Puertas en ruta crítica Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Puertas en el camino crítico = Ciclo de trabajo*(Apagado actual*(10^Voltaje base del colector))/(Capacitancia de puerta a canal*[BoltZ]*Voltaje base del colector)
Ng = D*(ioff*(10^Vbc))/(Cg*[BoltZ]*Vbc)
Esta fórmula usa 1 Constantes, 5 Variables
Constantes utilizadas
[BoltZ] - constante de Boltzmann Valor tomado como 1.38064852E-23
Variables utilizadas
Puertas en el camino crítico - Las puertas en la ruta crítica se definen como el número total de puertas lógicas requeridas durante un ciclo en CMOS.
Ciclo de trabajo - Un ciclo de trabajo o ciclo de energía es la fracción de un período en el que una señal o sistema está activo.
Apagado actual - (Medido en Amperio) - La corriente apagada de un interruptor es un valor que no existe en la realidad. Los interruptores reales normalmente tienen una corriente de apagado muy pequeña, que a veces se denomina corriente de fuga.
Voltaje base del colector - (Medido en Voltio) - El voltaje del colector base es un parámetro crucial en la polarización de transistores. Se refiere a la diferencia de voltaje entre los terminales base y colector del transistor cuando está en su estado activo.
Capacitancia de puerta a canal - (Medido en Faradio) - La capacitancia de puerta a canal es la capacitancia debida a la superposición de las regiones de fuente y canal por la puerta de polisilicio y es independiente del voltaje aplicado.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Ciclo de trabajo: 1.3E-25 --> No se requiere conversión
Apagado actual: 0.01 Miliamperio --> 1E-05 Amperio (Verifique la conversión aquí)
Voltaje base del colector: 2.02 Voltio --> 2.02 Voltio No se requiere conversión
Capacitancia de puerta a canal: 5.1 milifaradio --> 0.0051 Faradio (Verifique la conversión aquí)
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
Ng = D*(ioff*(10^Vbc))/(Cg*[BoltZ]*Vbc) --> 1.3E-25*(1E-05*(10^2.02))/(0.0051*[BoltZ]*2.02)
Evaluar ... ...
Ng = 0.000957058919420363
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
0.000957058919420363 --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
0.000957058919420363 0.000957 <-- Puertas en el camino crítico
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creado por Shobhit Dimri
Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!
Verificada por Urvi Rathod
Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

17 Métricas de potencia CMOS Calculadoras

Puertas en ruta crítica
Vamos Puertas en el camino crítico = Ciclo de trabajo*(Apagado actual*(10^Voltaje base del colector))/(Capacitancia de puerta a canal*[BoltZ]*Voltaje base del colector)
Fuga por debajo del umbral a través de transistores APAGADOS
Vamos Corriente subumbral = (Potencia estática CMOS/Voltaje base del colector)-(Corriente de puerta+Contención actual+Corriente de unión)
Corriente de contención en circuitos proporcionales
Vamos Contención actual = (Potencia estática CMOS/Voltaje base del colector)-(Corriente subumbral+Corriente de puerta+Corriente de unión)
Fuga de la puerta a través del dieléctrico de la puerta
Vamos Corriente de puerta = (Potencia estática CMOS/Voltaje base del colector)-(Corriente subumbral+Contención actual+Corriente de unión)
Conmutación de salida en carga Consumo de energía
Vamos Conmutación de salida = Consumo de energía de carga capacitiva/(Capacitancia de carga externa*Voltaje de suministro^2*Frecuencia de señal de salida)
Consumo de energía de carga capacitiva
Vamos Consumo de energía de carga capacitiva = Capacitancia de carga externa*Voltaje de suministro^2*Frecuencia de señal de salida*Conmutación de salida
Relación de rechazo de la fuente de alimentación
Vamos Relación de rechazo de la fuente de alimentación = 20*log10(Ondulación del voltaje de entrada/Ondulación del voltaje de salida)
Poder de conmutación
Vamos Energía de conmutación = Factor de actividad*(Capacidad*Voltaje base del colector^2*Frecuencia)
Factor de actividad
Vamos Factor de actividad = Energía de conmutación/(Capacidad*Voltaje base del colector^2*Frecuencia)
Conmutación de potencia en CMOS
Vamos Energía de conmutación = (voltaje positivo^2)*Frecuencia*Capacidad
Cambio de energía en CMOS
Vamos Conmutación de energía en CMOS = Energía total en CMOS-Energía de fuga en CMOS
Energía de fuga en CMOS
Vamos Energía de fuga en CMOS = Energía total en CMOS-Conmutación de energía en CMOS
Energía total en CMOS
Vamos Energía total en CMOS = Conmutación de energía en CMOS+Energía de fuga en CMOS
Alimentación de cortocircuito en CMOS
Vamos Energía de cortocircuito = Poder dinámico-Energía de conmutación
Potencia dinámica en CMOS
Vamos Poder dinámico = Energía de cortocircuito+Energía de conmutación
Potencia total en CMOS
Vamos Poder total = Potencia estática CMOS+Poder dinámico
Energía estática en CMOS
Vamos Potencia estática CMOS = Poder total-Poder dinámico

Puertas en ruta crítica Fórmula

Puertas en el camino crítico = Ciclo de trabajo*(Apagado actual*(10^Voltaje base del colector))/(Capacitancia de puerta a canal*[BoltZ]*Voltaje base del colector)
Ng = D*(ioff*(10^Vbc))/(Cg*[BoltZ]*Vbc)

¿Qué es la conducción subumbral?

La conducción subumbral o la fuga subumbral o la corriente de drenaje subumbral es la corriente entre la fuente y el drenaje de un MOSFET cuando el transistor está en la región subumbral, o región de inversión débil, es decir, para voltajes de puerta a fuente por debajo del voltaje umbral.

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