Portões no Caminho Crítico Calculadora

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✖Um ciclo de trabalho ou ciclo de potência é a fração de um período em que um sinal ou sistema está ativo.ⓘ Ciclo de trabalho [D]			+10% -10%
✖A corrente desligada de um switch é um valor inexistente na realidade. Chaves reais normalmente têm uma corrente de desligamento muito pequena, que às vezes é chamada de corrente de fuga.ⓘ Desatualizado [i_off]			+10% -10%
✖A tensão do coletor base é um parâmetro crucial na polarização do transistor. Refere-se à diferença de tensão entre os terminais base e coletor do transistor quando ele está em seu estado ativo.ⓘ Tensão do Coletor Base [V_bc]			+10% -10%
✖A capacitância da porta para o canal é a capacitância devida à sobreposição das regiões da fonte e do canal pela porta de polissilício e é independente da tensão aplicada.ⓘ Capacitância do portão para o canal [C_g]			+10% -10%

✖Portas no caminho crítico são definidas como o número total de portas lógicas necessárias durante um tempo de ciclo no CMOS.ⓘ Portões no Caminho Crítico [N_g]

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Fórmula

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Portões no Caminho Crítico

Fórmula

`"N"_{"g"} = "D"*("i"_{"off"}*(10^"V"_{"bc"}))/("C"_{"g"}*"[BoltZ]"*"V"_{"bc"})`

Exemplo

`"0.000957"="1.3E^-25"*("0.01mA"*(10^"2.02V"))/("5.1mF"*"[BoltZ]"*"2.02V")`

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Portões no Caminho Crítico Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Portões no Caminho Crítico = Ciclo de trabalho*(Desatualizado*(10^Tensão do Coletor Base))/(Capacitância do portão para o canal*[BoltZ]*Tensão do Coletor Base)
N_g = D*(i_off*(10^V_bc))/(C_g*[BoltZ]*V_bc)
Esta fórmula usa 1 Constantes, 5 Variáveis

Constantes Usadas

[BoltZ] - Constante de Boltzmann Valor considerado como 1.38064852E-23

Variáveis Usadas

Portões no Caminho Crítico - Portas no caminho crítico são definidas como o número total de portas lógicas necessárias durante um tempo de ciclo no CMOS.
Ciclo de trabalho - Um ciclo de trabalho ou ciclo de potência é a fração de um período em que um sinal ou sistema está ativo.
Desatualizado - (Medido em Ampere) - A corrente desligada de um switch é um valor inexistente na realidade. Chaves reais normalmente têm uma corrente de desligamento muito pequena, que às vezes é chamada de corrente de fuga.
Tensão do Coletor Base - (Medido em Volt) - A tensão do coletor base é um parâmetro crucial na polarização do transistor. Refere-se à diferença de tensão entre os terminais base e coletor do transistor quando ele está em seu estado ativo.
Capacitância do portão para o canal - (Medido em Farad) - A capacitância da porta para o canal é a capacitância devida à sobreposição das regiões da fonte e do canal pela porta de polissilício e é independente da tensão aplicada.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Ciclo de trabalho: 1.3E-25 --> Nenhuma conversão necessária
Desatualizado: 0.01 Miliamperes --> 1E-05 Ampere (Verifique a conversão aqui)
Tensão do Coletor Base: 2.02 Volt --> 2.02 Volt Nenhuma conversão necessária
Capacitância do portão para o canal: 5.1 Milifarad --> 0.0051 Farad (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

N_g = D*(i_off*(10^V_bc))/(C_g*[BoltZ]*V_bc) --> 1.3E-25*(1E-05*(10^2.02))/(0.0051*[BoltZ]*2.02)

Avaliando ... ...

N_g = 0.000957058919420363

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.000957058919420363 --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

0.000957058919420363 ≈ 0.000957 <-- Portões no Caminho Crítico

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

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Portões no Caminho Crítico

Vai Portões no Caminho Crítico = Ciclo de trabalho*(Desatualizado*(10^Tensão do Coletor Base))/(Capacitância do portão para o canal*[BoltZ]*Tensão do Coletor Base)

Vazamento do portão através do dielétrico do portão

Vai Corrente do portão = (Potência estática do CMOS/Tensão do Coletor Base)-(Corrente Sublimiar+Corrente de contenção+Corrente de Junção)

Vazamento de sublimiar através de transistores OFF

Vai Corrente Sublimiar = (Potência estática do CMOS/Tensão do Coletor Base)-(Corrente do portão+Corrente de contenção+Corrente de Junção)

Corrente de Contenção em Circuitos Racionados

Vai Corrente de contenção = (Potência estática do CMOS/Tensão do Coletor Base)-(Corrente Sublimiar+Corrente do portão+Corrente de Junção)

Comutação de saída no consumo de energia da carga

Vai Troca de saída = Consumo de energia de carga capacitiva/(Capacitância de Carga Externa*Tensão de alimentação^2*Frequência do sinal de saída)

Consumo de energia de carga capacitiva

Vai Consumo de energia de carga capacitiva = Capacitância de Carga Externa*Tensão de alimentação^2*Frequência do sinal de saída*Troca de saída

Fator de atividade

Vai Fator de atividade = Troca de energia/(Capacitância*Tensão do Coletor Base^2*Frequência)

Poder de comutação

Vai Troca de energia = Fator de atividade*(Capacitância*Tensão do Coletor Base^2*Frequência)

Taxa de rejeição da fonte de alimentação

Vai Taxa de rejeição da fonte de alimentação = 20*log10(Ondulação de tensão de entrada/Ondulação da tensão de saída)

Comutação de energia em CMOS

Vai Troca de energia = (Tensão Positiva^2)*Frequência*Capacitância

Energia de comutação em CMOS

Vai Troca de energia no CMOS = Energia total em CMOS-Vazamento de energia no CMOS

Vazamento de energia em CMOS

Vai Vazamento de energia no CMOS = Energia total em CMOS-Troca de energia no CMOS

Energia total em CMOS

Vai Energia total em CMOS = Troca de energia no CMOS+Vazamento de energia no CMOS

Potência de curto-circuito em CMOS

Vai Potência de curto-circuito = Potência Dinâmica-Troca de energia

Potência Dinâmica em CMOS

Vai Potência Dinâmica = Potência de curto-circuito+Troca de energia

Potência estática em CMOS

Vai Potência estática do CMOS = Poder total-Potência Dinâmica

Potência total em CMOS

Vai Poder total = Potência estática do CMOS+Potência Dinâmica

Portões no Caminho Crítico Fórmula

O que é condução subliminar?

Condução subliminar ou vazamento subliminar ou corrente de drenagem subliminar é a corrente entre a fonte e o dreno de um MOSFET quando o transistor está na região subliminar, ou região de inversão fraca, ou seja, para tensões porta-a-fonte abaixo da voltagem limite.

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