a frecuencia en circuitos integrados

Vamos Factor de conversión de voltaje a frecuencia en circuitos integrados = Frecuencia de señal de salida/Voltaje de entrada

Factor de transporte base dado el ancho de la base

Vamos Factor de transporte básico = 1-(1/2*(Ancho físico/Longitud de difusión de electrones)^2)

Tiempo de tránsito del transistor PNP

Vamos Tiempo de tránsito = Ancho de la base^2/(2*Constante de difusión para PNP)

Conductividad óhmica de la impureza Fórmula

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