Pojemność źródła bramki Biorąc pod uwagę pojemność nakładania się Kalkulator

↳

Elektronika

Cywilny

Elektronika i oprzyrządowanie

Elektryczny

Inżynieria chemiczna

Inżynieria materiałowa

Inżynieria produkcji

Mechaniczny

⤿

Produkcja bipolarnych układów scalonych

Produkcja układów scalonych MOS

Wyzwalacz Schmitta

✖Szerokość tranzystora odnosi się do szerokości obszaru kanału w MOSFET-ie. Wymiar ten odgrywa kluczową rolę w określaniu właściwości elektrycznych i wydajności tranzystora.ⓘ Szerokość tranzystora [W_t]			+10% -10%
✖Długość tranzystora odnosi się do długości obszaru kanału w MOSFET-ie. Wymiar ten odgrywa kluczową rolę w określaniu właściwości elektrycznych i wydajności tranzystora.ⓘ Długość tranzystora [L_t]			+10% -10%
✖Pojemność tlenkowa odnosi się do pojemności związanej z izolującą warstwą tlenku w strukturze metal-tlenek-półprzewodnik (MOS), takiej jak tranzystory MOSFET.ⓘ Pojemność tlenkowa [C_ox]			+10% -10%
✖Pojemność nakładania to pojemność pasożytnicza, która powstaje w wyniku fizycznego nakładania się pomiędzy bramką a obszarami źródła/drenu.ⓘ Pojemność nakładania [C_ov]			+10% -10%

✖Pojemność źródła bramki odnosi się do pojemności pomiędzy bramką a zaciskami źródła tranzystora polowego (FET).ⓘ Pojemność źródła bramki Biorąc pod uwagę pojemność nakładania się [C_gs]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Pojemność źródła bramki Biorąc pod uwagę pojemność nakładania się

Formuła

`"C"_{"gs"} = (2/3*"W"_{"t"}*"L"_{"t"}*"C"_{"ox"})+("W"_{"t"}*"C"_{"ov"})`

Przykład

`"13.75005μF"=(2/3*"5.5μm"*"3.2μm"*"3.9F")+("5.5μm"*"2.5F")`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Elektronika Formułę PDF PDF Image

Pojemność źródła bramki Biorąc pod uwagę pojemność nakładania się Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Pojemność źródła bramki = (2/3*Szerokość tranzystora*Długość tranzystora*Pojemność tlenkowa)+(Szerokość tranzystora*Pojemność nakładania)
C_gs = (2/3*W_t*L_t*C_ox)+(W_t*C_ov)
Ta formuła używa 5 Zmienne

Używane zmienne

Pojemność źródła bramki - (Mierzone w Farad) - Pojemność źródła bramki odnosi się do pojemności pomiędzy bramką a zaciskami źródła tranzystora polowego (FET).
Szerokość tranzystora - (Mierzone w Metr) - Szerokość tranzystora odnosi się do szerokości obszaru kanału w MOSFET-ie. Wymiar ten odgrywa kluczową rolę w określaniu właściwości elektrycznych i wydajności tranzystora.
Długość tranzystora - (Mierzone w Metr) - Długość tranzystora odnosi się do długości obszaru kanału w MOSFET-ie. Wymiar ten odgrywa kluczową rolę w określaniu właściwości elektrycznych i wydajności tranzystora.
Pojemność tlenkowa - (Mierzone w Farad) - Pojemność tlenkowa odnosi się do pojemności związanej z izolującą warstwą tlenku w strukturze metal-tlenek-półprzewodnik (MOS), takiej jak tranzystory MOSFET.
Pojemność nakładania - (Mierzone w Farad) - Pojemność nakładania to pojemność pasożytnicza, która powstaje w wyniku fizycznego nakładania się pomiędzy bramką a obszarami źródła/drenu.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Szerokość tranzystora: 5.5 Mikrometr --> 5.5E-06 Metr (Sprawdź konwersję tutaj)
Długość tranzystora: 3.2 Mikrometr --> 3.2E-06 Metr (Sprawdź konwersję tutaj)
Pojemność tlenkowa: 3.9 Farad --> 3.9 Farad Nie jest wymagana konwersja
Pojemność nakładania: 2.5 Farad --> 2.5 Farad Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

C_gs = (2/3*W_t*L_t*C_ox)+(W_t*C_ov) --> (2/3*5.5E-06*3.2E-06*3.9)+(5.5E-06*2.5)

Ocenianie ... ...

