Calculadora Voltaje de ruptura del emisor colector

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Fabricación de circuitos integrados bipolares

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✖El voltaje de ruptura de la base del colector es el voltaje máximo entre los terminales del colector y la base de un transistor de unión bipolar sin causar una ruptura en el transistor.ⓘ Voltaje de ruptura de la base del colector [V_cb]			+10% -10%
✖La ganancia actual de BJT se utiliza para describir las propiedades de amplificación del transistor. Indica cuánto se amplifica la corriente del colector con respecto a la corriente de base.ⓘ Ganancia actual de BJT [i_g]			+10% -10%
✖El número raíz representa una constante o un factor asociado con el transistor.ⓘ Número raíz [n]			+10% -10%

✖El voltaje de ruptura del emisor del colector es el voltaje entre los terminales del colector y del emisor de un transistor de unión bipolar sin causar una ruptura en el transistor.ⓘ Voltaje de ruptura del emisor colector [V_ce]

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Fórmula

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Voltaje de ruptura del emisor colector

Fórmula

`"V"_{"ce"} = "V"_{"cb"}/("i"_{"g"})^(1/"n")`

Ejemplo

`"2.103602V"="3.52V"/("2.8V")^(1/"2")`

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Voltaje de ruptura del emisor colector Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Voltaje de ruptura del emisor del colector = Voltaje de ruptura de la base del colector/(Ganancia actual de BJT)^(1/Número raíz)
V_ce = V_cb/(i_g)^(1/n)
Esta fórmula usa 4 Variables

Variables utilizadas

Voltaje de ruptura del emisor del colector - (Medido en Voltio) - El voltaje de ruptura del emisor del colector es el voltaje entre los terminales del colector y del emisor de un transistor de unión bipolar sin causar una ruptura en el transistor.
Voltaje de ruptura de la base del colector - (Medido en Voltio) - El voltaje de ruptura de la base del colector es el voltaje máximo entre los terminales del colector y la base de un transistor de unión bipolar sin causar una ruptura en el transistor.
Ganancia actual de BJT - (Medido en Voltio) - La ganancia actual de BJT se utiliza para describir las propiedades de amplificación del transistor. Indica cuánto se amplifica la corriente del colector con respecto a la corriente de base.
Número raíz - El número raíz representa una constante o un factor asociado con el transistor.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Voltaje de ruptura de la base del colector: 3.52 Voltio --> 3.52 Voltio No se requiere conversión
Ganancia actual de BJT: 2.8 Voltio --> 2.8 Voltio No se requiere conversión
Número raíz: 2 --> No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

V_ce = V_cb/(i_g)^(1/n) --> 3.52/(2.8)^(1/2)

Evaluar ... ...

V_ce = 2.10360235242853

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

2.10360235242853 Voltio --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

2.10360235242853 ≈ 2.103602 Voltio <-- Voltaje de ruptura del emisor del colector

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Raúl Gupta

Universidad de Chandigarh (CU), Mohali, Punyab

¡Raúl Gupta ha creado esta calculadora y 25+ más calculadoras!

Verificada por parminder singh

Universidad de Chandigarh (CU), Punjab

¡parminder singh ha verificado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

< 24 Fabricación de circuitos integrados bipolares Calculadoras

Resistencia del paralelepípedo rectangular

Vamos Resistencia = ((Resistividad*Grosor de la capa)/(Ancho de la capa difundida*Longitud de la capa difundida))*(ln(Ancho del rectángulo inferior/Longitud del rectángulo inferior)/(Ancho del rectángulo inferior-Longitud del rectángulo inferior))

Átomos de impureza por unidad de área

Vamos Impureza total = Difusión efectiva*(Área de unión de la base del emisor*((Cargar*Concentración intrínseca^2)/Colector actual)*exp(Emisor de base de voltaje/Voltaje térmico))

Conductividad del tipo P

Vamos Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*(Concentración intrínseca^2/Concentración de equilibrio del tipo P)+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*Concentración de equilibrio del tipo P)

Conductividad de tipo N

Vamos Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de equilibrio de tipo N+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*(Concentración intrínseca^2/Concentración de equilibrio de tipo N))