C_gs = 1.375004576E-05

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

1.375004576E-05 Farad -->13.75004576 Mikrofarad (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

13.75004576 ≈ 13.75005 Mikrofarad <-- Pojemność źródła bramki

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Układy scalone (IC) » Produkcja bipolarnych układów scalonych » Pojemność źródła bramki Biorąc pod uwagę pojemność nakładania się

Kredyty

Stworzone przez banuprakasz

Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakasz utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Santhosh Yadav

Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

< 19 Produkcja bipolarnych układów scalonych Kalkulatory

Opór równoległościanu prostokątnego

Iść Opór = ((Oporność*Grubość warstwy)/(Szerokość rozproszonej warstwy*Długość warstwy rozproszonej))*(ln(Szerokość dolnego prostokąta/Długość dolnego prostokąta)/(Szerokość dolnego prostokąta-Długość dolnego prostokąta))

Atomy zanieczyszczeń na jednostkę powierzchni

Iść Całkowita nieczystość = Efektywna dyfuzja*(Obszar połączenia podstawy emitera*((Opłata*Wewnętrzna koncentracja^2)/Prąd kolektora)*exp(Emiter podstawy napięcia/Napięcie termiczne))

Przewodność typu N

Iść Przewodność omowa = Opłata*(Mobilność krzemu z domieszką elektronów*Stężenie równowagowe typu N+Hole Doping Mobilność krzemu*(Wewnętrzna koncentracja^2/Stężenie równowagowe typu N))

Przewodność typu P

Iść Przewodność omowa = Opłata*(Mobilność krzemu z domieszką elektronów*(Wewnętrzna koncentracja^2/Stężenie równowagowe typu P)+Hole Doping Mobilność krzemu*Stężenie równowagowe typu P)

Pojemność źródła bramki Biorąc pod uwagę pojemność nakładania się

Iść Pojemność źródła bramki = (2/3*Szerokość tranzystora*Długość tranzystora*Pojemność tlenkowa)+(Szerokość tranzystora*Pojemność nakładania)

Przewodność omowa zanieczyszczeń

Iść Przewodność omowa = Opłata*(Mobilność krzemu z domieszką elektronów*Stężenie elektronów+Hole Doping Mobilność krzemu*Zagęszczenie dziur)

Prąd kolektora tranzystora PNP

Iść Prąd kolektora = (Opłata*Obszar połączenia podstawy emitera*Stężenie równowagowe typu N*Stała dyfuzji dla PNP)/Szerokość podstawy

Prąd nasycenia w tranzystorze

Iść Prąd nasycenia = (Opłata*Obszar połączenia podstawy emitera*Efektywna dyfuzja*Wewnętrzna koncentracja^2)/Całkowita nieczystość

Pobór mocy obciążenia pojemnościowego przy danym napięciu zasilania

Iść Pobór mocy obciążenia pojemnościowego = Pojemność obciążenia*Napięcie zasilania^2*Częstotliwość sygnału wyjściowego*Całkowita liczba przełączanych wyjść

Opór arkusza warstwy

Iść Odporność arkusza = 1/(Opłata*Mobilność krzemu z domieszką elektronów*Stężenie równowagowe typu N*Grubość warstwy)

Opór warstwy rozproszonej

Iść Opór = (1/Przewodność omowa)*(Długość warstwy rozproszonej/(Szerokość rozproszonej warstwy*Grubość warstwy))

Zanieczyszczenie o wewnętrznym stężeniu

Iść Wewnętrzna koncentracja = sqrt((Stężenie elektronów*Zagęszczenie dziur)/Zanieczyszczenie temperaturowe)

Dziura gęstości prądu

Iść Gęstość prądu otworu = Opłata*Stała dyfuzji dla PNP*(Stężenie równowagi w otworze/Szerokość podstawy)

Napięcie przebicia emitera kolektora

Iść Napięcie przebicia emitera kolektora = Napięcie przebicia podstawy kolektora/(Obecny zysk BJT)^(1/Numer główny)

Wydajność wtrysku emitera

Iść Wydajność wtrysku emitera = Prąd emitera/(Prąd emitera powodowany przez elektrony+Prąd emitera z powodu dziur)

Współczynnik konwersji napięcia na częstotliwość w układach scalonych

Iść Współczynnik konwersji napięcia na częstotliwość w układach scalonych = Częstotliwość sygnału wyjściowego/Napięcie wejściowe

Wydajność wtrysku emitera przy danych stałych domieszkowania

Iść Wydajność wtrysku emitera = Doping po stronie N/(Doping po stronie N+Doping po stronie P)

Prąd płynący w diodzie Zenera

Iść Prąd diody = (Wejściowe napięcie odniesienia-Stabilne napięcie wyjściowe)/Opór Zenera

Podstawowy współczynnik transportu przy danej szerokości podstawowej

Iść Podstawowy współczynnik transportu = 1-(1/2*(Szerokość fizyczna/Długość dyfuzji elektronów)^2)

Pojemność źródła bramki Biorąc pod uwagę pojemność nakładania się Formułę

Pojemność źródła bramki = (2/3*Szerokość tranzystora*Długość tranzystora*Pojemność tlenkowa)+(Szerokość tranzystora*Pojemność nakładania)
C_gs = (2/3*W_t*L_t*C_ox)+(W_t*C_ov)

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!