Capacitancia de base de colector

Vamos Capacitancia de la base del colector = Área de unión de la base del emisor*sqrt((Cargar*Permitividad*Densidad de dopaje)/(2*(Potencial incorporado+Unión de polarización inversa)))

Corriente del colector dada la tensión base-emisor

Vamos Corriente de colector en BJT = Ratio de transferencia actual*Corriente de saturación*(exp(([Charge-e]*Voltaje base del emisor)/([BoltZ]*Impureza de temperatura)-1))

Transconductancia MOSFET dada la capacitancia de óxido

Vamos Transconductancia en MOSFET = sqrt(2*Movilidad electrónica*Capacitancia de óxido*(Ancho del transistor/Longitud del transistor)*Corriente de drenaje)

Conductividad óhmica de la impureza

Vamos Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de electrones+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*Concentración de agujeros)

Capacitancia de la fuente de puerta dada la capacitancia de superposición

Vamos Capacitancia de la fuente de puerta = (2/3*Ancho del transistor*Longitud del transistor*Capacitancia de óxido)+(Ancho del transistor*Capacitancia de superposición)

Corriente del emisor dada la tensión base-emisor

Vamos Corriente del emisor = Corriente de saturación*(exp(([Charge-e]*Voltaje base del emisor)/([BoltZ]*Impureza de temperatura)-1))

Corriente de colector del transistor PNP

Vamos Colector actual = (Cargar*Área de unión de la base del emisor*Concentración de equilibrio de tipo N*Constante de difusión para PNP)/Ancho de la base

Corriente de saturación en transistor

Vamos Corriente de saturación = (Cargar*Área de unión de la base del emisor*Difusión efectiva*Concentración intrínseca^2)/Impureza total

Consumo de energía de carga capacitiva dado el voltaje de suministro

Vamos Consumo de energía de carga capacitiva = Capacitancia de carga*Tensión de alimentación^2*Frecuencia de señal de salida*Número total de salidas conmutadas

Resistencia laminar de la capa

Vamos Resistencia de la hoja = 1/(Cargar*Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de equilibrio de tipo N*Grosor de la capa)

Agujero de densidad actual

Vamos Densidad de corriente del agujero = Cargar*Constante de difusión para PNP*(Concentración de equilibrio del agujero/Ancho de la base)

Eficiencia de inyección del emisor

Vamos Eficiencia de inyección del emisor = Corriente del emisor/(Corriente del emisor debida a los electrones.+Corriente del emisor debido a los agujeros)

Resistencia de la capa difusa

Vamos Resistencia = (1/Conductividad óhmica)*(Longitud de la capa difundida/(Ancho de la capa difundida*Grosor de la capa))

Impureza con concentración intrínseca

Vamos Concentración intrínseca = sqrt((Concentración de electrones*Concentración de agujeros)/Impureza de temperatura)

Voltaje de ruptura del emisor colector

Vamos Voltaje de ruptura del emisor del colector = Voltaje de ruptura de la base del colector/(Ganancia actual de BJT)^(1/Número raíz)

Corriente que fluye en el diodo Zener

Vamos Corriente de diodo = (Voltaje de referencia de entrada-Voltaje de salida estable)/Resistencia Zener

Eficiencia de inyección del emisor dadas las constantes de dopaje

Vamos Eficiencia de inyección del emisor = Dopaje en el lado N/(Dopaje en el lado N+Dopaje en el lado P)

Factor de conversión de voltaje a frecuencia en circuitos integrados

Vamos Factor de conversión de voltaje a frecuencia en circuitos integrados = Frecuencia de señal de salida/Voltaje de entrada

Factor de transporte base dado el ancho de la base

Vamos Factor de transporte básico = 1-(1/2*(Ancho físico/Longitud de difusión de electrones)^2)

Tiempo de tránsito del transistor PNP

Vamos Tiempo de tránsito = Ancho de la base^2/(2*Constante de difusión para PNP)

Voltaje de ruptura del emisor colector Fórmula

Voltaje de ruptura del emisor del colector = Voltaje de ruptura de la base del colector/(Ganancia actual de BJT)^(1/Número raíz)
V_ce = V_cb/(i_g)^(1/n)

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